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1. 发明公开

CN101821195A 包括纳米结构的三维纳米器件无效
公开(公告)号：CN101821195A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110362.9
申请日：2008-05-19
申请人：韩国电子通信研究院
发明人：刘汉泳 , 金炳勋 , 金安顺 , 白寅福 , 阿七成 , 梁钟宪 , 朴赞佑 , 安昌根
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： H01J49/4205 , B81B7/0025 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N2291/0257 , H01J49/0018 , H01L29/0673 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03H2009/02314
摘要：本发明提供了一种包括三维纳米结构的三维(3D)纳米器件。三维纳米器件包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括浮在衬底之上的振荡部分和用于支撑振荡部分的两个长度方向端部的支撑部分；支撑件，该支撑件设置在衬底上以支撑每个纳米结构的支撑部分；至少一个控制器，其控制器设置在衬底的上部、衬底的下部、或者衬底的上部和下部，以控制每个纳米结构；以及检测单元，该检测单元设置在每个振荡部分上，以检测外部施加的吸附材料。由此，不同于典型的平面器件，可以减少在纳米器件和衬底之间产生的杂质并可以导致机械振动。尤其是，由于三维纳米器件具有机械和电特性，包括新的三维纳米结构的三维纳米器件可以利用纳米-电-机械系统(NEMS)提供。而且，不同于平面器件，利用简单过程可以形成单电子器件、自旋电子器件、或单电子晶体管-场效应晶体管(FET)混合器件。

2. 发明授权

CN101939906B 谐振体晶体管和振荡器失效
公开(公告)号：CN101939906B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN200880126205.7
申请日：2008-12-11
申请人：康奈尔大学
发明人： D·温斯坦 , S·A·巴韦
IPC分类号： H03B5/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H03B5/30 , H01L29/785 , H03H9/02259 , H03H9/2452 , H03H9/2463 , H03H2009/02314 , H03H2009/02496
摘要：一种谐振体，具有反转栅极、积累栅极和中心区域。所述谐振体还具有耦合至所述中心区域的源极触点，以及耦合至所述中心区域的漏极触点。所述谐振体还具有耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层。所述谐振体还具有耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。还公开了一种谐振体晶体管。所述谐振体晶体管具有反转栅极电极、积累栅极电极、源极电极、漏极电极以及多个锚梁。所述谐振体晶体管还具有谐振体，所述谐振体通过所述多个锚梁耦合至且悬挂于所述反转栅极电极、所述积累栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极。还公开了一种谐振体振荡器。

3. 发明公开

CN101939906A 谐振体晶体管和振荡器失效
公开(公告)号：CN101939906A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880126205.7
申请日：2008-12-11
申请人：康奈尔大学
发明人： D·温斯坦 , S·A·巴韦
IPC分类号： H03B5/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H03B5/30 , H01L29/785 , H03H9/02259 , H03H9/2452 , H03H9/2463 , H03H2009/02314 , H03H2009/02496
摘要：一种谐振体，具有反转栅极、积累栅极和中心区域。所述谐振体还具有耦合至所述中心区域的源极触点，以及耦合至所述中心区域的漏极触点。所述谐振体还具有耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层。所述谐振体还具有耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。还公开了一种谐振体晶体管。所述谐振体晶体管具有反转栅极电极、积累栅极电极、源极电极、漏极电极以及多个锚梁。所述谐振体晶体管还具有谐振体，所述谐振体通过所述多个锚梁耦合至且悬挂于所述反转栅极电极、所述积累栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极。还公开了一种谐振体振荡器。

4. 发明公开

CN107089639A MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管有权转让
公开(公告)号：CN107089639A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710086332.X
申请日：2017-02-17
申请人：格罗方德半导体公司
发明人： B·巴尔 , Z·克里沃卡皮奇
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0271 , H01L29/785 , H03H9/2405 , H03H2009/02314 , B81B7/02 , B81C1/00047 , H01L29/66795
摘要：本发明涉及MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、耦接至该半导体衬底的鳍片、在该等鳍片上的FinFET、用于该等FinFET的共栅极、在该半导体衬底上的介电层、以及在该等FinFET上面的互连结构，该介电层围绕空腔且该半导体衬底通过全内反射提供该声腔的底端约束，该互连结构包括用以将该空腔中的声能约束的(多个)声子晶体，包括合夹于两个介电层间的该空腔及(多个)金属层。该半导体衬底可在FinFET的FEOL制作期间，通过在半导体衬底的表面上形成空腔来实现。接着，在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互连结构。在形成该互连结构期间，该互连结构的材料用于形成用以将介于该声子晶体与该半导体衬底间的空腔约束的声子晶体。

