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1. 发明专利

MXPA04004361A METODOS PARA PROMOVER LA CAPTACION Y ACUMULACION NUCLEAR DE POLIAMIDAS EN CELULAS EUCARIOTICAS. 未知
公开(公告)号：MXPA04004361A
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：MXPA04004361
申请日：2002-11-07
申请人： PHARMACIA CORP
发明人： PHILLION DENISS P
IPC分类号： C12N1/00 , A61K31/275 , A61K31/40 , A61K31/495 , A61K38/00 , A61K45/00 , A61K48/00 , A61P43/00 , C12N15/63 , H01L00/00
摘要： Un metodo para potenciar la captacion celular y redistribucion de poliamidas reguladoras de genes a partir de areas extranucleares en celulas eucarioticas al nucleo de las mismas; el metodo consiste en administrar a las sellas eucarioticas un compuesto para transito molecular, el compuesto para transito molecular administrado afecta las trayectorias y mecanismos celulares que acumulan poliamidas en vesiculas citoplasmicas y/o poliamidas de eflujo de las regiones intracelulares de la celulas; el metodo tambien incluye la modificacion de poliamidas para que contengan radicales cargados negativamente o acidos en donde los radicales inhiben la acumulacion de poliamidas en lisosomas celulares; al afectar las trayectorias y mecanismos celulares, las poliamidas se redistribuyen en toda la celula, con lo cual se potencia la acumulacion nuclear de las poliamidas.

2. 发明授权

US5804509A Varying TEOS flow rate while forming intermetallic insulating layers in semiconductor devices 失效
标题翻译：在半导体器件中形成金属间绝缘层同时改变TEOS流速
公开(公告)号：US5804509A
公开(公告)日：1998-09-08
申请号：US610715
申请日：1996-03-04
申请人： Gyung-Su Cho
发明人： Gyung-Su Cho
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/40 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L00/00
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/31608 , H01L21/76801
摘要： Method of forming intermetallic insulating layers in semiconductor devices are disclosed, which not only have superior adhesion and homogeneous step coverage but also prevent the generation of voids due to the penetration of moisture. According to the method, metal interconnects are, first formed on the semiconductor substrate. Thereafter, a first insulating layer is formed to a thickness capable of sufficiently filling the spaces between the metal interconnects by reacting Tetraethylorthosilicate(TEOS) gas of a predetermined flow rate with O.sub.3 gas of a predetermined density in a CVD furnace. Next, a second insulating layer of a predetermined thickness is formed on the first insulating layer using the same furnace but by changing only the flow rate of TEOS.
摘要翻译：公开了在半导体器件中形成金属间绝缘层的方法，其不仅具有优异的粘合力和均匀的台阶覆盖度，而且还防止由于水分渗透而产生空隙。根据该方法，首先在半导体衬底上形成金属互连。此后，通过在CVD炉中反应预定流速的四乙基原硅酸盐（TEOS）气体和预定浓度的O 3气体，形成能够充分填充金属互连之间的空间的厚度的第一绝缘层。接下来，使用相同的炉在第一绝缘层上形成预定厚度的第二绝缘层，但是仅改变TEOS的流量。

3. 发明专利

MXPA05006827A DISPOSITIVOS DE MANEJO TERMICO DE GRAFITO FLEXIBLE. 未知
公开(公告)号：MXPA05006827A
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：MXPA05006827
申请日：2003-12-17
申请人： ADVANCED ENERGY TECH
发明人： SMALC MARTIN D
IPC分类号： F28D15/00 , C04B41/48 , F28D15/04 , F28F21/02 , H01L20060101 , H05K7/20 , H01L00/00
摘要： La invencion provee dispositivos de manejo termico construidos a partir de grafito flexible. En una modalidad, el dispositivo de manejo termico incluye una estructura de mecha dentro de una carcasa. En ciertas modalidades preferidas, la estructura de mecha esta compuesta de una masa de grafito expandido. En otra modalidad, la carcasa del dispositivo incluye grafito flexible y una estructura opcional de cable. En ciertas modalidades, la carcasa de grafito flexible es impermeable a fluidos. La invencion ademas incluye metodos para la elaboracion de los dispositivos de manejo termico antes mencionados.

