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1. 发明授权

CN1040710C 非对称晶闸管的阳极侧的短路结构失效
公开(公告)号：CN1040710C
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN95106548.3
申请日：1995-06-06
申请人：亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
发明人： P·施特赖特
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/7432 , H01L29/0834
摘要：本发明的晶闸管在阳极(1)和阴极(2)间的半导体衬底(3)中包含一个由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5)，一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系。P型发射层(7)被阳极短路区(8)分割，并因而被分成区段。另外，阳极短路区(8)将N型基区(6)同阳极(1)短路。在阳极短路区(8)和P型发射区层(7)之间布置一个P型阻挡层(9)，又称P型软层。按照本发明，此阻挡层(9)具有空白区(12)，在此空白区中，N型基区(6)要么直接地，要么经过短路区(8)，与阳极(1)接触。

2. 发明公开

CN103531450A 用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件有权
公开(公告)号：CN103531450A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310276648.7
申请日：2013-07-03
申请人：英飞凌科技股份有限公司
发明人： Y.加利纳 , F.J.尼德诺斯泰德 , H-J.舒尔策
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L29/0834 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/66333 , H01L29/66363 , H01L29/74 , H01L29/7432 , H01L29/78 , H01L29/861
摘要：本发明涉及用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件。提供了一种用于形成横向变化n型掺杂浓度的方法。该方法包括提供半导体晶片，该半导体晶片具有第一表面、与第一表面相对布置的第二表面和具有第一最大掺杂浓度的第一n型半导体层，向第一n型半导体层中注入第一最大能量的质子，并且用掩蔽氢等离子体来局部地处理第二表面。此外，提供了一种半导体器件。

3. 发明授权

CN103531450B 用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件有权
公开(公告)号：CN103531450B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310276648.7
申请日：2013-07-03
申请人：英飞凌科技股份有限公司
发明人： Y.加利纳 , F.J.尼德诺斯泰德 , H-J.舒尔策
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L29/0834 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/66333 , H01L29/66363 , H01L29/74 , H01L29/7432 , H01L29/78 , H01L29/861
摘要：本发明涉及用于形成横向变化掺杂浓度的方法和半导体器件。提供了一种用于形成横向变化n型掺杂浓度的方法。该方法包括提供半导体晶片，该半导体晶片具有第一表面、与第一表面相对布置的第二表面和具有第一最大掺杂浓度的第一n型半导体层，向第一n型半导体层中注入第一最大能量的质子，并且用掩蔽氢等离子体来局部地处理第二表面。此外，提供了一种半导体器件。

4. 发明公开

CN104465738A 一种单向高压可控硅无效
公开(公告)号：CN104465738A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310435186.9
申请日：2013-09-23
申请人：无锡市宏矽电子有限公司
发明人：王国新
IPC分类号： H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7432 , H01L29/0615 , H01L29/745
摘要：本发明公布了一种单向高压可控硅，包括P型阳极区，所述P型阳极区上表面形成有N型长基区，所述P型阳极区下表面形成有阳电极；所述N型长基区上表面形成有P型短基区；所述P型短基区上表面局部依次形成有2个N+型发射区和3个N-型发射区，并且局部还设置有门级电极；所述N+型发射区和N-型发射区上表面设置有阳级电极；所述N型长基区和P型短基区上设置有内沟槽，所述内沟槽布置在所述门级电极、N+型发射区、N-型发射区和阳级电极的外围上。本发明的可控硅能在高电压、大电流条件下工作，其具有耐高压、容量大、体积小的特点。可广泛应用于漏电保护，固态继电器，家电控制器等众多领域。