5. 发明授权

CN105409018B 具有多栅极晶体管的压阻谐振器有权
公开(公告)号：CN105409018B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201380077058.X
申请日：2013-06-29
申请人：英特尔公司
发明人： R·金 , I·A·杨
IPC分类号： H01L41/22 , H02N2/02 , H01P7/00
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L27/0886 , H03H9/02259 , H03H9/17 , H03H9/2405 , H03H2009/02314
摘要：实施例包含：包含第一鳍的第一非平面晶体管，第一鳍包含第一源极和漏极节点以及在第一源极与漏极节点之间的第一沟道；包含第二鳍的第二非平面晶体管，第二鳍包含第二源极和漏极节点以及在第二源极与漏极节点之间的第二沟道；在第一鳍上在第一源极与漏极节点之间以及在第二鳍上在第二源极与漏极节点之间的非平面栅极；以及包含在栅极与第一鳍之间的第一绝缘以及在栅极与第二鳍之间的第二绝缘；其中在采用交流(AC)激励栅极与第一鳍中至少一个时，栅极以第一频率机械地谐振以便在栅极上产生周期性力。本文描述了其它实施例。

6. 发明公开

CN105409018A 具有多栅极晶体管的压阻谐振器有权
公开(公告)号：CN105409018A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201380077058.X
申请日：2013-06-29
申请人：英特尔公司
发明人： R·金 , I·A·杨
IPC分类号： H01L41/22 , H02N2/02 , H01P7/00
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L27/0886 , H03H9/02259 , H03H9/17 , H03H9/2405 , H03H2009/02314
摘要：实施例包含：包含第一鳍的第一非平面晶体管，第一鳍包含第一源极和漏极节点以及在第一源极与漏极节点之间的第一沟道；包含第二鳍的第二非平面晶体管，第二鳍包含第二源极和漏极节点以及在第二源极与漏极节点之间的第二沟道；在第一鳍上在第一源极与漏极节点之间以及在第二鳍上在第二源极与漏极节点之间的非平面栅极；以及包含在栅极与第一鳍之间的第一绝缘以及在栅极与第二鳍之间的第二绝缘；其中在采用交流(AC)激励栅极与第一鳍中至少一个时，栅极以第一频率机械地谐振以便在栅极上产生周期性力。本文描述了其它实施例。

7. 发明公开

CN101467348A 振动器、使用该振动器的共振器以及使用该共振器的机电滤波器无效
公开(公告)号：CN101467348A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022287.6
申请日：2007-06-14
申请人：松下电器产业株式会社
发明人：中村邦彦 , 松尾道明 , 中西淑人 , 桥村昭范
IPC分类号： H03H9/24 , B81B3/00
CPC分类号： H03H9/2463 , H03H3/0072 , H03H9/02244 , H03H9/1057 , H03H9/2405 , H03H9/2457 , H03H2009/02314 , H03H2009/02519
摘要：提供了一种振动器和共振器，该振动器在振动时具有小的振动能量散逸和高Q值。具有梁结构的振动器的支持部厚于振动器，且支持部沿梁的长度方向是不对称的。因此，由于支持部的脆弱性得到改善，振动能量从支持部的损耗可以减小，且由于表面粗糙导致的振动能量的损耗减小，具有高Q值的共振器被提供。

8. 发明授权

US08263964B2 Three-dimensional nanodevices including nanostructures 有权
标题翻译：包括纳米结构在内的三维纳米器件
公开(公告)号：US08263964B2
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：US12672995
申请日：2008-05-19
申请人： Han Young Yu , Byung Hoon Kim , An Soon Kim , In Bok Baek , Chil Seong Ah , Jong Heon Yang , Chan Woo Park , Chang Geun Ahn
发明人： Han Young Yu , Byung Hoon Kim , An Soon Kim , In Bok Baek , Chil Seong Ah , Jong Heon Yang , Chan Woo Park , Chang Geun Ahn
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01J49/4205 , B81B7/0025 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N2291/0257 , H01J49/0018 , H01L29/0673 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03H2009/02314
摘要： Provided are three-dimensional (3D) nanodevices including 3D nanostructures. The 3D nanodevice includes at least one nanostructure, each nanostructure including an oscillation portion floating over a substrate and support portions for supporting both lengthwise end portions of the oscillation portion, supports disposed on the substrate to support the support portions of each of the nanostructures, at least one controller disposed at an upper portion of the substrate, a lower portion of the substrate, or both the upper and lower portions of the substrate to control each of the nanostructures, and a sensing unit disposed on each of the oscillation portions to sense an externally supplied adsorption material. Thus, unlike in a typical planar device, generation of impurities between a nanodevice and a substrate can be reduced, and mechanical vibration can be caused. In particular, since 3D nanostructures have mechanical and electrical characteristics, 3D nanodevices including new 3D nanostructures can be provided using nano-electro-mechanical systems (NEMS). Also, a single electron device, a spin device, or a single electron transistor (SET)-field effect transistor (FET) hybrid device can be formed using a simple process unlike in planar devices.
摘要翻译：提供了三维（3D）纳米器件，包括3D纳米结构。 3D纳米装置包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括漂浮在基板上的振荡部分和支撑部分，用于支撑振荡部分的两个纵向端部，支撑件设置在基板上以支撑每个纳米结构的支撑部分，设置在基板的上部，基板的下部或基板的上部和下部的至少一个控制器，以控制每个纳米结构;以及感测单元，设置在每个振荡部分上以感测外部供应的吸附材料。因此，与典型的平面器件不同，可以减少纳米器件与衬底之间的杂质的产生，并且可能引起机械振动。特别地，由于3D纳米结构具有机械和电学特性，可以使用纳米机电系统（NEMS）提供包括新的3D纳米结构的3D纳米器件。此外，可以使用与平面器件不同的简单工艺来形成单电子器件，自旋器件或单电子晶体管（SET）场效应晶体管（FET）混合器件。

