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1. 发明公开

CN103493152A 超导电缆及其制造方法无效
公开(公告)号：CN103493152A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019170.3
申请日：2012-02-17
申请人：科罗拉多州立大学董事会(法人团体)
发明人：丹尼尔·科内利斯·范德兰
IPC分类号： H01B12/06
CPC分类号： H01B12/08 , H01L39/143 , H01L39/18 , H01L39/2419 , H01L39/248 , Y10T29/49014
摘要：超导电缆采用绕着骨架缠绕的一个或多个超导带材。紧凑的超导电缆被配置为使用具有小直径例如小于10毫米的骨架。柔韧的超导电缆被配置有由柔韧材料制成的骨架。超导带状导体绕着骨架缠绕，同时超导层在绕组的绕弯的内侧被压缩，以防止对超导体的不可逆转的损坏。超导带材上有一层焊剂或每一层中的带状导体之间缠绕了焊剂护套。一个或多个焊剂层或护套被熔化以导致焊剂在该结构中流动，以把一些或所有的超导带状导体结合在一起，并形成机械上坚固的电缆，且电缆中的带材之间具有增强的电连接程度。

2. 发明公开

CN1039154A 采用陶瓷超导元件的逻辑器件和存储器件失效
公开(公告)号：CN1039154A
公开(公告)日：1990-01-24
申请号：CN89104039.0
申请日：1989-06-16
申请人：夏普公司 , 森末道忠
发明人：野岛秀雄 , 片冈照荣 , 桥爪信郎 , 土本修平 , 森末道忠
IPC分类号： H01L39/00 , H01L39/24 , H01L27/18 , G11C11/44
CPC分类号： G11C11/44 , H01L39/18
摘要：一逻辑器件包括一具磁阻特性的陶瓷超导元件(4)和三个毗邻(4)配置的电极(12，14，16)，其中一个电极加电流时，元件(4)上通常总加有大于一阈值磁场(Ho)的磁场，电极(14，16)则用以增减磁场。一存储器件包括一超导环路(46，48)和一电极(44)，超导环路的至少一部分由具有晶粒间界的陶瓷超导元件(46)构成，电极(44)设在元件(46)附近，使流经元件(46)外的所述环路的一部分(48)电流可由控制流经电极(44)的电流产生的磁场使其被捕获在所述环路中。

3. 发明公开

CN1036673A 超导逻辑器件失效复审申请
公开(公告)号：CN1036673A
公开(公告)日：1989-10-25
申请号：CN89101727.5
申请日：1989-02-10
申请人：夏普公司
发明人：片岡照荣 , 佐藤浩哉 , 土本修平 , 野岛秀雄 , 丰山慎治 , 木场正义 , 桥爪信郎 , 大野荣三 , 齐藤贤
IPC分类号： H03K19/195 , H01L39/00
CPC分类号： H01L39/18 , Y10S505/858 , Y10S505/86
摘要：一个逻辑电路器中，包括由陶瓷超导材料制成的具有磁阻特性的超导体，和安置在超导体附近的至少一个导体，这个导体用来为超导体施加磁场，其中，超导体产生电阻来响应由至少一个导体产生的磁场。另外，还披露了由一对超导逻辑器件组成的逻辑电路。

4. 发明授权

CN1054471C 超导逻辑器件失效复审申请
公开(公告)号：CN1054471C
公开(公告)日：2000-07-12
申请号：CN89101727.5
申请日：1989-02-10
申请人：夏普公司
发明人：片冈照荣 , 佐藤浩哉 , 土本修平 , 野岛秀雄 , 丰山慎治 , 木场正义 , 桥爪信郎 , 大野荣三 , 齐藤贤
IPC分类号： H01L39/18 , H03K19/195
CPC分类号： H01L39/18 , Y10S505/858 , Y10S505/86
摘要：本发明涉及一种逻辑器件，其陶瓷超导体包括一细长薄膜，具有随机的晶界，用作弱耦合陶瓷材料，细长薄膜陶瓷材料被沉积在电绝缘衬底上，在较该陶瓷超导体的临界磁场为弱的不超过10高斯的阈值磁场下该陶瓷超导体从零电阻状态转变为有限电阻状态；导体装置包括至少一个在衬底上形成的薄膜导形导体，且至少有一部分条形导体平行于超导体的长度尺度延伸。

