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91. 发明公开

EP0341000A3 Gated turn-off semiconductor device 失效
标题翻译：闭合半导体器件
公开(公告)号：EP0341000A3
公开(公告)日：1990-08-01
申请号：EP89304349.7
申请日：1989-04-28
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Baliga, Bantval Jayant
IPC分类号： H01L29/745 , H01L29/32 , H01L29/167 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/102 , H01L21/26506 , H01L29/1016 , H01L29/7455
摘要： In a depletion mode thyristor of the type including a regenerative portion (32,34,36,38) and a non-regenerative portion (32,34,34a,36a), the turn-off time for the thyristor is substantially reduced without producing a corresponding increase in the on-resistance of the device by providing a region of relatively low carrier lifetime (34a) in the non-regenerative portion of the device in the layer (34) or layers in which charge storage limits the turn-off time for the device. Turn-off of the thyristor is accomplished by pinching off the regenerative portion, thereby diverting current into the low carrier lifetime non-regenerative portion.

92. 发明公开

EP0329993A3 Thyristor mit geringer Ansteuerleistung 失效
标题翻译：小型驱动电源
公开(公告)号：EP0329993A3
公开(公告)日：1990-03-21
申请号：EP89101833.5
申请日：1989-02-02
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Herberg, Helmut, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/743
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/7428 , H01L29/749
摘要： Thyristor mit einer Mehrzahl von Basisgebieten (4a, 4b) und in diese jeweils eingebetteten Emittergebieten (5a, 5b), bei dem jedem Basisgebiet (4a) ein erster Feldeffekttransistor (T1) zugeordnet ist, der bei Zuführung eines Zündspannungsimpulses (32) an seine Gateelektrode (13) einen Zündstromkreis für das in das Basisgebiet (4a) eingefügte Emittergebiet (5a) einschaltet, und bei dem in jedes Basisgebiet (4a) ein weiterer Feldeffekttransistor (T3) eingefügt ist, der bei Zuführung eines Löschspannungsimpulses (35) an seine Gateelektrode (23) einen Emitter-Basis-Kurzschluß zur Überbrückung des das eingebettete Emittergebiet (5a) begrenzenden pn-Übergangs wirksam schaltet.
摘要翻译：晶闸管具有埋入其中的每一个中的多个基极区域（4a，4b）和发射极区域（5a，5b），其中每个基极区域（4a）具有第一场效应晶体管（T1），当触发将电压脉冲（32）施加到其栅电极（13），接通嵌入在基极区域（4a）中的发射极区域（5a）的触发电流电路，并且其中嵌入每个基极区域（4a）另外的场效应晶体管（T3）当复位电压脉冲（35）施加到其栅极（23）时，激活发射极 - 基极短路以分流限定嵌入的发射极区域（5a）的pn结。

93. 发明公开

EP0329992A3 Abschaltbarer Thyristor mit geringer Ansteuerleistung 失效
标题翻译：小型驱动电源断路器
公开(公告)号：EP0329992A3
公开(公告)日：1990-03-21
申请号：EP89101832.7
申请日：1989-02-02
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Türkes, Peter, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/743 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/0615 , H01L29/742 , H01L29/7428 , H01L29/7455 , H01L29/749
摘要： Thyristor mit einem oder mehreren Basisgebieten (4a) und in diese eingebetteten Emittergebieten (5a-5c), bei dem jedem Basisgebiet (4a) ein Feldeffekttransistor eines ersten Kanaltyps (T1) randseitig zugeordnet ist, der bei Zuführung eines Zündspannungsimpules (38) einer ersten Polarität an seine Gateelektrode (14) einen Zündstromkreis einschaltet, und bei dem den Emittergebieten (5c) jeweils Feldeffekttransistoren eines zweiten Kanaltyps (T2) zugeordnet sind, die bei Zuführung eines Löschspannungsimpulses (41) einer zweiten Polarität jeweils Emitter-Basis-Kurzschlüsse (42) wirksam schalten, die den Thyristor abschalten. Die Ansteuerung sämtlicher Feldeffekttransistoren (T1, T2) erfolgt über einen gemeinsamen Steuereingang (16).
摘要翻译：晶闸管具有嵌入后者的一个或多个基极区域（4a）和发射极区域（5a-5c），其中每个基极区域（4a）在周边具有第一沟道型（T1）的场效应晶体管，其切换在将第一极性的触发电压脉冲（38）施加到其栅电极（14）上并且其中发射极区域（5c）各自具有第二通道类型（T2）的场效应晶体管的触发电流电路上，当施加第二极性的复位电压脉冲（41）时，每个激活关断晶闸管的发射极 - 基极短路（42）。所有场效应晶体管（T1，T2）通过公共控制输入（16）驱动。