4. 发明专利

MXPA05009393A DISPOSITIVO DE ALMACENAMIENTO DE CARGA ELECTRICA QUE TIENE CARACTERISTICAS DE POTENCIA MEJORADAS. 未知
公开(公告)号：MXPA05009393A
公开(公告)日：2006-02-28
申请号：MXPA05009393
申请日：2004-03-04
申请人： DUFF WILLIAM B JR
发明人： DUFF WILLIAM B JR
IPC分类号： H01L20060101 , H01M4/58 , G03G5/02 , G11B7/249 , G11B7/257 , H01G4/005 , H01G4/01 , H01G4/012 , H01G9/04 , H01G9/048 , H01L27/08 , H01M4/66 , H01M4/78 , H01M8/02 , H01L00/00
摘要： La presente invencion se refiere de manera general a un dispositivo de almacenamiento de carga electrica (ECSD) con caracteristicas de potencia mejoradas; mas particularmente, la presente invencion se refiere a mejorar la densidad de corriente, la clasificacion de voltaje, las caracteristicas de transferencia de potencia, la respuesta de frecuencia y la densidad de almacenamiento de carga de diversos dispositivos, tales como capacitores, baterias, celdas de combustible y otros dispositivos de almacenamiento de carga electrica; por ejemplo, un aspecto de la presente invencion se refiere a capacitores de estado solido y electrolitico, en donde el area de superficie conductora es incrementada con estructuras suaves, mediante las cuales se reduce la distancia que separa los conductores, y mejorar las caracteristicas dielectricas efectivas empleando tecnicas de construccion a niveles atomico, molecular y macroscopico.

5. 发明专利

MXPA05009306A SISTEMA DE ILUMINACION DE COMBINACION DE COLOR INCREMENTAL QUE UTILIZA DIODOS EMISORES DE LUZ. 未知
公开(公告)号：MXPA05009306A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：MXPA05009306
申请日：2004-04-08
申请人： MATTEL INC
发明人： LISTER STEPHEN
IPC分类号： H05B37/02 , H05B44/00 , H01L00/00
摘要： Una pluralidad de LEDs de color esta acoplada de manera comun a una fuente de suministro de operacion. Una pluralidad de transistores de conmutacion y resistores limitadores de corriente en serie con los mismos estan acoplados a los LEDs de color par controlar la corriente a traves de estos en respuesta a la conduccion del transistor de conmutacion. Un microcontrolador que tiene una senal de entrada y una pluralidad de salidas configuradas en respuesta a la misma esta acoplado de manera operativa a la pluralidad de transistores de conmutacion para controlar la conduccion y por lo tanto la salida de iluminacion de los LEDs de color para lograr combinacion de color incremental.

6. 发明专利

MXPA04012476A ARREGLO DE ENERGIA PROTEGIDA DE MICROCIRCUITO DE DOBLE VOLTAJE. 未知
公开(公告)号：MXPA04012476A
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：MXPA04012476
申请日：2003-04-25
申请人： THOMSON LICENSING SA
发明人： WILLIAM JOHN TESTIN
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/02 , H01L27/06 , H02H9/04 , H03K19/003 , H01L00/00 , H02H9/00
摘要： Un microcircuito incluye un nucleo y otras porciones, el cual recibe voltajes diferentes de suministro de fuentes dispares. Un circuito de proteccion de descarga electrostatica (ESD) conecta en el interior las terminales de voltaje mas bajo y mas alto junto con un diodo, con polos de modo que el diodo conduce el suministro de voltaje nominalmente mas bajo cuando excede el suministro de voltaje mas alto. Cuando es suministro de alto voltaje falla o cuando cae por debajo del valor de suministro de bajo voltaje el diodo conduce la corriente y la misma se extrae en una proporcion que pueda sobrecalentar el microcircuito. Se proporciona un circuito de suspension para detectar el voltaje de la fuente de voltaje mas alto y suspender la fuente de voltaje mas bajo cada vez que la fuente de voltaje mas alto caiga por de bajo del voltaje real (en una modalidad o voltaje nominal (en otra modalidad) de la fuente del valor mas bajo.

