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    • 109. 发明公开
    • Verfahren zur Untersuchung von einkristallinem Material auf Ausscheidungen von Fremdphasen
    • Verfahren zur Untersuchung von einkristallinem Material auf Ausscheidungen von Fremdphasen。
    • EP0468609A2
    • 1992-01-29
    • EP91250204.4
    • 1991-07-23
    • Deutsches Elektronen-Synchrotron DESYHahn-Meitner-Institut Berlin Gesellschaft mit beschränkter Haftung
    • Schneider, JochenGraf, Hans Anton
    • G01N23/207
    • G01N23/207
    • 57 Bei der Herstellung und Bearbeitung von einkristallinem Material ist es wichtig, Abweichungen von der idealen Kristallstruktur erfassen zu können. Benötigt werden Angaben zur Dichte und mittleren Ausdehnung von Fremdphasen-Ausscheidungen.
      Die Durchstrahlung diskreter Kristallbereiche mit Wellen- oder Teilchenstrahlen, Erfassung der Intensitätsverteilung der unter Bragg-Bedingungen gebeugten Strahlen und Bestimmung statischer Debye-Waller-Faktoren soll universell, bei unterschiedlichen Probendicken, mit hoher Auflösung und Flexibilität bezüglich Wellenlängen-Änderungen automatisiert erfolgen. Hierzu werden eine Variation des Einfallswinkels der Strahlen zu den beugenden Netzebenen und die Messung des Reflexionsvermögens mittels eines Photonen- bzw. Teilchen-Detektors ausgeführt und das integrale Reflexionsvermögen R, nt bestimmt. Schwenken der Probe um eine Achse, die senkrecht auf beugenden Netzebenen steht, führt zu einer Variation der Probendicke. R, nt wird in Abhängigkeit von der Probendicke erfaßt. Aus der gemessenen Abhängigkeit, an eine theoretische Funktion angepaßt, ergibt sich der statische Debye-Waller-Faktor und bei Messung mehrerer Beugungsordnungen die Dichte bzw. Zahl sowie die mittlere Ausdehnung der Ausscheidungen.
      Wichtige Anwendungen liegen in der in-situ Bestimmung von Fremdphasen-Ausscheidungen, in Untersuchungen von Si-Wafern, die ortsabhängig nach Dichte und Größe von Si0 2 -Ausscheidungen karthographiert werden können, und dergleichen.
    • 在生产和加工单晶材料时,重要的是能够检测到与理想晶体结构的偏差。 需要关于外相沉淀物的密度和平均程度的信息。 ... <?>目的是自动执行具有波或粒子束的离散晶体区域的照射,在布拉格条件下衍射的光束的强度分布的测量以及对于不同样品厚度普遍地确定静态德拜沃勒因子 相对于波长变化具有高分辨率和灵活性。 为此,光束相对于衍射晶格面的入射角变化,用光子或粒子检测器测量反射率,并确定积分反射率Rint。 围绕垂直于衍射晶格面的轴旋转样品导致样品厚度的变化。 Rint作为样品厚度的函数进行测量。 当与理论函数匹配时,测量的依赖性产生静态德拜沃勒因子,并且如果测量出几个衍射级,则沉淀物的密度或数量和平均程度。 ...重要的应用是在Si晶片的研究中的外来析出物的原位测定,其可以根据SiO 2沉淀物的密度和尺寸等在位置上进行拓扑图的映射。 ... ...