94. 发明公开

EP0329993A2 Thyristor mit geringer Ansteuerleistung 失效
标题翻译： Thyristor mit geringer Ansteuerleistung。
公开(公告)号：EP0329993A2
公开(公告)日：1989-08-30
申请号：EP89101833.5
申请日：1989-02-02
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Herberg, Helmut, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/743
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/7428 , H01L29/749
摘要： Thyristor mit einer Mehrzahl von Basisgebieten (4a, 4b) und in diese jeweils eingebetteten Emittergebieten (5a, 5b), bei dem jedem Basisgebiet (4a) ein erster Feldeffekttransistor (T1) zugeordnet ist, der bei Zuführung eines Zündspannungsimpulses (32) an seine Gateelektrode (13) einen Zündstromkreis für das in das Basisgebiet (4a) eingefügte Emittergebiet (5a) einschaltet, und bei dem in jedes Basisgebiet (4a) ein weiterer Feldeffekttransistor (T3) eingefügt ist, der bei Zuführung eines Löschspannungsimpulses (35) an seine Gateelektrode (23) einen Emitter-Basis-Kurzschluß zur Überbrückung des das eingebettete Emittergebiet (5a) begrenzenden pn-Übergangs wirksam schaltet.
摘要翻译：晶闸管具有埋入其中的每一个中的多个基极区域（4a，4b）和发射极区域（5a，5b），其中每个基极区域（4a）具有第一场效应晶体管（T1），当触发将电压脉冲（32）施加到其栅电极（13），接通嵌入在基极区域（4a）中的发射极区域（5a）的触发电流电路，并且其中嵌入每个基极区域（4a）另外的场效应晶体管（T3）当复位电压脉冲（35）施加到其栅极（23）时，激活发射极 - 基极短路以分流限定嵌入的发射极区域（5a）的pn结。

95. 发明授权

EP0106059B1 Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren Thyristor 失效
标题翻译：半导体开关与门开关THYRISTOR
公开(公告)号：EP0106059B1
公开(公告)日：1987-11-25
申请号：EP83107965.2
申请日：1983-08-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Herberg, Helmut, Dr.
IPC分类号： H03K17/73 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/742 , H01L29/102 , H01L29/7455 , H03K17/732

96. 发明公开

EP0159663A3 High-density V-groove MOS-controlled thyristors, insulated-gate transistors, and MOSFETs, and methods for fabrication 失效
标题翻译：高密度V沟道MOS控制晶体管，绝缘栅晶体管和MOSFET，以及制造方法
公开(公告)号：EP0159663A3
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：EP85104645
申请日：1985-04-17
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Temple, Victor Albert Keith
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/74 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66348 , H01L29/66378 , H01L29/7397 , H01L29/7455 , H01L29/749
摘要： Various vertical-channel MOS-gated power semiconductor devices attain a high current capacity through minimization of various lateral distances within the devices and also attain essentially minimum cell size. Processes for fabricating these devices employ a first mask to define both the location of a channel-terminating upper electrode region and the location of a V-groove, thereby avoiding any mask alignment at this point in the process. In one embodiment, the first mask comprises silicon nitride, and is eventually removed. In another embodiment, the first mask comprises molybdenum silicide, and remains in the device structure to ultimately serve as the upper main electrode. Two different techniques are employed for opening contact windows through the polysilicon gate electrode material, and different structures result. In one of these, a plurality of short windows are provided generally at right angles to the V-grooves.

97. 发明授权

EP0039943B1 Thyristor mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb 失效
标题翻译：具有可控制的发射器短路的控制器及其操作过程
公开(公告)号：EP0039943B1
公开(公告)日：1983-06-22
申请号：EP81103603.7
申请日：1981-05-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Patalong, Hubert, Dr.
IPC分类号： H01L29/743 , H01L29/08 , H01L29/52
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/42308 , H01L29/742

98. 发明公开

EP2682989A4 THYRISTOR FOR CONTROLLING TWO TYPES OF CHARGE CARRIERS 审中-公开
公开(公告)号：EP2682989A4
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：EP11859732
申请日：2011-12-08
申请人： UNIV OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
发明人： CHEN XINGBI
IPC分类号： H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/08 , H01L29/745 , H01L29/749
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/0839 , H01L29/749
摘要： A thyristor for controlling two types of charge carriers. Two controllable current sources (200, 300) are utilized to control an electron current and a hole current when a voltage resistance region of the thyristor conducts, so that the total current between the anode and the cathode of the thyristor tends to be saturated under a high voltage, thereby avoiding the current concentration effect in individual regions and improving the reliability of the thyristor. A method for implementing the two controllable current sources (200, 300) in the thyristor, and methods for accelerating an on-to-off process and an off-to-on process of the thyristor are all provided.