5. 发明公开

CN108028266A 具有改进的等离子体散布的晶闸管有权转让
公开(公告)号：CN108028266A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680044376.X
申请日：2016-05-25
申请人： ABB瑞士股份有限公司
发明人： M.贝里尼 , J.沃贝克 , P.科姆明
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/74 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/102 , H01L29/0692 , H01L29/0839 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L29/7404 , H01L29/7428 , H01L29/7432
摘要：提供一种具有发射极短路部的晶闸管，其中，在平行于第一主侧(202)的平面上的正交投影中，由第一电极层(214)与第一发射极层(206)和发射极短路部(228)的电接触部覆盖的接触区域包括呈巷道(250A‑250D)的形状的区域，发射极短路部(228)在巷道中的区域覆盖度小于发射极短路部(228)在接触区域的其余区域中的区域覆盖度，其中，发射极短路部(228)在特定区域中的区域覆盖度是发射极短路部(228)在该特定区域中覆盖的面积与特定区域的面积的比。本发明的晶闸管展现快速接通过程，甚至是在没有复杂的放大门极结构的情况下。

6. 发明公开

CN103137658A 半导体器件的含导电颗粒的绝缘体与半导体构成的耐压层无效
公开(公告)号：CN103137658A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110387593.8
申请日：2011-11-30
申请人：成都成电知力微电子设计有限公司
发明人：陈星弼
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/74 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L21/823481 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0692 , H01L29/408 , H01L29/66712 , H01L29/732 , H01L29/7395 , H01L29/7432 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要：本发明公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件在器件的两个相对的主表面内含有至少一个元胞，每个元胞在第一主表面内有一个器件的第一特征区，在第二主表面内有一个器件的第二特征区，在两个器件的特征区之间存在一个耐压区，耐压区包括至少一个半导体区和一个含导电颗粒的绝缘体区，半导体区和含导电颗粒的绝缘体区均有相互直接连接的面。这种耐压区结构不仅可利用来制造高耐压的器件，还可以用作高耐压器件的结边缘技术。

7. 发明公开

CN1126372A 非对称晶闸管的阳极侧的短路结构失效
公开(公告)号：CN1126372A
公开(公告)日：1996-07-10
申请号：CN95106548.3
申请日：1995-06-06
申请人： ABB管理有限公司
发明人： P·施特赖特
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/7432 , H01L29/0834
摘要：本发明的晶闸管在阳极(1)和阴极(2)间的半导体衬底(3)中包含一个由一个N型发射层(4)、一个P型基层(5)，一个N型基层(6)和一个P型发射层(7)所组成的层系。P型发射层(7)被阳极短路区(8)分割，并因而被分成区段。另外，阳极短路区(8)将N型基区(6)同阳极(1)短路。在阳极短路区(8)和P型发射区层(7)之间布置一个P型阻挡层(9)，又称P型软层。按照本发明，此阻挡层(9)具有空白区(12)，在此空白区中，N型基区(6)要么直接地，要么经过短路区(8)，与阳极(1)接触。

8. 发明申请

WO98034282A1 ASYMMETRICAL THYRISTOR 审中-公开
标题翻译：不对称晶闸管
公开(公告)号：WO98034282A1
公开(公告)日：1998-08-06
申请号：PCT/DE1998/000248
申请日：1998-01-28
IPC分类号： H01L29/74 , H01L31/111 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/7428 , H01L29/7424 , H01L29/7432 , H01L31/1113
摘要： Both the cut-off voltage and breakover voltage of conventional thyristors are highly temperature-dependent. The corresponding voltage values can vary by as much as 15 % within the temperature range (5 DEG C - 120 DEG C) in which said thyristors function. In the thyristor described in the invention, ignition is forced about by the punch-through effect, which is independent of temperature (expansion of the space charge region assigned to the p base-/n-base transition (10) to the neighbouring n-base-/p-emitter transition (11)). To ensure that the ignition triggered by punch-through starts at the centre of the thyristor, in n+-stop region (7') the concentration of doping material is considerably reduced in the region (18) situated below the gate electrode (14) in relation to the laterally adjacent area of said stop region (7') extending as far as the edge of the wafer. The effect of this comparably low doping in the central area (18) of the stop region (7') is that in said region the space charge region assigned to the pn transition (10) expands as far as the p+-emitter (8) when a high breakover voltage is applied. As a result, the off-state current rises strongly and the central thyristor area reaches the on state.
摘要翻译：两个反向电压和常规晶闸管的转折电压表现出明显的热行为，相关的温度范围内（5℃ - 120℃）内的相应的电压值可以高达15％而变化。在所提出的晶闸管，开销点火是独立的“穿通”的温度的效果被迫（（相关联的p基极/正 - 基极结10）空间电荷区的程度一直到相邻的n基极/ p-发射极结（11））。到sicherzsutellen通过诱导点火开始在晶闸管的中心“穿通”，在N + -Stoppzone（7“）在的杂质浓度下相对于栅电极的一半（14）位于区域（18）到后来的人的相邻并向上延伸到晶片边缘区域显著降低了停止区（7“）。在停止区（7“）的中央区域（18）的相对较弱的掺杂导致有施加高击穿电压到P +发射极（8），反向电流相应ansgeigt强膨胀过程中与pn结（10）空间电荷区相关联并且在导通状态下的中央晶闸管。

