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    • 4. 发明公开
    • 用于制造埋层层结构的方法和相应的埋层层结构
    • CN116349005A
    • 2023-06-27
    • CN202180072460.3
    • 2021-10-25
    • 罗伯特·博世有限公司
    • H·韦伯M·施瓦茨
    • H01L21/763
    • 本发明提出一种用于制造埋层层结构的方法和一种相应的埋层层结构。所述方法具有步骤:提供由衬底材料构成的、第一导电类型(n)的单晶衬底(S),所述单晶衬底具有上侧(O)和下侧(S);在所述上侧(O)中或者在所述单晶衬底(S)的上侧(O)上的框架结构(MS)中形成至少一个凹陷部(V),所述凹陷部具有至少一个壁区域(W)和底部(B),其中,所述单晶衬底(S)至少在所述至少一个凹陷部(V)的底部(B)处裸露;在所述至少一个凹陷部(V)和所述至少一个凹陷部(V)的外围区域中形成由所述衬底材料构成的、第二导电类型(p)的第一层(P1),所述第二导电类型的第一层至少在所述单晶衬底(S)的裸露的上侧(O)上在所述凹陷部(V)的底部(B)处单晶地形成;在所述第二导电类型(p)的第一层(P1)上外延生长由所述衬底材料构成的、所述第一导电类型(n)的至少一个第一层(N1),所述第一导电类型的至少一个第一层在所述第一层(P1)的单晶区域上单晶地生长,以至少区域式地填充所述凹陷部(V);将得到的结构背面减薄,从而所述第二导电类型(p)的第一层(P1)形成第一埋层并且所述第一导电类型(n)的第一层(N1)形成集成式电路元件(SE1)的第一形成区域,所述第一形成区域至少区域式地盆形地被所述第一埋层层结构包围。