7. 发明专利

MXPA04006740A REVESTIMIENTO SEMICONDUCTOR Y PROCESO DE APLICACION PARA ACCESORIOS ELASTOMERICOS BLINDADOS DE CABLE ELECTRICO. 未知
公开(公告)号：MXPA04006740A
公开(公告)日：2004-10-04
申请号：MXPA04006740
申请日：2003-01-09
申请人： THOMAS & BETTS INT
发明人： JOHN PAUL BOLCAR
IPC分类号： H01B9/02 , H01B3/28 , H01B3/44 , H02G1/14 , H02G15/08 , H02G15/103 , H02G15/184 , H01L00/00
摘要： Se provee un metodo para manufacturar un blindaje semiconductor aislante para un accesorio de cable electrico. El metodo incluye proporcionar un substrato que tenga un contorno deseado en relacion al accesorio del cable electrico. El substrato es luego revestido con un material elastomerico semiconductor para formar un substrato revestido. Un material elastomerico dielectrico aislante luego se moldea alrededor del substrato revestido, y el material elastomerico semiconductor y el material elastomerico dielectrico aislante son curados aplicando suficiente calor y presion para transferir el material elastomerico semiconductor al material elastomerico dielectrico aislante por union quimica.

8. 发明专利

MXPA02001605A RECIPIENTE CON ASA PARA ENVASADO EN CALIENTE. 未知
公开(公告)号：MXPA02001605A
公开(公告)日：2003-07-21
申请号：MXPA02001605
申请日：2000-08-09
申请人： GRAHAM PACKAGING CO
发明人： MOONEY MICHAEL R
IPC分类号： B65D1/02 , B65D8/12 , B65D23/10 , B65D79/00 , H01L00/00

9. 发明专利

MXPA05007492A CONDUCTORES DE ELECTRICIDAD DE FIBRAS DE TI4O7 Y TI5O9. 未知
公开(公告)号：MXPA05007492A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：MXPA05007492
申请日：2004-01-08
申请人： ADVANCED POWER DEVICES INC
发明人： ANDERSON JULIE M
IPC分类号： C01G23/00 , C01G27/02 , C04B33/32 , C04B35/622 , D01F9/08 , H01L20060101 , H01L00/00
摘要： Fibras solidas, conformadas y calcinadas de Ti4O7 y Ti5O9, son hechas mediante la ignicion, en una atmosfera de reduccion, de fibras TiO2. En un primer aspecto, las fibras de TiO2 son hechas mediante la extrusion en aire de un gel viscoso TiO2 y por tratamiento termico de las fibras verdosas resultantes para la remocion de solvente, descomposicion y volatilizacion de constituyentes no deseados, a efecto de formar fibras Ti4O7 y Ti5O9 refractarias y conductoras de electricidad. En un segundo aspecto, fibras solidas, conformadas y calcinadas de Ti4O7 y Ti5O9 son hechas por la calcinacion de fibras despues de su extrusion, a partir de mezclas de TiO2.

10. 发明专利

MXPA05006518A CIRCUITO DE IGNICION CON UN HUECO DE AIRE. 未知
公开(公告)号：MXPA05006518A
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：MXPA05006518
申请日：2003-11-14
申请人： COWAN THOMAS L
发明人： COWAN THOMAS L
IPC分类号： F02P3/06 , F02P3/08 , F02P3/10 , H01L20060101 , H01L00/00
摘要： Los sistemas de ignicion del tipo utilizado para encender un aceite combustible dificil de encender, utilizando energia almacenada en un capacitor a una ruptura para crear un arco de ignicion en los electrodos de una sonda de arco resistivo, teniendo una pelicula resistiva semi-conductora a traves de electrodos de chispa de la sonda de arco resistivo, disenado para evitar la interferencia de los contaminantes con la conduccion de un arco de ignicion a traves de una trayectoria de corriente establecida entre los electrodos de la sonda de arco resistivo. Un hueco de aire y una sonda de arco resistivo estan conectados en serie. Un primer suministro de energia de alto voltaje desarrolla un primer voltaje de corriente directa a traves de un capacitor, que es suministrado como un voltaje a traves del hueco de aire y la sonda de arco resistivo. Un segundo suministro de energia de alto voltaje suministra un segundo voltaje pulsado a traves del hueco de aire y la sonda de arco resistivo, en donde el segundo voltaje pulsado es substancialmente mayor que el primer voltaje de corriente directa, y el segundo voltaje pulsado salta el hueco del hueco de aire y de esta manera inicia un arco de ignicion. El primer voltaje de corriente directa es limitador de corriente permitiendo asi que el voltaje del capacitor se acerque a cero, y permitiendo asi que el hueco de aire deje de conducir, permitiendo asi que el ciclo se repita por si mismo. Un diodo esta colocado entre el segundo voltaje pulsado y el capacitor del primer suministro de energia de alto voltaje para aislar al capacitor del segundo voltaje pulsado. Un segundo capacitor se coloca paralelo a la sonda de arco resistivo para evitar que el segundo alto voltaje pulsado afecte la sonda de arco resistivo.

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