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1. 发明授权

CN1302555C 非易失性半导体存储单元结构及其制作方法失效转让
公开(公告)号：CN1302555C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN01134833.X
申请日：2001-11-15
申请人：力晶半导体股份有限公司
发明人：杨青松 , 沈士杰 , 徐清祥
IPC分类号： H01L27/112 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7885 , H01L29/792 , Y10S257/928
摘要：一种非易失性半导体存储单元结构及其制作方法，提供一基底，于基底中形成一浅第一型阱、一第二型阱以及一深第一型阱。接着在基底上形成堆栈栅。之后再形成源极与漏极。其中，源极的分布深度贯穿浅第一型阱并与第二型阱相连接，而漏极位于浅第一型阱表面处，且源极与漏极皆为第二型掺杂。

2. 发明公开

CN1841734A 半导体器件和其驱动方法失效
公开(公告)号：CN1841734A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071987.1
申请日：2006-03-31
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：汤川干央 , 浅见良信 , 野村亮二
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/00
CPC分类号： G11C13/0011 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , Y10S257/928
摘要：本发明提供了包括具有简单结构的存储器的半导体器件、便宜的半导体器件、其制备方法和驱动方法。一个特征在于，在具有包括有机化合物作为电介质的层的存储器中，通过施加电压到一对电极上，在所述电极对之间产生了由于体积突变(比如气泡形成)导致的状态变化。通过基于此状态变化的作用力，促进了在电极对之间的短路。具体而言，在所述存储元件中提供气泡形成区以在所述第一导电层和第二导电层之间形成气泡。

3. 发明公开

CN1420566A 非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法失效转让
公开(公告)号：CN1420566A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN01134833.X
申请日：2001-11-15
申请人：力旺电子股份有限公司
发明人：杨青松 , 沈士杰 , 徐清祥
IPC分类号： H01L27/112 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/7885 , H01L29/792 , Y10S257/928
摘要：一种非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法，提供一基底，于基底中形成一浅第一型阱、一第二型阱以及一深第一型阱。接着在基底上形成堆栈栅。之后再形成源极与漏极。其中，源极的分布深度贯穿浅第一型阱并与第二型阱相连接，而漏极位于浅第一型阱表面处，且源极与漏极皆为第二型掺杂。

4. 发明授权

CN100543988C 半导体器件和其驱动方法失效
公开(公告)号：CN100543988C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610071987.1
申请日：2006-03-31
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：汤川干央 , 浅见良信 , 野村亮二
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/00
CPC分类号： G11C13/0011 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , Y10S257/928
摘要：本发明提供了包括具有简单结构的存储器的半导体器件、便宜的半导体器件、其制备方法和驱动方法。一个特征在于，在具有包括有机化合物作为电介质的层的存储器中，通过施加电压到一对电极上，在所述电极对之间产生了由于体积突变(比如气泡形成)导致的状态变化。通过基于此状态变化的作用力，促进了在电极对之间的短路。具体而言，在所述存储元件中提供气泡形成区以在所述第一导电层和第二导电层之间形成气泡。

5. 发明授权

CN100479147C 具有一个集成加热元件的反熔断器结构失效转让
公开(公告)号：CN100479147C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510119438.2
申请日：2005-11-11
申请人：国际商业机器公司
发明人：朴炳柱 , 伊耶尔·苏布拉曼年 , 库坦达拉曼·昌德拉塞卡拉
IPC分类号： H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5252 , G11C17/165 , G11C2229/763 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10S257/928 , H01L2924/00
摘要：本发明提供具有一个集成电路元件的反熔断器结构以及把该熔断器编程为通状态的方法，该熔断器结构包含第一和第二导体和在两导体之间形成的一电介质层，其中一个导体或二个导体既起着常规反熔断器导体的作用，又起着在把反熔断器改变为通状态时直接加热反熔断器电介质层的作用。

