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1. 发明公开

CN104137280A 发光元件、外延晶片以及制造外延晶片的方法无效
公开(公告)号：CN104137280A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010216.X
申请日：2013-01-30
申请人：住友电气工业株式会社
发明人：藤井慧 , 石塚贵司 , 秋田胜史
IPC分类号： H01L33/30 , C23C16/22 , H01L21/205 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , C23C16/301 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/42 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/30 , H01S5/3422 , H01S2304/04
摘要：本发明提供外延晶片和发光元件，所述发光元件具有由III-V族化合物半导体形成并以发射具有足够高强度的光的方式构造的II型MQW。所述方法包括：在III-V族化合物半导体衬底上生长具有II型多量子阱结构(MQW)的有源层的步骤，其中在形成所述II型多量子阱结构的步骤中，通过仅使用金属有机源的金属有机气相外延法形成所述II型多量子阱结构，并且使得所述II型多量子阱结构的对的数目为25以上。

2. 发明公开

CN101512850A 电可调太赫激光振荡装置失效
公开(公告)号：CN101512850A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032896.X
申请日：2007-12-20
申请人：佳能株式会社
发明人：关口亮太 , 尾内敏彦
IPC分类号： H01S1/02 , H01S5/0625 , H01S5/34 , H01S5/227 , H01S5/30
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/06255 , H01S5/06256 , H01S5/2213 , H01S5/227 , H01S5/3027 , H01S5/3031 , H01S5/3402 , H01S5/3422
摘要：提供一种具有长振荡波长(THz)的振荡装置，其中波长可变宽度相对较宽，并且波长扫描速率相对较高。振荡装置包括：相对于将振荡的电磁波具有增益的增益介质(103)；用于使电磁波谐振的腔结构(104，105)；以及用于将泵浦能量注入增益介质的能量注入部件(121，122A)。增益介质被夹在第一负介电常数介质(102，112)与第二负介电常数介质(101，111)之间，所述负介电常数介质中的每一个的介电常数实部相对于所述电磁波均为负的。为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加部件(122B)，从而施加电场，以便改变在与增益介质的边界部分形成的耗尽区。

3. 发明公开

CN105144410A 半导体器件及其制造方法无效
公开(公告)号：CN105144410A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022894.2
申请日：2014-04-16
申请人：住友电气工业株式会社
发明人：柴田馨 , 秋田胜史 , 藤井慧 , 石塚贵司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01S5/343
CPC分类号： H01L31/035236 , H01L27/1464 , H01L27/14652 , H01L31/03046 , H01L31/109 , H01L31/1844 , H01S5/0425 , H01S5/305 , H01S5/3422 , H01S5/34306 , H01S2301/173
摘要：提供一种在近红外至红外区中具有高量子效率或高灵敏度的半导体器件等。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上且包括层a和层b的多个对的多量子阱结构；以及设置在衬底和多量子阱结构之间的晶体调整层。晶体调整层包括由与衬底相同的材料制成并与衬底接触的第一调整层，以及由与多量子阱结构的层a或层b相同的材料制成并与多量子阱结构接触的第二调整层。

4. 发明授权

CN101512850B 电可调太赫激光振荡装置失效
公开(公告)号：CN101512850B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200780032896.X
申请日：2007-12-20
申请人：佳能株式会社
发明人：关口亮太 , 尾内敏彦
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/062
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/06255 , H01S5/06256 , H01S5/2213 , H01S5/227 , H01S5/3027 , H01S5/3031 , H01S5/3402 , H01S5/3422
摘要：提供一种具有长振荡波长(THz)的振荡装置，其中波长可变宽度相对较宽，并且波长扫描速率相对较高。振荡装置包括：相对于将振荡的电磁波具有增益的增益介质(103)；用于使电磁波谐振的腔结构(104，105)；以及用于将泵浦能量注入增益介质的能量注入部件(121，122A)。增益介质被夹在第一负介电常数介质(102，112)与第二负介电常数介质(101，111)之间，所述负介电常数介质中的每一个的介电常数实部相对于所述电磁波均为负的。为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加部件(122B)，从而施加电场，以便改变在与增益介质的边界部分形成的耗尽区。

