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1. 发明公开

CN102723252A 离子注入方法及离子注入装置有权
公开(公告)号：CN102723252A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210086527.1
申请日：2012-03-28
申请人：斯伊恩股份有限公司
发明人：二宫史郎 , 越智昭浩 , 木村靖彦 , 冈本泰治 , 弓山敏男
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
摘要：本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。

2. 发明公开

CN104885186A 宽离子束用的具多天线电感性耦合等离子体离子源有权
公开(公告)号：CN104885186A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
申请人：瓦里安半导体设备公司
发明人：科斯特尔·拜洛 , 约瑟·C·欧尔森 , 艾德沃·W·比尔 , 玛尼·斯尔达斯奇
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
摘要：一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。

3. 发明授权

CN102723252B 离子注入方法及离子注入装置有权
公开(公告)号：CN102723252B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210086527.1
申请日：2012-03-28
申请人：斯伊恩股份有限公司
发明人：二宫史郎 , 越智昭浩 , 木村靖彦 , 冈本泰治 , 弓山敏男
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
摘要：本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，在机械扫描方向上将晶片面内的注入区域分割为多个，能够按各注入区域分别对射束扫描方向的射束扫描速度进行可变设定，并且根据通过与各注入区域的离子注入量分布对应的射束扫描速度的可变设定来计算出的速度模式，对射束扫描速度进行变更控制，按各注入区域分别控制晶片扫描速度，从而控制晶片面内的各注入区域的离子注入量，并且使按所述各注入区域控制射束扫描速度时的射束扫描频率和射束扫描振幅恒定，从而实现在各注入区域具有所希望的离子注入量分布的离子注入。

4. 发明授权

CN104885186B 转，以产生特别宽的离子束，且不需持续的监控宽离子束用的具多天线电感性耦合等离子与调整射频信号相位。体离子源有权
公开(公告)号：CN104885186B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
申请人：瓦里安半导体设备公司
发明人：科斯特尔·拜洛 , 约瑟·C·欧尔森 , 艾德沃·W·比尔 , 玛尼·斯尔达斯奇
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
摘要：一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。本发明提供的射频离子源，能促进多重、空间重叠等离子体的运(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天

5. 发明公开

CN108807121A 离子布植的方法无效
公开(公告)号：CN108807121A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810264504.2
申请日：2018-03-28
申请人：汉辰科技股份有限公司
发明人：史蒂芬·R·瓦尔特
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01J37/3171 , H01J37/3026 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31706
摘要：本发明公开了一种离子束布植的方法。该方法提供一种使用多重几何方向的离子束以产生一倾斜角度范围的离子布植方法。该倾斜角度范围可以定义为指定在这个倾斜角度范围的剂量分布。这个方法包含:获得离子布植参数，决定曝光步骤的次数，选择相对应于曝光步骤的布植参数，获得布植数据，定义第一布植序列，根据第一布植序列创造多重几何方向布植曝光序列，以及根据多重几何方向离子曝光序列执行离子布植。

6. 发明公开

CN106653539A 离子注入工具以及离子注入方法无效
公开(公告)号：CN106653539A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610683472.0
申请日：2016-08-18
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
发明人：李圣伟
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3172 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703 , H01J2237/31706 , H01L21/265 , H01J37/3007
摘要：一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。

7. 发明授权

US09679746B2 Ion implantation tool and ion implantation method 有权
公开(公告)号：US09679746B2
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：US14925875
申请日：2015-10-28
申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人： Sheng-Wei Lee
IPC分类号： H01J37/36 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/147 , H01J37/20
CPC分类号： H01J37/3172 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703 , H01J2237/31706 , H01L21/265
摘要： An ion implantation tool includes a process chamber, a platen, an ion source, and a plurality of controlling units. The platen is present in the process chamber and configured to hold a wafer. The ion source is configured to provide an ion beam onto the wafer. The controlling units are present on the platen and configured to apply a plurality of physical fields that are able to affect motions of ions of the ion beam onto the wafer.

