专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明授权

EP2006668B1 Gassensor 有权
公开(公告)号：EP2006668B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：EP07012222.1
申请日：2007-06-22
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00
CPC分类号： G01N27/4143

12. 发明授权

EP2600145B1 Integriertes Bauelement mit Leitkleberverbindung 有权转让
标题翻译：与导电粘合剂连接的集成组件
公开(公告)号：EP2600145B1
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：EP12007745.8
申请日：2012-11-15
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Kolleth, Tobias , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： G01N27/414 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/482 , H05K3/40 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/01 , G01N27/4148 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/4828 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05551 , H01L2224/05638 , H01L2224/05684 , H01L2224/2929 , H01L2224/83139 , H01L2224/83365 , H01L2924/07811 , H01L2924/14 , H05K3/4007 , H05K2201/0373 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014

13. 发明公开

EP2594928A3 Halbleiter-Gassensor 有权转让
标题翻译：半导体气体传感器
公开(公告)号：EP2594928A3
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：EP12007744.1
申请日：2012-11-15
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Kolleth, Tobias , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： H01L29/66 , G01N27/4143 , G01N27/4148 , H01L23/3171 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05017 , H01L2224/05138 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05578 , H01L2224/05582 , H01L2224/05638 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/05687 , H01L2224/1319 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/1613 , H01L2224/16145 , H01L2224/17505 , H01L2224/17517 , H01L2224/26145 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32058 , H01L2224/32112 , H01L2224/3213 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/33517 , H01L2224/48247 , H01L2224/73207 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/8185 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/01014 , H01L2924/0476 , H01L2924/01074 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Halbleiter-Gassensor auf der Basis eines integrierten Feldeffekttransistors mit einen Halbleiterkörper mit einer an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildeten Passivierungsschicht, der eine durch einen Spalt von einen Kanalbereich getrennte gassensitive Steuerelektrode aufweist und als Suspended Gate Feldeffekttransistor (SGFET) ausgebildet ist, oder die Steuerelektrode als eine erste Platte eines Kondensators mit Spalt angeordnet ist und eine zweite Platte des Kondensators mit einem Gate des als Capacitve Controlled ausgebildeten Feldeffekttransistors (CCFET) verbunden ist, und die Steuerelektrode eine Halbleiter-Trägerschicht mit einer aufliegenden Haftvermittlerschicht und einer auf der Haftvermittlerschicht aufliegenden gassensitiven Schicht aufweist, und mit einem Referenzpotential verschaltet ist, und die Oberfläche der gassensitiven Schicht dem Kanalbereich oder der zweiten Platte zugewandt ist, und ein Stützgebiet mit einer ersten Tragstruktur mit einem ersten Auflagebereich und einer zweiten Tragstruktur mit einem zweiten Auflagebereich vorgesehen ist, wobei auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Anschlussgebiet vorgesehen ist und das Stützgebiet innerhalb des Anschlussgebletes angeordnet ist, und das Anschlussgeblet einen ersten Anschlussberelch und einen zweiten Anschlussbereich aufweist und der erste Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines ersten Verbindungsmittels eine elektrische Verbindung und eine kraftschlüssige Verbindung aufweist und der zweiten Anschlussbereich mit der Steuerelektrode mittels eines zweiten Verbindungsmittels wenigstens eine kraftschlüssige Verbindung aufweist.

14. 发明公开

EP2857833A3 Schichtsystem 有权转让
标题翻译：层系统
公开(公告)号：EP2857833A3
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：EP14003406.7
申请日：2014-10-02
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Zimmermann, Dominik
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4143 , G01N27/4146 , Y10T428/24802 , Y10T428/24926
摘要： Schichtsystem mit einem Schichtbereich, wobei der Schichtbereich ein monokristallines Siliziumsubstrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite aufweist und wobei auf der Vorderseite eine texturierte Oberfläche ausgebildet ist und die texturierte Oberfläche eine Topographie mit unterschiedlichen Höhen aufweist und auf der texturierten Oberfläche eine Dünnfilmschicht aus einem Metalloxid und / oder einer Oxidkeramik ausgebildet ist, wobei die Dünnfilmschicht die texturierte Oberfläche nur teilweise bedeckt.

15. 发明公开

EP2006668A1 Gassensor 有权
公开(公告)号：EP2006668A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：EP07012222.1
申请日：2007-06-22
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： G01N27/414 , G01N27/00
CPC分类号： G01N27/4143
摘要： Ein Gassensor (1) hat mindestens eine gassensitive Schicht (7), die wenigstens einen Oberflächenbereich (9) aufweist, in dem die Austrittsarbeit von der Konzentration eines mit dem Oberftachenbereich (9) in Kontakt bringbaren Zielgases abhängig ist. Über einen Luffspalt (8) ist mindestens ein elektrischer Potentialsensor kapazitiv an den Oberflächenbereich (9) gekoppelt. Der Oberflächenbereich (9) der gassensitiven Schicht (7) ist von einer für das Zielgas inerten, elektrisch isolierenden Beschichtung (18) überdeckt, die haftend mit der gassensitiven Schicht (7) verbundenen ist. Die Beschichtung (18) ist derart ausgestaltet, dass sie für das Zielgas durchlässlg ist und dass dass sie bei einem Kontakt des Zielgases mit dem Oberflächenbereich der gassensitiven Schicht eine Veränderung des Bindungszustands von an den Oberflächenbereich gebundenen, sich vom Zielgas unterscheidenden Atomen und/oder Molekülen, verhindert oder zumindest erschwert. ( Fig. 1 )
摘要翻译：气体传感器（1）具有气体敏感层（7），其包括表面积（9），其中目标气体的浓度，特别是氢气的电子亲和力与表面积接触。气体敏感层的表面积被电绝缘涂层（18）覆盖，特别是用于惰性目标气体的硅烷。气敏层由铂或钯制成。硅原子与氯结合成电负性气体原子。

16. 发明授权

EP1753027B1 Monolithische Anordnung, insbesondere integrierte Schaltung, mit einer floatenden Elektrode 有权转让
标题翻译：单片组件，特别是集成电路，具有浮动电极
公开(公告)号：EP1753027B1
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：EP06016695.6
申请日：2006-08-10
申请人： Micronas GmbH
发明人： Wilbertz, Christoph , Frerichs, Heinz-Peter
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式