5. 发明授权

CN1020363C 采用陶瓷超导元件的逻辑器件失效
公开(公告)号：CN1020363C
公开(公告)日：1993-04-21
申请号：CN89104039.0
申请日：1989-06-16
申请人：夏普公司 , 森末道忠
发明人：野岛秀雄 , 片冈照荣 , 桥爪信郎 , 土本修平 , 森末道忠
IPC分类号： H01L39/00 , H01L39/16 , H01L39/18 , G11C11/44
CPC分类号： G11C11/44 , H01L39/18
摘要：一逻辑器件包括一具磁阻特性的陶瓷超导元件(4)和三个毗邻(4)配置的电极(12、14、16)，其中一个电极加电流时，元件(4)上通常总加有大于一阈值磁场(Ho)的磁场，电极(14、16)则用以增减磁场。一存储器件包括一超导环路(46、48)和一电极(44)，超导环路的至少一部分由具有晶粒间界的陶瓷超导元件(46)构成，电极(44)设在元件(46)附近，使流经元件(46)外的所述环路的一部份(48)电流可由控制流经电极(44)的电流产生的磁场使其被捕获在所述环路中。

6. 发明专利

JP5738440B2 超電導ケーブル及びその製造方法有权
标题翻译：超导电缆及其制造的方法
公开(公告)号：JP5738440B2
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：JP2013554646
申请日：2012-02-17
申请人：ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・コロラド,ア・ボディー・コーポレイト
发明人：ファンデルラーンダニエルコルネリス
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/02
CPC分类号： H01B12/08 , H01L39/143 , H01L39/18 , H01L39/2419 , H01L39/248 , Y10T29/49014

7. 发明专利

JP2014507052A Superconducting cable and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2014507052A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：JP2013554646
申请日：2012-02-17
申请人：ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・コロラド,ア・ボディー・コーポレイト
发明人：デルラーンダニエルコルネリスファン
IPC分类号： H01B12/02 , H01B13/00
CPC分类号： H01B12/08 , H01L39/143 , H01L39/18 , H01L39/2419 , H01L39/248 , Y10T29/49014
摘要：超電導ケーブルに、フォーマの周りに巻かれた一つ以上の超電導テープが用いられる。コンパクトな超電導ケーブルは、例えば、１０ミリメートル未満の小さい直径を有するフォーマを用いて形成される。可撓性のある超電導ケーブルは、可撓性材料から成るフォーマを用いて形成される。超電導テープ導体は、超電導層が巻きの巻きターンの内側で圧縮状態になるように、フォーマの周りに巻かれ、これにより、超電導体への不可逆的な損傷を防止する。はんだの層が一つ以上の超電導テープに存在するか、又は、各層のテープ導体の間にはんだシースが巻かれる。一つ以上のはんだ層又はシースを溶融させることで、前述の構造内ではんだを流動させて、超電導テープ導体のうちの一部又は全てを共に接合し、ケーブル内のテープ間の電気接続性のレベルが向上した、機械的に強いケーブルを形成する。

8. 发明专利

JP2010510497A Gravity Gurajio meter 审中-公开
公开(公告)号：JP2010510497A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：JP2009537444
申请日：2007-08-17
申请人：テクノロジカルリソーシーズプロプライエタリーリミテッド
发明人：ウィンターフラッドジョン , ジョアキムファンカンフランク
IPC分类号： G01V7/00 , H01L39/00 , H01L39/04 , H01L39/20
CPC分类号： G01V7/16 , H01L39/18
摘要：加熱スイッチ５７０および加熱スイッチを有するグラジオ・メータが開示されている。加熱スイッチは、半導体材料のような非磁性材料を含むように形成される。半導体材料は、ホール効果デバイスを用いて提供することができる。加熱スイッチは、グラジオ・メータで回路基板８５６に配置される。回路基板８５０は、ブリッジ８５２によってセンサ７１の伝導性ストリップに接続される伝導性ストリップ８５６を有する。加熱スイッチ５７０は、ストリップ８５６および処理回路８５９と反対の回路基板８５０の側に接続される。加熱スイッチ５７０と同じ回路基板の側に銅基板８６５が設けられて、加熱スイッチがクローズしたときに、加熱スイッチ５７０から熱を伝導で取り除く。