8. 发明授权

US08772741B2 Ion implantation method and ion implantation apparatus 有权
标题翻译：离子注入法和离子注入装置
公开(公告)号：US08772741B2
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：US13432936
申请日：2012-03-28
申请人： Shiro Ninomiya , Akihiro Ochi , Yasuhiko Kimura , Yasuharu Okamoto , Toshio Yumiyama
发明人： Shiro Ninomiya , Akihiro Ochi , Yasuhiko Kimura , Yasuharu Okamoto , Toshio Yumiyama
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
摘要： An ion implantation method includes reciprocally scanning an ion beam, mechanically scanning a wafer in a direction perpendicular to a beam scanning direction, and implanting ions into the wafer. The wafer is divided into a plurality of implantation regions, a beam scanning speed in the beam scanning direction is set to be varied for each of the implantation regions, an ion implantation amount distribution for each of the implantation regions is controlled by changing and controlling the beam scanning speed, and the ion implantation amount for each of the implantation regions is controlled and a beam scanning frequency and a beam scanning amplitude in the control of the beam scanning speed for each of the implantation regions is made to be constant by setting a wafer mechanical scanning speed and controlling the wafer mechanical scanning speed for each of the implantation regions.
摘要翻译：离子注入方法包括：对离子束进行往复扫描，在垂直于光束扫描方向的方向上机械地扫描晶片，以及将离子注入晶片。将晶片分割为多个注入区域，对于每个注入区域，将波束扫描方向的波束扫描速度设定为变化，通过改变和控制每个注入区域的离子注入量分布来控制光束扫描速度，并且对每个注入区域的离子注入量进行控制，并且通过设置晶片来使每个注入区域的光束扫描速度控制中的光束扫描频率和光束扫描幅度保持恒定机械扫描速度并控制每个注入区域的晶片机械扫描速度。

9. 发明申请

US20140042337A1 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE WITH MULTIPLE ANTENNAS FOR WIDE ION BEAM 有权
标题翻译：具有多个天线的电感耦合等离子体源
公开(公告)号：US20140042337A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：US13961060
申请日：2013-08-07
申请人： Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
发明人： Costel Biloiu , Joseph C. Olson , Edward W. Bell , Manny Sieradzki
IPC分类号： H01J27/16
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
摘要： A wide ion beam source includes a plurality of RF windows arranged in a predetermined relationship, a single plasma chamber disposed on a first side of the plurality of RF windows, a plurality of RF antennas, each RF antenna of the plurality of RF antennas disposed on a second side of a respective RF window of the plurality of RF windows, the second side being opposite the first side, and a plurality of RF sources, each RF source coupled to a respective RF antenna of the plurality of RF antennas, wherein a difference in frequency of a first RF signal produced by a first RF source coupled to a first RF antenna from that of a second RF signal produced by a second RF source coupled to an RF antenna adjacent to the first RF antenna is greater than 10 kHz.
摘要翻译：宽离子束源包括以预定关系排列的多个RF窗口，设置在多个RF窗口的第一侧上的单个等离子体室，多个RF天线，多个RF天线中的每个RF天线设置在所述多个RF窗口的相应RF窗口的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，以及多个RF源，每个RF源耦合到所述多个RF天线中的相应RF天线，其中差异由与耦合到与第一RF天线相邻的RF天线的第二RF源产生的第二RF信号的第一RF信号产生的第一RF信号产生的第一RF信号的频率大于10kHz。

10. 发明授权

US09431247B2 Method for ion implantation 有权
标题翻译：离子注入方法
公开(公告)号：US09431247B2
公开(公告)日：2016-08-30
申请号：US14752522
申请日：2015-06-26
申请人： ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.
发明人： Zhimin Wan , Kourosh Saadatmand , Wilhelm P. Platow , Ger-Pin Lin , Ching-I Li , Rekha Padmanabhan , Gary N. Cai
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/302
CPC分类号： H01L21/26586 , H01J37/3026 , H01J37/3171 , H01J2237/0835 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31706
摘要： A method for an ion implantation is provided. First, a non-parallel ion beam is provided. Thereafter, a relative motion between a workpiece and the non-parallel ion beam, so as to enable each region of the workpiece to be implanted by different portions of the non-parallel ion beam successively. Particularly, when at least one three-dimensional structure is located on the upper surface of the workpiece, both the top surface and the side surface of the three-dimensional structure may be implanted properly by the non-parallel ion beam when the workpiece is moved across the non-parallel ion beam one and only one times. Herein, the non-parallel ion beam can be a divergent ion beam or a convergent ion beam (both may be viewed as the integrated divergent beam), also can be generated directly from an ion source or is modified from a parallel ion beam, a divergent ion beam or a convergent ion beam.
摘要翻译：提供了一种用于离子注入的方法。首先，提供非平行离子束。此后，工件和非平行离子束之间的相对运动，以使得工件的每个区域能够被不平行离子束的不同部分连续地注入。特别地，当至少一个三维结构位于工件的上表面上时，当工件移动时，可以通过非平行离子束适当地注入三维结构的顶表面和侧表面跨越非平行离子束一次，仅一次。这里，非平行离子束可以是发散离子束或会聚离子束（两者均可视为积分发散光束），也可以直接从离子源产生或者从平行离子束修饰，发散离子束或会聚离子束。

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