99. 发明公开

EP3033771A1 EDGE TERMINATION TECHNIQUE FOR HIGH VOLTAGE POWER DEVICES 有权
标题翻译： EDGINGPROFILE工艺要求高电压权力安排
公开(公告)号：EP3033771A1
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：EP14733491.6
申请日：2014-06-10
申请人： Cree, Inc.
发明人： VAN BRUNT, Edward, Robert , PALA, Vipindas , CHENG, Lin , AGARWAL, Anant, Kumar
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/24
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/0475 , H01L21/322 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/732 , H01L29/7455 , H01L29/749 , H01L29/7811 , H01L29/7823 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Embodiments of a semiconductor die having a semiconductor device implemented on the semiconductor die and an edge termination structure around a periphery of the semiconductor device and methods of fabricating the same are disclosed. In one embodiment, a semiconductor die includes a semiconductor device and an edge termination structure around a periphery of the semiconductor device, where the edge termination structure includes negative features (e.g., trenches and/or divots) that vary dose in a corresponding edge termination region to approximate a desired dose profile. In one embodiment, the desired dose profile is a substantially decreasing or substantially linearly decreasing dose from an edge of a main junction of the semiconductor device to an edge of the edge termination region. In this manner, electric field crowding at the edge of the main junction of the semiconductor device is substantially reduced, which in turn substantially improves a break-down voltage of the semiconductor device.

100. 发明公开

EP2779243A1 Power semiconductor device and corresponding module 审中-公开
标题翻译： Leistungshalbleiteranordnung und entsprechendes Modul
公开(公告)号：EP2779243A1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：EP13158958.2
申请日：2013-03-13
申请人： ABB Technology AG
发明人： Rahimo, Munaf
IPC分类号： H01L29/745 , H01L29/749 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/7455 , H01L29/0696 , H01L29/1016 , H01L29/102 , H01L29/749
摘要： A power semiconductor device (1) of the emitter switched thyristor (EST) type comprising an emitter electrode (2) and a collector electrode (25) on opposite sides (22, 27) of a wafer (10),
wherein a gate electrode (7) arranged on the emitter side (22) comprises a conductive gate layer (72) and an insulating layer (74),
wherein layers are arranged in the following order between the collector and emitter sides (27, 22):
a p doped collector layer (6), an n- doped drift layer (5), a p doped base layer (4) and n+ doped first and second emitter layers (3, 35),
wherein the emitter electrode (2) contacts the first emitter layer (3), wherein the second emitter layer (35) is insulated from the emitter electrode (2) by the insulating layer (74) and wherein the second emitter layer (35) is separated from the first emitter layer (3) by the base layer (4),
wherein an IGBT channel (100) is formable from the first emitter layer (3) via the base layer (4) to the drift layer (5),
wherein a thyristor channel (120) is formable from the second emitter layer (35) via the base layer (4) to the drift layer (5),
wherein a MOS channel (140) is formable from first emitter layer (3) via the base layer (4) to the second emitter layer (35).
摘要翻译：发射极开关晶闸管（EST）型的功率半导体器件（1）包括在晶片（10）的相对侧（22,27）上的发射极（2）和集电极（25），其中栅电极布置在发射极侧（22）上的电荷层（7,7）包括导电栅极层（72）和绝缘层（74），其中层在集电极和发射极侧（27,22）之间按照以下顺序排列：（6），n掺杂漂移层（5），ap掺杂基底层（4）和n +掺杂的第一和第二发射极层（3,35），其中发射电极（2）接触第一发射极层（3），其中所述第二发射极层（35）通过所述绝缘层（74）与所述发射极（2）绝缘，并且其中所述第二发射极层（35）通过所述基极层（4）与所述第一发射极层（3）分离），其中IGBT通道（100）可从第一发射极层（3）通过基极层（4）形成到漂移层（5），其中晶闸管 nFET（120）可以从第二发射极层（35）经由基极层（4）形成到漂移层（5），其中MOS沟道（140）可以经由基极层（...）从第一发射极层（3） 4）到第二发射极层（35）。

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