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1. 发明授权

CN101728427B 半导体晶体管失效
公开(公告)号：CN101728427B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910137570.4
申请日：2009-05-14
申请人：吴国成
发明人：吴国成
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L27/082
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L27/0605 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0821 , H01L29/152 , H01L29/20 , H01L29/73 , H01L29/7308
摘要：本发明有关于一种半导体晶体管组件，其包括一个或多个导电基极区、第一半导体能阻区、第二半导体能阻区、导电射极区及导电集极区。第一半导体能阻区或第二半导体能阻区的尺寸小于第一肖特基能阻接合形成于第一半导体能阻区与导电基极区的界面。第二肖特基能阻接合形成于第二半导体能阻区与导电基极区的界面。第三肖特基能阻接合形成于导电射极区与第一半导体能阻区的界面。第四肖特基能阻接合形成于导电集极区与第二半导体能阻区的界面。

2. 发明公开

CN105957886A 一种碳化硅双极结型晶体管有权
公开(公告)号：CN105957886A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610488399.1
申请日：2016-06-28
申请人：中国科学院微电子研究所
发明人：郭飞 , 申华军 , 汤益丹 , 张有润 , 白云 , 杨成樾 , 宋凌云 , 柏思宇 , 彭朝阳
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/161 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/73 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/7308
摘要：一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。

3. 发明授权

CN1021943C 肖特基结半导体器件失效
公开(公告)号：CN1021943C
公开(公告)日：1993-08-25
申请号：CN91104304.7
申请日：1991-06-29
申请人：佳能株式会社
发明人：中村佳夫 , 菊池伸 , 西村茂
IPC分类号： H01L29/46 , H01L29/56 , H01L29/68
CPC分类号： H01L29/66166 , H01L21/28537 , H01L29/47 , H01L29/7308 , H01L29/7839 , H01L29/872
摘要：一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。

4. 发明公开

CN105552119A 平面肖特基势垒二极管无效
公开(公告)号：CN105552119A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510946666.0
申请日：2015-12-17
申请人：扬州国宇电子有限公司
发明人：马文力 , 杨勇 , 谭德喜 , 姚伟明 , 付国振
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7308
摘要：一种平面肖特基势垒二极管，包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层；其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面，场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方，肖特基势垒层形成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率，进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深，进一步增强肖特基势垒区的表面电场，从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力，并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。

5. 发明公开

CN104282739A 双极晶体管以及制造双极晶体管的方法失效
公开(公告)号：CN104282739A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410331664.6
申请日：2014-07-11
申请人：英飞凌科技股份有限公司
发明人： J·康拉斯 , H-J·舒尔策
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/1608 , H01L29/66272 , H01L29/66318 , H01L29/7322 , H01L29/737 , H01L29/73 , H01L29/66068 , H01L29/66234 , H01L29/6631 , H01L29/7308
摘要：本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。

6. 发明公开

CN101728427A 半导体晶体管失效
公开(公告)号：CN101728427A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910137570.4
申请日：2009-05-14
申请人：吴国成
发明人：吴国成
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L27/082
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L27/0605 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0821 , H01L29/152 , H01L29/20 , H01L29/73 , H01L29/7308
摘要：本发明有关于一种半导体晶体管组件，其包括一个或多个导电基极区、第一半导体能阻区、第二半导体能阻区、导电射极区及导电集极区。第一半导体能阻区或第二半导体能阻区的尺寸小于100第一肖特基能阻接合形成于第一半导体能阻区与导电基极区的界面。第二肖特基能阻接合形成于第二半导体能阻区与导电基极区的界面。第三肖特基能阻接合形成于导电射极区与第一半导体能阻区的界面。第四肖特基能阻接合形成于导电集极区与第二半导体能阻区的界面。

7. 发明公开

CN1058117A 肖特基结半导体器件失效
公开(公告)号：CN1058117A
公开(公告)日：1992-01-22
申请号：CN91104304.7
申请日：1991-06-29
申请人：佳能株式会社
发明人：中村佳夫 , 菊池伸 , 西村茂
IPC分类号： H01L29/46 , H01L29/56 , H01L29/68
CPC分类号： H01L29/66166 , H01L21/28537 , H01L29/47 , H01L29/7308 , H01L29/7839 , H01L29/872
摘要：一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。