5. 发明公开

CN1384990A 用于GAAS材料系统的长波长假同晶InGaNPAsSbI型和II型有源层无效
公开(公告)号：CN1384990A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN00814968.2
申请日：2000-11-01
申请人：亚利桑那董事会
发明人：沙恩·约翰逊 , 菲利普·多德 , 沃尔夫冈·布劳恩 , 张永航 , 郭长志
IPC分类号： H01S5/343 , H01L31/00 , H01L33/00 , H01L31/18 , H01S5/32
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/32366 , H01S5/3422 , H01S5/34306 , H01S5/3434
摘要：本发明公开一种改进结构的和用于形成光处理(例如光发射和光接收/传感)技术的器件,尤其是垂直腔表面发射激光器(VCSEL),比如发现用于通信的应用。所公开的VSCAL器件和制造方法提供一生长在含有GaAs的衬底上的具有量子阱的有源区结构,因此提供适合处理具有1.0到1.6μm范围波长的光的处理器。有源区结构结合在量子阱中具有不同带线的应变补偿势垒,以达到发射长补偿光,而同时在结构中降低应变。所公开的器件的改进的作用是建立了具有大量组分的多成分合金层。每一合金层可根据所公开的选择成分选择,以提供累积应变和长波长的发射/吸收的不同的构造。另外最小应变势垒层补偿或者进一步改善在结构总应变方面提供帮助,因此,降低最适宜的位错影响水平或者其它有损器件性能和器件寿命的缺陷。本发明公开的在推荐合金层中的关键组分用于有源区的物质,如氮(N),适合于降低联合层的带隙能(即增加光波长),而同时降低联合结构的晶格常数并因此降低应变。

6. 发明授权

EP2702648B1 INTERBAND CASCADE LASERS WITH ENGINEERED CARRIER DENSITIES 有权
标题翻译： INTERBAND级联激光器具有工程载体密度
公开(公告)号：EP2702648B1
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：EP12774690.7
申请日：2012-03-16
申请人： The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy
发明人： VURGAFTMAN, Igor , MEYER, Jerry, R. , CANEDY, Chadwick, Lawrence , BEWLEY, William, W. , KIM, Chul, Soo , KIM, Mijin , MERRITT, Charles, D.
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/30 , B82Y20/00
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/305 , H01S5/3086 , H01S5/3401 , H01S5/3407 , H01S5/3422 , H01S5/34313
摘要： Methods for improving the performance of type-II and type-I ICLs, particularly in the mid-IR wavelength range, are provided. The electron injector of a type-II or a type-I ICL can be heavily n-doped to increase the ratio of electrons to holes in the active quantum wells, thereby increasing the probability of radiative recombination in the active quantum wells and reducing the threshold current density Jth needed to achieve lasing. For both type-II and type-I ICLs, the doping should have a sheet density in the low-1012 range. In either the type-II or the type-I case, in some embodiments, heavy doping can be concentrated in the middle quantum wells of the electron injector, while in other embodiments, doping with silicon can be shifted towards the active quantum wells.

7. 发明专利

JP2012507142A Cascade laser between the high temperature band 有权
公开(公告)号：JP2012507142A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：JP2011533218
申请日：2009-10-07
申请人：アメリカ合衆国
发明人：キャンディー、チャドウィック、エル． , チュル−スー、キム , バーガフマン、イゴール , ビューリー、ウィリアム、ダブリュー． , ミジン、キム , メイヤー、ジェリー、アール． , リンドル、ジェームズ、アール．
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/3077 , H01S5/3401 , H01S5/3407 , H01S5/3416 , H01S5/3422 , H01S5/34306
摘要： A type II interband cascade gain medium including a thick and indium-rich GaInSb hole well, two or more GaSb hole wells, electron and hole injectors are separated by a thick AISb barrier, the thickness of the firs InAs electron well in the electron injector, as well as the total thickness of the electron injector and the number of cascaded stages is reduced, transition regions are inserted at the interfaces between the various regions of the gain medium, thick separate confinement layers comprising Ga(InAIAs)Sb are disposed between the active gain region and the cladding, and the doping profile of the cladding layers is optimized to minimize the overlap of the optical mode with the most heavily-doped portion of the InAs/AISb SL cladding layers.

8. 发明申请

WO2012071298A3 INTERBAND CASCADE LASERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2012071298A3
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/US2011061591
申请日：2011-11-21
申请人： US GOV SEC NAVY , VURGAFTMAN IGOR , MEYER JERRY R , CANEDY CHADWICK L , BEWLEY WILLIAM W , LINDLE JAMES R , KIM CHUL-SOO , KIM MIJIN
发明人： VURGAFTMAN IGOR , MEYER JERRY R , CANEDY CHADWICK L , BEWLEY WILLIAM W , LINDLE JAMES R , KIM CHUL-SOO , KIM MIJIN
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/3401 , H01S5/3422 , H01S5/34306
摘要： A gain medium and an interband cascade laser, having the gain medium are presented. The gain medium can have one or both of the following features: (1) the thicknesses of the one or more hole quantum wells in the hole injector region are reduced commensurate with the thickness of the active hole quantum well in the active quantum well region, so as to place the valence band maximum in the hole injector region at least about 100 meV lower than the valence band maximum in the active hole quantum well; and (2) the thickness of the last wellof the electron injector region is between 85 and 110% of the thickness of the first active electron quantum well in the active gain region of the next stage of the medium.
摘要翻译：提出了具有增益介质的增益介质和带间级联激光器。增益介质可以具有以下特征中的一个或两个：（1）空穴注入器区域中的一个或多个空穴量子阱的厚度与有源量子阱区域中的有源孔量子阱的厚度相当，使得空穴注入器区域中的价带最大值比活性孔量子阱中的价带最大值低至少100meV; 和（2）最后一个电子注入器区域的厚度在介质下一阶段的有源增益区域中的第一有源电子量子阱的厚度的85至110％之间。