9. 发明申请

WO2016193078A1 THYRISTOR WITH IMPROVED PLASMA SPREADING 审中-公开
标题翻译：改进等离子体扩散的THYRISTOR
公开(公告)号：WO2016193078A1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：PCT/EP2016/061735
申请日：2016-05-25
申请人： ABB SCHWEIZ AG
发明人： BELLINI, Marco , VOBECKY, Jan , COMMIN, Paul
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/74 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/102 , H01L29/0692 , H01L29/0839 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L29/7404 , H01L29/7428 , H01L29/7432
摘要： There is provided a thyristor having emitter shorts, wherein in an orthogonal projection onto a plane parallel to a first main side (202), a contact area covered by an electrical contact of a first electrode layer (214) with a first emitter layer (206) and the emitter shorts (228) includes areas in the shape of lanes (250A-250D), in which an area coverage of the emitter shorts (228) is less than the area coverage of emitter shorts (228) in the remaining area of the contact area, wherein the area coverage of the emitter shorts (228) in a specific area is the area covered by the emitter shorts (228) in that specific area relative to the specific area. The thyristor of the invention exhibits a fast turn-on process even without complicated amplifying gate structure.
摘要翻译：提供了具有发射极短路的晶闸管，其中在与第一主侧（202）平行的平面上的正交投影中，由第一电极层（214）与第一发射极层（206）的电接触覆盖的接触区域）和发射极短路（228）包括通道形状的区域（250A-250D），其中发射极短路区域覆盖区域（228）小于发射体短路区域覆盖区域（228）所述接触区域，其中特定区域中的发射体短路（228）的面积覆盖区是相对于所述特定区域的所述特定区域中由所述发射极短路（228）覆盖的区域。本发明的晶闸管即使没有复杂的放大栅极结构也表现出快速导通工艺。

10. 发明授权

US09324849B2 Structures and techniques for using semiconductor body to construct SCR, DIAC, or TRIAC 有权
标题翻译：使用半导体器件构建SCR，DIAC或TRIAC的结构和技术
公开(公告)号：US09324849B2
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：US13678544
申请日：2012-11-15
申请人： Shine C. Chung
发明人： Shine C. Chung
IPC分类号： H01L21/00 , H01L29/747 , H01L29/66 , H01L29/739 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L27/02
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/0692 , H01L29/16 , H01L29/6609 , H01L29/66386 , H01L29/7391 , H01L29/7432 , H01L29/861 , H01L29/8611
摘要： Switch devices, such as Silicon Controlled Rectifier (SCR), DIAC, or TRIAC, on a semiconductor body are disclosed. P/N junctions can be built on a semiconductor body, such as polysilicon or active region body on an insulated substrate, with a first implant in one end and a second implant in the other end. The first and second implant regions are separated with a space. A silicide block layer can cover the space and overlap into both implant regions to construct P/N junctions in the interface.
摘要翻译：公开了半导体本体上的诸如硅控整流器（SCR），DIAC或TRIAC之类的开关器件。 P / N结可以建立在半导体本体上，例如绝缘基板上的多晶硅或有源区体，其一端具有第一种植入物，另一端构成第二种植入物。第一和第二植入区域被间隔开。硅化物阻挡层可以覆盖空间并且重叠到两个注入区域中以在界面中构造P / N结。

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