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1. 发明公开

CN111511087A 用于形成和保持高性能FRC的系统和方法有权
公开(公告)号：CN111511087A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010259302.6
申请日：2015-10-30
申请人：阿尔法能源技术公司
发明人： M.宾德鲍尔 , E.加拉特 , S.普特文斯基 , H.戈塔
IPC分类号： H05H1/08 , H05H1/14 , H05H3/00 , G21B1/05
摘要：本发明涉及形成和保持高性能FRC的系统和方法。高性能场反向位形（FRC）系统包括中央约束容器、联接到容器的两个直径相对的反场角向箍缩形成部段，以及联接到形成部段的两个偏滤器腔室。磁性系统包括沿FRC系统部件轴向定位的准直流线圈、约束腔室和形成部段之间的准直流镜线圈以及形成部段和偏滤器之间的镜堵漏部。形成部段包括模块化脉冲式功率形成系统。FRC系统还包括中性原子束注入器、弹丸或CT注入器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。束注入器有角度地朝向腔室的中间平面。在操作中，包括等离子体热能、总粒子数、半径和俘获磁通量的FRC等离子体参数在中性束注入期间能够维持在恒定值或恒定值附近而不衰变。

2. 发明授权

CN111511087B 用于形成和保持高性能FRC的系统和方法有权
公开(公告)号：CN111511087B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010259302.6
申请日：2015-10-30
申请人：阿尔法能源技术公司
发明人： M.宾德鲍尔 , E.加拉特 , S.普特文斯基 , H.戈塔
IPC分类号： H05H1/08 , H05H1/14 , H05H3/00 , G21B1/05
摘要：本发明涉及形成和保持高性能FRC的系统和方法。高性能场反向位形（FRC）系统包括中央约束容器、联接到容器的两个直径相对的反场角向箍缩形成部段，以及联接到形成部段的两个偏滤器腔室。磁性系统包括沿FRC系统部件轴向定位的准直流线圈、约束腔室和形成部段之间的准直流镜线圈以及形成部段和偏滤器之间的镜堵漏部。形成部段包括模块化脉冲式功率形成系统。FRC系统还包括中性原子束注入器、弹丸或CT注入器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。束注入器有角度地朝向腔室的中间平面。在操作中，包括等离子体热能、总粒子数、半径和俘获磁通量的FRC等离子体参数在中性束注入期间能够维持在恒定值或恒定值附近而不衰变。

3. 发明授权

CN107006110B 用于形成和保持高性能FRC的系统和方法有权
公开(公告)号：CN107006110B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201580059262.8
申请日：2015-10-30
申请人：阿尔法能源技术公司
发明人： M.宾德鲍尔 , E.加拉特 , S.普特文斯基 , H.戈塔
IPC分类号： H05H1/14 , H05H1/16 , H05H3/00 , H05H1/08
摘要：一种高性能场反向位形（FRC）系统包括中央约束容器、联接到容器的两个直径相对的反场角向箍缩形成部段，以及联接到形成部段的两个偏滤器腔室。磁性系统包括沿FRC系统部件轴向定位的准直流线圈、约束腔室和形成部段之间的准直流镜线圈以及形成部段和偏滤器之间的镜堵漏部。形成部段包括模块化脉冲式功率形成系统，从而使得能够实现FRC的静态和动态形成和加速。FRC系统还包括中性原子束注入器、弹丸或CT注入器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。束注入器优选地有角度地朝向腔室的中间平面。在操作中，包括等离子体热能、总粒子数、半径和俘获磁通量的FRC等离子体参数在中性束注入期间能够维持在恒定值或恒定值附近而不衰变。