9. 发明申请

WO2008075795B1 ELECTRICALLY TUNABLE TERAHERTZ LASER OSCILLATION DEVICE 审中-公开
标题翻译：电动TERNABLE TERAHERTZ激光振荡器件
公开(公告)号：WO2008075795B1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/JP2007075234
申请日：2007-12-20
申请人： CANON KK , SEKIGUCHI RYOTA , OUCHI TOSHIHIKO
发明人： SEKIGUCHI RYOTA , OUCHI TOSHIHIKO
IPC分类号： H01S1/02 , H01S5/0625 , H01S5/227 , H01S5/30 , H01S5/34
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/06255 , H01S5/06256 , H01S5/2213 , H01S5/227 , H01S5/3027 , H01S5/3031 , H01S5/3402 , H01S5/3422
摘要： To provide an oscillation device having a long oscillation wavelength (THz) in which wavelength variable width is relatively broad and wavelength sweep rate is relatively high. An oscillation device includes a gain medium (103) having a gain with respect to an electromagnetic wave to be oscillated, cavity structures (104, 105) for resonating the electromagnetic wave, and energy injection means (121, 122A) and for injecting pumping energy into the gain medium. The gain medium is sandwiched between a first negative permittivity medium (102, 112) and a second magnetic permittivity medium (101, 111) each of which real part of permittivity with respect to the electromagnetic wave is negative. Electric field application means (122B) is provided for at least one of the first negative permittivity medium and the second negative permittivity medium to apply an electric field for changing a depletion region formed at a boundary part with the gain medium.
摘要翻译：为了提供具有波长可变宽度相对宽且波长扫描速率相对较高的长振荡波长（THz）的振荡装置。振荡装置包括：相对于待振荡的电磁波具有增益的增益介质（103），用于谐振电磁波的腔体结构（104,105）;以及能量注入装置（121,122A），并用于喷射泵浦能量进入增益介质。增益介质夹在第一负介电常数介质（102,112）和第二介电常数介质（101,111）之间，其中相对于电磁波的介电常数的实部为负。为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加装置（122B），以施加用于改变形成在增益介质的边界部分处的耗尽区的电场。

10. 发明申请

WO0033433A3 COMPOUND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR OPTOELECTRONIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于光电子器件的化合物半导体结构
公开(公告)号：WO0033433A3
公开(公告)日：2000-09-14
申请号：PCT/US9928576
申请日：1999-12-03
申请人： UNIV ARIZONA , ZHANG YONG HANG , DOWD PHILIP , BRAUN WOLFGANG
发明人： ZHANG YONG-HANG , DOWD PHILIP , BRAUN WOLFGANG
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/12 , H01S5/183 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01S5/32 , H01L31/00 , H01L33/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0211 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/2063 , H01S5/3211 , H01S5/32358 , H01S5/3403 , H01S5/3422 , H01S5/3425 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H01S2302/00 , Y10S257/918
摘要： A compound semiconductor device is provided that includes a substrate and an active region disposed above the substrate. The active region includes at least two different pseudomorphic layers, the first layer having the form InxGa1-xPyAszSb1-y-z, and the second layer having the form InqGa1-qPrAssSb1-r-s. The first layer includes at least In, Ga, and As, and the second layer includes at least Ga, As, and Sb. It is preferable for the substrate to be GaAs or AlpGa1-pAs (0
摘要翻译：提供了一种化合物半导体器件，其包括衬底和设置在衬底上方的有源区。有源区包括至少两个不同的假晶层，第一层具有In x Ga 1-x P y As z Sb 1-y z的形式，并且第二层具有In q Ga 1-q Pr a SS Sb 1-r-s的形式。第一层至少包含In，Ga和As，第二层至少包含Ga，As和Sb。衬底最好是GaAs或AlpGa1-pAs（0

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