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    • 22. 发明公开
    • Amplifier Circuit and Transceiver
    • Verstärkerschaltungund Sender-Empfänger
    • EP2234271A2
    • 2010-09-29
    • EP10157103.2
    • 2010-03-19
    • FUJITSU LIMITED
    • Suzuki, Toshihide
    • H03F3/21H03F3/45H03F3/24
    • H03F3/211H03F1/0277H03F1/565H03F3/245H03F3/45179H03F3/72H03F2200/541H03F2203/45394H03F2203/45481H03F2203/45554H03F2203/45728H03F2203/45731
    • An amplifier circuit includes: a first field-effect transistor (101) including a first gate, a first source and a first drain, the first gate receiving one of differential signals, and the first source being connected to a reference potential node, a second field-effect transistor (102) including a second gate, a second source and a second drain, the second gate receiving the other of the differential signals, and the second source being connected to a reference potential node; a first transformer including a first inductor (103) and a first secondary inductor (104) which are magnetically coupled together, the first inductor (103) being connected between the first drain of the first field-effect transistor (101) and the second drain of the second field-effect transistor (102), and the first secondary inductor (104) being connected between an output terminal and a reference potential node; and a first switch circuit (301,302) connecting a power-supply potential node or a reference potential node to a midpoint of the first inductor (103).
    • 放大器电路包括:第一场效应晶体管(101),包括第一栅极,第一源极和第一漏极,第一栅极接收差分信号之一,第一源极连接到参考电位节点,第二栅极连接到参考电位节点 场效应晶体管(102),包括第二栅极,第二源极和第二漏极,所述第二栅极接收所述差分信号中的另一个,并且所述第二源极连接到参考电位节点; 第一变压器,包括磁耦合在一起的第一电感器(103)和第一次级电感器(104),第一电感器(103)连接在第一场效应晶体管(101)的第一漏极和第二漏极 的第二场效应晶体管(102),并且所述第一次级电感器(104)连接在输出端子和参考电位节点之间; 以及将电源电位节点或参考电位节点连接到第一电感器(103)的中点的第一开关电路(301,302)。
    • 25. 发明公开
    • Dispositif d'amplification à faible bruit, en particulier pour un téléphone mobile cellulaire
    • 莫斯莱特芬(RuscharmeVerstärkungsanordnunginsbesonderefürein zellulares Mobiltelefon)
    • EP1172929A1
    • 2002-01-16
    • EP01401701.6
    • 2001-06-27
    • STMicroelectronics S.A.
    • Belot, Didier
    • H03F3/191H03F3/45
    • H03F3/191H03F3/45089H03F2200/294H03F2200/372H03F2203/45316H03F2203/45386H03F2203/45554H03F2203/45704
    • Le dispositif d'amplification comporte un étage amplificateur d'entrée T1A, T1B, un étage amplificateur de sortie T2A, T2B monté en cascode avec l'étage amplificateur d'entrée, et un étage de charge ETCH connecté sur l'étage de sortie. L'étage de charge comporte plusieurs circuits élémentaires CEA i , CEB i comportant chacun un élément capacitif C i et un élément inductif L i présentant un coefficient de qualité supérieur à 10, et ayant respectivement des fréquences de résonance distinctes F i . Toutes les courbes de gain élémentaires respectivement associées à tous les circuits élémentaires présentent, à une tolérance près, une même valeur maximale de gain auxdites fréquences de résonance. Et les courbes de gain élémentaires respectivement associées à deux circuits élémentaires ayant respectivement deux fréquences de résonance immédiatement voisines se chevauchent en-deçà d'un seuil situé à 3dB, à une tolérance près, en dessous de ladite valeur maximale de gain.
    • 差分结构的放大器装置包括具有晶体管(T1A,T1B)的输入级,与输入级级联连接的晶体管(T2A,T2B)的输出级,以及包括若干基本电路(CEAi,CEBi)的负载级, 其中i为1至n,每个包含Q因子大于10的电容性电荷(Ci)和电感元件(Li),以及不同的谐振频率。 与具有紧邻的谐振频率的两个基本电路相关联的基本增益的所有曲线在容差内低于最大增益值的3dB阈值的这一侧重叠。 公差的绝对值约为1 dB。 基本电路(CEAi,CEBi)与输出级串联连接,并且基本电路在谐振频率下具有相同的第一阻抗值,在公差范围内,具有相邻谐振频率的两个基本电路具有中值 频率具有相同的第二阻抗值,其在容差内相等于第一阻抗值的一半。 公差等于20%。 每个基本电路包括并联连接的电容元件(Ci)和电感元件(Li),并且所有的电感元件是相同的。 射频信号的接收机包括所提出类型的放大器装置。
    • 26. 发明公开
    • DRIVER CIRCUIT
    • 驱动电路
    • EP3161913A1
    • 2017-05-03
    • EP15734546.3
    • 2015-06-26
    • Finisar Corporation
    • ZAFRANY, ArikKALOGERAKIS, Georgios
    • H01S5/042H03F3/45H04B10/50
    • H03K17/6871H01S5/042H01S5/0427H03F3/45085H03F3/45179H03F3/45282H03F2203/45288H03F2203/45301H03F2203/45554H03F2203/45562H03F2203/45598H03F2203/45702H04B10/502H04B10/503
    • A circuit may include first and second input nodes, first and second output nodes, first and second intermediate nodes, first and second resistances, a first amplification transistor coupled to the first input node, the first resistance, and the first intermediate node and a second amplification transistor coupled to the second input node, the second resistance, and the second intermediate node. The circuit may also include a first active device coupled to the first output node and the first intermediate node, a second active device coupled to the second output node and the second intermediate node, a first output transistor coupled to the first output node and configured to conduct based on a second intermediate signal on the second intermediate node, and a second output transistor coupled to the second output node and configured to conduct based on a first intermediate signal on the first intermediate node.
    • 电路可以包括第一和第二输入节点,第一和第二输出节点,第一和第二中间节点,第一和第二电阻,耦合到第一输入节点的第一放大晶体管,第一电阻和第一中间节点以及第二 放大晶体管,耦合到第二输入节点,第二电阻和第二中间节点。 该电路还可以包括耦合到第一输出节点和第一中间节点的第一有源器件,耦合到第二输出节点和第二中间节点的第二有源器件,耦合到第一输出节点的第一输出晶体管, 基于第二中间节点上的第二中间信号进行导通;以及第二输出晶体管,耦合到第二输出节点并且被配置为基于第一中间节点上的第一中间信号进行导通。