9. 发明公开

EP0440628A4 DEVICES USING SUPERCONDUCTIVE CRYSTALS 失效
标题翻译：使用超级晶体的器件
公开(公告)号：EP0440628A4
公开(公告)日：1992-11-19
申请号：EP89905527
申请日：1989-03-06
申请人： E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人： ASKEW, THOMAS, RANDALL , FLIPPEN, RICHARD, BERNARD , SUBRAMANIAN, MUNIRPALLAM, APPADORAI
IPC分类号： G11C11/44 , H01L39/18 , H03K3/38 , H03K17/92
CPC分类号： H01L39/18 , G11C11/44 , H01L39/126 , Y10S505/701 , Y10S505/782
摘要： A bismuth-based metal oxide superconductive crystal is used in memory storage devices and cryotrons. The crystal exhibits the onset of superconductivity and weak flux exclusion at a temperature T1 and the onset of strong flux exclusion at a temperature T2, where T1 > T2 > 77 DEG K. By varying the temperature and applied magnetic field, memory storage and current regulation characteristics can be obtained by the crystal. The preferred formula for the superconductive crystal is Bi2Sr3-ZCaZCu2O8+W.

10. 发明公开

EP0326154A3 Memory device 失效
标题翻译：内存设备
公开(公告)号：EP0326154A3
公开(公告)日：1990-09-26
申请号：EP89101438.3
申请日：1989-01-27
申请人： NEC HOME ELECTRONICS, LTD.
发明人： Ito, Susumu c/o NEC Home Electronics Ltd.
IPC分类号： G11C7/00 , G11C11/44
CPC分类号： H01L27/18 , G11C11/44 , H01L39/18
摘要： A memory device comprises first striped electrodes (2₁, 2₂, ...) and second striped electrodes (4₁, 4₂, ...) arranged so as to intersect and be insulated from each other, superconducting rings (8₁₁ 8₁₂, ...) each disposed in a region (6₁₁, 6₁₂, ...) surrounded by the first and second electrodes (2₁, 2₂, ... 4₁, 4₂, ...), superconduction control means (103) for changing an electric conduction type of selected ones of the superconducting rings (8₁₁, 8₁₂,...) to the ordinary conduction or to the superconduction, a write circuit (10) for providing signal currents to the first (2₁, 2₂, ...) and second (4₁, 4₂, ...) striped electrodes surrounding the selected superconducting rings (8₁₁, 8₁₂, ...) in synchronism with an operation of the superconduction control means (103) so that information data can be stored in the selected rings as permanent currents, and a read circuit (10) for detecting induction currents generated in the first (2₁, 2₂, ...) and second (4₁, 4₂, ...) striped electrodes surrounding selected ones of the superconducting rings (8₁₁, 8₁₂, ...) when the electric conduction of the selected rings (8₁₁, 8₁₂, ...) are changed to the ordinary conduction.
摘要翻译：存储器件包括布置成相互交叉并彼此绝缘的第一条状电极（21,22，...）和第二条形电极（41,42 ...），超导环（811 812，...）），其被设置在由所述第一和第二电极（21,22，... 41,42，...）包围的区域（611,612 ...）中，用于改变导电的超导控制装置（103）写入电路（10），用于向第一（21,22，...）和第二（22,22 ...）提供信号电流，其特征在于，所述超导环（811,812，...）（103）的操作同步地围绕所选择的超导环（811,812 ...）的条形电极（41,42，...），使得信息数据可以存储在所选择的环中作为永久电流和用于检测在第一（21,22，...）和第二（41,42，...）条纹电极中产生的感应电流的读取电路（10）当所选择的环（811,812，...）的导电改变为普通导通时，围绕所选择的超导环（811,812，...）中的一些。

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