6. 发明公开

CN1812086A 具有一个集成加热元件的反熔断器结构失效转让
公开(公告)号：CN1812086A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510119438.2
申请日：2005-11-11
申请人：国际商业机器公司
发明人：朴炳柱 , 伊耶尔·苏布拉曼年 , 库坦达拉曼·昌德拉塞卡拉
IPC分类号： H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5252 , G11C17/165 , G11C2229/763 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10S257/928 , H01L2924/00
摘要：本发明提供具有一个集成电路元件的反熔断器结构以及把该熔断器编程为通状态的方法，该熔断器结构包含第一和第二导体和在两导体之间形成的一电介质层，其中一个导体或二个导体既起着常规反熔断器导体的作用，又起着在把反熔断器改变为通状态时直接加热反熔断器电介质层的作用。

7. 发明申请

WO99040630A3 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A BIPOLAR TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE 审中-公开
标题翻译：具有双极晶体管的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO99040630A3
公开(公告)日：1999-10-28
申请号：PCT/IB1999/000171
申请日：1999-01-28
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/10 , H01L29/732 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/1004 , H01L29/7322 , Y10S257/927 , Y10S257/928
摘要： The invention relates to a semiconductor device comprising a preferably discrete bipolar transistor with a collector region (1), a base region (2), and an emitter region (3) which are provided with connection conductors (6, 7, 8). A known means of preventing a saturation of the transistor is that the latter is provided with a Schottky clamping diode. The latter is formed in that case in that the connection conductor (7) of the base region (2) is also put into contact with the collector region (1). In a device according to the invention, the second connection conductor (7) is exclusively connected to the base region (2), and a partial region (2B) of that portion (2A) of the base region (2) which lies outside the emitter region (3) and comprises a smaller flux of dopant atoms. The bipolar transistor in a device according to the invention is provided with a pn clamping diode which is formed between the partial region (2B) and the collector region (1). Such a device has excellent properties, such as a short switching time (ts) and a saturation collector-emitter voltage (VCEsat) which is not too high, while having a low, non-variable and well reproducible leakage current, unlike the known device. In a favourable modification, a region (4) provided simultaneously with the emitter region (3) is present between the partial region (2B) and the second connection conductor (7).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件，其包括具有集电极区域（1），基极区域（2）和设置有连接导体（6,7,8）的发射极区域（3））的优选分立的双极晶体管。防止晶体管饱和的已知方法是后者具有肖特基钳位二极管。在这种情况下，后者形成为基部区域（2）的连接导体（7）也与集电区（1）接触。在根据本发明的装置中，第二连接导体（7）专门连接到基部区域（2），并且基部区域（2）的部分（2A）的局部区域（2B）位于发射极区域（3）并且包括较小的掺杂剂原子通量。根据本发明的器件中的双极晶体管设置有形成在部分区域（2B）和集电极区域（1）之间的pn钳位二极管。这种器件具有优异的性能，例如开关时间短（ts）和饱和集电极 - 发射极电压（VCEsat），其不是太高，而具有低的，不可变的和良好重现的漏电流，与已知的器件不同。在有利的变型中，与发射极区（3）同时设置的区域（4）存在于部分区域（2B）和第二连接导体（7）之间。