8. 发明授权

US08410572B2 Bipolar transistor with emitter and/or collector contact structure forming a Schottky contact and method of production 有权
标题翻译：具有发射极和/或集电极接触结构的双极晶体管形成肖特基接触和生产方法
公开(公告)号：US08410572B2
公开(公告)日：2013-04-02
申请号：US13124091
申请日：2009-10-22
申请人： Léon C. M. van den Oever
发明人： Léon C. M. van den Oever
IPC分类号： H01L27/095 , H01L29/47 , H01L29/812 , H01L31/07 , H01L31/108 , H01L29/00 , H01L27/082 , H01L27/102 , H01L29/70 , H01L31/11 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7308 , H01L29/41708 , H01L29/475 , H01L29/735
摘要： A base contact connection, an emitter structure and a collector structure are arranged on an n-layer, which can be provided for additional npn transistors. The collector structure is arranged laterally to the emitter structure and at least one of the emitter and collector comprises a Schottky contact on a surface area of the n-layer.
摘要翻译：基极接触连接，发射极结构和集电极结构布置在n层上，其可以被提供用于附加的npn晶体管。集电极结构被布置在发射极结构的侧面，并且发射极和集电极中的至少一个包括在n层的表面区域上的肖特基接触。

9. 发明授权

US4412376A Fabrication method for vertical PNP structure with Schottky barrier diode emitter utilizing ion implantation 失效
标题翻译：使用离子注入的肖特基势垒二极管发射体垂直PNP结构的制作方法
公开(公告)号：US4412376A
公开(公告)日：1983-11-01
申请号：US355059
申请日：1982-03-05
申请人： David E. De Bar , Raymond W. Hamaker , Geoffrey B. Stephens
发明人： David E. De Bar , Raymond W. Hamaker , Geoffrey B. Stephens
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/8222 , H01L27/082 , H01L29/47 , H01L29/73 , H01L21/283
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/8222 , H01L27/0826 , H01L29/47 , H01L29/7308
摘要： A vertical PNP bipolar transistor structure with Schottky Barrier diode emitter is disclosed which simplifies the structure and process steps for combining a complementary PNP in an NPN integrated circuit and improves the speed and density of the vertical PNP. The PNP emitter is formed with a Schottky contact such that only the PNP base region is contained in the NPN emitter junction structure. The structure uses a separately masked ion/implant for the NPN intrinsic base implant which also forms the PNP collector region so that the PNP base doping profile can intercept the PNP collector profile at a lower concentration resulting in lower collector/base capacitance, lower series collector resistance and higher collector/base breakdown voltage for the PNP. Since the base doping concentration is lower in the structure and the emitter has no sidewall capacitance, the PNP emitter-base capacitance is greatly reduced. These features result in an improved frequency response for the PNP structure.
摘要翻译：公开了具有肖特基势垒二极管发射极的垂直PNP双极晶体管结构，其简化了在NPN集成电路中组合互补PNP的结构和工艺步骤，并提高了垂直PNP的速度和密度。 PNP发射极由肖特基接触形成，使得只有PNP基极区域包含在NPN发射极结结构中。该结构使用单独掩蔽的离子/注入用于NPN本征基极注入，其也形成PNP集电极区域，使得PNP基极掺杂分布可以以较低的浓度截取PNP集电极分布，导致较低的集电极/基极电容，下部集电极电阻和更高的集电极/基极击穿电压。由于基极掺杂浓度在结构中较低，并且发射极没有侧壁电容，因此PNP发射极 - 基极电容大大降低。这些特征导致PNP结构的频率响应得到改善。

10. 发明授权

EP0465151B1 Method of producing a semiconductor device with Schottky junction 失效
标题翻译：的半导体装置的制造具有肖特基结的方法
公开(公告)号：EP0465151B1
公开(公告)日：1998-08-26
申请号：EP91305868.1
申请日：1991-06-28
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Nakamura, Yoshio , Kikuchi, Shin , Nishimura, Shigeru
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/285 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/66166 , H01L21/28537 , H01L29/47 , H01L29/7308 , H01L29/7839 , H01L29/872

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