4. 发明公开

CN107006110A 用于形成和保持高性能FRC的系统和方法有权
公开(公告)号：CN107006110A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580059262.8
申请日：2015-10-30
申请人： TRI 阿尔法能源公司
发明人： M.宾德鲍尔 , E.加拉特 , S.普特文斯基 , H.戈塔
IPC分类号： H05H1/14 , H05H1/16 , H05H3/00 , H05H1/08
摘要：一种高性能场反向位形（FRC）系统包括中央约束容器、联接到容器的两个直径相对的反场角向箍缩形成部段，以及联接到形成部段的两个偏滤器腔室。磁性系统包括沿FRC系统部件轴向定位的准直流线圈、约束腔室和形成部段之间的准直流镜线圈以及形成部段和偏滤器之间的镜堵漏部。形成部段包括模块化脉冲式功率形成系统，从而使得能够实现FRC的静态和动态形成和加速。FRC系统还包括中性原子束注入器、弹丸或CT注入器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。束注入器优选地有角度地朝向腔室的中间平面。在操作中，包括等离子体热能、总粒子数、半径和俘获磁通量的FRC等离子体参数在中性束注入期间能够维持在恒定值或恒定值附近而不衰变。

5. 发明公开

CN1862252A X射线人体安检装置无效
公开(公告)号：CN1862252A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200510025733.1
申请日：2005-05-11
申请人：公安部第三研究所 , 云南省公安厅禁毒局
发明人：谢裕康 , 陈新民 , 陈嘉敏 , 尤晓明 , 富庆
IPC分类号： G01N23/083 , A61B6/12 , H05G1/02 , H05H1/08
摘要：本发明公开了一种X射线人体安检装置，包括一个X射线发生器、一个与该X射线发生器相对的X射线接收装置以及一个与该X射线发生器和该X射线接收装置相连的图像处理装置，该X射线发生器前端设有一个用于吸收波长大于特征波长的X射线的滤片。本发明可用于人体安检，并且辐射剂量低、成像质量较好。

6. 发明专利

JPH05315095A PLASMA DEVICE PROVIDED WITH PLASMA EVALUATING DEVICE 失效
公开(公告)号：JPH05315095A
公开(公告)日：1993-11-26
申请号：JP11564992
申请日：1992-05-08
申请人： HITACHI SCIENCE SYSTEMS LTD
发明人： KAWAZOE SHIGEYOSHI , NONAKA HIROTAKA , MUTO HIROSHI , TAKABORI SAKAE
IPC分类号： B01J19/08 , C23F4/00 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/08 , H05H1/46
摘要： PURPOSE:To provide a plasma evaluating device of good operability by providing an incident means of light for spectromeasuring an in-plasma substance and a light receiving means of outgoing light from plasma, in a plasma discharge chamber. CONSTITUTION:Parallel plate electrodes 2, 3 are provided in a discharge chamber 1 exhausted to a predetermined vacuum by a vacuumizing device 18. O2 or the like is supplied from a gas inflow port 4, and high frequency voltage is applied to the electrode 2 through a terminal 13 to change the O2 into plasma. The electrode 3 is connected to the earth through a terminal 5. An Si wafer on the electrode 2 is ash formation corrosion engraved by plasma gas. Light of a light source 16 passes through- optical fibers 21, inserted in a strut 9, to outgo from an outgoing end 10, and the light is guided to a spectroscope 20 via a light receiving end 12, strut 11 and fibers 22, spectroanalyzed and recorded. A fiber end is vertically long arranged in the outgoing end 10 and the light receiving end 12, and throttles 25, 26 are respectively provided in the light source 16 and the spectroscope 20, so that vertical lengthwise arrangement of the fiber 22 is partially selected to measure component distribution and concentration distribution of a height position of the plasma. A leakage electromagnetic wave from the periphery of the discharge chamber is shielded by a grounded shield 8.