9. 发明申请

US20110193052A1 THREE-DIMENSIONAL NANODEVICES INCLUDING NANOSTRUCTURES 有权
标题翻译：包括纳米结构的三维纳米器件
公开(公告)号：US20110193052A1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：US12672995
申请日：2008-05-19
申请人： Han Young Yu , Byung Hoon Kim , An Soon Kim , In Bok Baek , Chil Seong Ah , Jong Heon Yang , Chan Woo Park , Chang Geun Ahn
发明人： Han Young Yu , Byung Hoon Kim , An Soon Kim , In Bok Baek , Chil Seong Ah , Jong Heon Yang , Chan Woo Park , Chang Geun Ahn
IPC分类号： H01L29/06 , B82Y99/00
CPC分类号： H01J49/4205 , B81B7/0025 , B81B2201/0214 , B81B2201/0271 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N2291/0257 , H01J49/0018 , H01L29/0673 , H01L29/7613 , H01L29/775 , H03H2009/02314
摘要： Provided are three-dimensional (3D) nanodevices including 3D nanostructures. The 3D nanodevice includes at least one nanostructure, each nanostructure including an oscillation portion floating over a substrate and support portions for supporting both lengthwise end portions of the oscillation portion, supports disposed on the substrate to support the support portions of each of the nanostructures, at least one controller disposed at an upper portion of the substrate, a lower portion of the substrate, or both the upper and lower portions of the substrate to control each of the nanostructures, and a sensing unit disposed on each of the oscillation portions to sense an externally supplied adsorption material. Thus, unlike in a typical planar device, generation of impurities between a nanodevice and a substrate can be reduced, and mechanical vibration can be caused. In particular, since 3D nanostructures have mechanical and electrical characteristics, 3D nanodevices including new 3D nanostructures can be provided using nano-electro-mechanical systems (NEMS). Also, a single electron device, a spin device, or a single electron transistor (SET)-field effect transistor (FET) hybrid device can be formed using a simple process unlike in planar devices.
摘要翻译：提供了三维（3D）纳米器件，包括3D纳米结构。 3D纳米装置包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括漂浮在基板上的振荡部分和支撑部分，用于支撑振荡部分的两个纵向端部，支撑件设置在基板上以支撑每个纳米结构的支撑部分，设置在基板的上部，基板的下部或基板的上部和下部的至少一个控制器，以控制每个纳米结构;以及感测单元，设置在每个振荡部分上以感测外部供应的吸附材料。因此，与典型的平面器件不同，可以减少纳米器件与衬底之间的杂质的产生，并且可能引起机械振动。特别地，由于3D纳米结构具有机械和电学特性，可以使用纳米机电系统（NEMS）提供包括新的3D纳米结构的3D纳米器件。此外，可以使用与平面器件不同的简单工艺来形成单电子器件，自旋器件或单电子晶体管（SET）场效应晶体管（FET）混合器件。

10. 发明公开

EP2229723A1 RESONANT BODY TRANSISTOR AND OSCILLATOR 审中-公开
标题翻译：响应体晶体管和振荡器
公开(公告)号：EP2229723A1
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：EP08859214.2
申请日：2008-12-11
申请人： Cornell University
发明人： WEINSTEIN, Dana , BHAVE, Sunil A.
IPC分类号： H03B5/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H03B5/30 , H01L29/785 , H03H9/02259 , H03H9/2452 , H03H9/2463 , H03H2009/02314 , H03H2009/02496
摘要： A resonator body has an inversion gate, an accumulation gate, and a center region. The resonator body also has a source contact coupled to the center region and a drain contact coupled to the center region. The resonator body further has a first dielectric layer coupled between the inversion gate and the center region. The resonator body also has a second dielectric layer coupled between the accumulation gate and the center region. A resonant body transistor is also disclosed. The resonant body transistor has an inversion gate electrode, an accumulation gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a plurality of anchor beams. The resonant body transistor also has a resonator body coupled-to and suspended-from the inversion gate electrode, the accumulation gate electrode, the source electrode, and the drain electrode by the plurality of anchor beams. A resonant body oscillator is also disclosed.

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