8. 发明申请

WO9940630A2 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A BIPOLAR TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE 审中-公开
标题翻译：具有双极晶体管的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO9940630A2
公开(公告)日：1999-08-12
申请号：PCT/IB9900171
申请日：1999-01-28
申请人： KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV , PHILIPS SVENSKA AB
发明人： HURKX GODEFRIDUS A M , SCHLIGTENHORST HOLGER , SIEVERS BERND
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/10 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/1004 , H01L29/7322 , Y10S257/927 , Y10S257/928
摘要： The invention relates to a semiconductor device comprising a preferably discrete bipolar transistor with a collector region (1), a base region (2), and an emitter region (3) which are provided with connection conductors (6, 7, 8). A known means of preventing a saturation of the transistor is that the latter is provided with a Schottky clamping diode. The latter is formed in that case in that the connection conductor (7) of the base region (2) is also put into contact with the collector region (1). In a device according to the invention, the second connection conductor (7) is exclusively connected to the base region (2), and a partial region (2B) of that portion (2A) of the base region (2) which lies outside the emitter region (3), as seen in projection, lying below the second connection conductor (7) is given a smaller flux of dopant atoms. The bipolar transistor in a device according to the invention is provided with a pn clamping diode which is formed between the partial region (2B) and the collector region (1). Such a device has excellent properties, such as a short switching time (ts) and a saturation collector-emitter voltage (VCEsat) which is not too high, while having a low, non-variable and well reproducible leakage current, unlike the known device. The reduced flux of dopant atoms of the partial region (2B) is preferably realized in that the partial region (2B) is given a smaller doping concentration and/or thickness than the remainder (2A) of the portion of the base region (2) which lies outside the emitter region (3). In a favourable modification, a region (4) provided simultaneously with the emitter region (3) is present between the partial region (2B) and the second connection conductor (7).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件，其包括具有集电极区域（1），基极区域（2）和设置有连接导体（6,7,8）的发射极区域（3））的优选分立的双极晶体管。防止晶体管饱和的已知方法是后者具有肖特基钳位二极管。在这种情况下，后者形成为基部区域（2）的连接导体（7）也与集电区（1）接触。在根据本发明的装置中，第二连接导体（7）专门连接到基部区域（2），并且基部区域（2）的部分（2A）的局部区域（2B）位于发射极区域（3），如在投影中所看到的，位于第二连接导体（7）下方的给定较小的掺杂剂原子通量。根据本发明的器件中的双极晶体管设置有形成在部分区域（2B）和集电极区域（1）之间的pn钳位二极管。这种器件具有优异的性能，例如开关时间短（ts）和饱和集电极 - 发射极电压（VCEsat），其不是太高，而具有低的，不可变的和良好重现的漏电流，与已知的器件不同。优选地，实现部分区域（2B）的掺杂剂原子的减小的通量，其中部分区域（2B）被给予比基极区域（2）的部分的其余部分（2A）更小的掺杂浓度和/或厚度，其位于发射极区域（3）的外部。在有利的变型中，与发射极区域（3）同时设置的区域（4）存在于部分区域（2B）和第二连接导体（7）之间。

9. 发明专利

JPS6120338A Silicon wafer having back surface gettering and method of producing same 失效
标题翻译：具有背面面料的硅树脂及其制造方法
公开(公告)号：JPS6120338A
公开(公告)日：1986-01-29
申请号：JP14266585
申请日：1985-07-01
申请人： Eastman Kodak Co
发明人： GIRUBAATO ARAN HOOKINZU
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3221 , Y10S148/003 , Y10S148/024 , Y10S148/048 , Y10S148/06 , Y10S148/061 , Y10S148/071 , Y10S257/928 , Y10T428/26

10. 发明公开

EP0993087A1 System and method for the monolithic intergration of a light emitting device and a photodetector for low bias voltage operation 有权
标题翻译：的系统和方法的发光二极管器件的单片集成和低偏置电压操作用的光检测器
公开(公告)号：EP0993087A1
公开(公告)日：2000-04-12
申请号：EP99113806.6
申请日：1999-07-14
申请人： Hewlett-Packard Company
发明人： Babic, Dubravko I. , Corzine, Scott W.
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01S5/0264 , H01S5/0421 , H01S5/0427 , H01S5/183 , Y10S257/928
摘要： A light emitting device (120) and photodetector (110) combination having a structure where the layer of the photodetector (111) that contacts the light emitting device (120) has a semiconductor conductivity type polarity opposite that of the light emitting device. This configuration results in a light emitting device and photodetector structure that has a very low bias voltage requirement. Additionally, by shunting (255) any current flowing through the junction (215) formed where the light emitting device (120) meets the photodetector (110), the bias voltage requirement is further reduced.
摘要翻译：一种发光器件（120）和光检测器具有这样的结构（110）组合，其中光检测器（111）的层没有接触所述发光器件（120）具有半导体导电类型的极性相反的做了发光器件的。在发光器件和光电检测器结构这种构造导致确实具有非常低的偏置电压的要求。此外，通过分流（255）流过形成在所述结（215），其中所述发光器件（120）满足光电检测器（110）的任何电流时，偏置电压的要求进一步降低。

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