7. 发明授权

US11217351B2 Systems and methods for FRC plasma position stability 有权
公开(公告)号：US11217351B2
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：US15976532
申请日：2018-05-10
申请人： TAE TECHNOLOGIES, INC.
发明人： Jesus Antonio Romero Gonzalez
IPC分类号： G21B1/05 , G21B1/17 , H05H1/22 , H05H1/16 , H05H1/54 , G21B1/13 , H05H1/14 , G21B1/19 , G21B1/15 , H05H1/08
摘要： Systems and methods are provided that facilitate stability of an FRC plasma in both radial and axial directions and axial position control of an FRC plasma along the symmetry axis of an FRC plasma chamber. The systems and methods exploit an axially unstable equilibria of the FRC plasma to enforce radial stability, while stabilizing or controlling the axial instability. The systems and methods provide feedback control of the FRC plasma axial position independent of the stability properties of the plasma equilibrium by acting on the voltages applied to a set of external coils concentric with the plasma and using a non-linear control technique.

8. 发明专利

JP2019537001A マルチスケール捕捉タイプ真空ポンピングを用いた高性能FRCの改良された持続性のためのシステムおよび方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019537001A
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2019522247
申请日：2017-11-06
申请人：ティーエーイーテクノロジーズ, インコーポレイテッド
发明人：ヴァンドリー, アラン
IPC分类号： H05H1/08 , H05H1/22 , H05H1/14 , G21B1/13 , G21B1/15 , G21B1/05
摘要：本明細書に説明される主題は、概して、磁場反転配位(FRC)を有する磁気プラズマ閉じ込めシステムに関し、より具体的には、より具体的には、マルチスケール捕捉タイプ真空ポンピングを利用した、上昇されたシステムエネルギーおよび改良された持続性を伴う、FRCの形成および維持を促進する、システムおよび方法に関する。優れた安定性および粒子、エネルギー、および磁束閉じ込めを伴う、FRCの形成および維持を促進する、システムおよび方法であって、より具体的には、マルチスケール捕捉タイプ真空ポンピングを利用した、上昇されたシステムエネルギーおよび改良された持続性を伴う、FRCの形成および維持を促進する、システムおよび方法。

9. 发明专利

JP5717206B2 プラズマ生成システム、プラズマ生成方法、プラズマ閉じ込め方法有权
标题翻译：等离子体生成系统，等离子体产生方法，等离子体约束方法
公开(公告)号：JP5717206B2
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：JP2013000923
申请日：2013-01-08
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人：ノーマンロストカー , ミヒルビンデルバウアー , フランクウェッセル , チュンアレックス , ビタリービストリツキー , ユアンシュソン , マイケルアンダーソン , エウセビオガラト , アランバンドリー
IPC分类号： H05H1/08 , G21B1/05
CPC分类号： G21B1/052 , G21B1/05 , Y02E30/122 , Y02E30/126

10. 发明专利

JP2014175495A Light source for semiconductor lithography 审中-公开
标题翻译：用于半导体光刻的光源
公开(公告)号：JP2014175495A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013047227
申请日：2013-03-08
申请人： Kansai Univ , 学校法人関西大学
发明人： ONISHI MASAMI , WAHEED HUGHGLASS
IPC分类号： H01L21/027 , H05G2/00 , H05H1/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light source for lithography which allows for generation of high temperature, high density plasma, while recovering debris occurring with development of plasma effectively.SOLUTION: A light source for semiconductor lithography generating light of short wavelength for patterning a circuit on a semiconductor wafer includes a light source body having an outer peripheral wall defining an internal space filled with stannane gas under a state of negative pressure, reverse magnetic field configuration generation means for generating a reverse magnetic field configuration in the internal space, in order to generate plasma via stannane gas in the internal space of the light source body, and debris recovery means for recovering debris occurring by generation of plasma in the internal space of the light source body.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于光刻的光源，其允许产生高温，高密度等离子体，同时有效地回收随着等离子体的发展而发生的碎片。解决方案：用于半导体光刻的光源，其产生短波长的光，用于图案化半导体晶片上的电路包括在负压状态下具有限定填充有锡烷气体的内部空间的外周壁的光源体，按顺序在内部空间中产生反向磁场结构的反向磁场结构生成装置以通过光源体的内部空间中的锡烷气体产生等离子体，以及碎片回收装置，用于回收通过在光源体的内部空间中产生等离子体而产生的碎片。

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