专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

CN103441053B 集成气体放电管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN103441053B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310095077.7
申请日：2013-03-22
申请人：深圳市槟城电子有限公司
发明人：付猛
IPC分类号： H01J17/16 , H01J17/04 , H01J9/00 , H01J9/30
CPC分类号： H01J17/04 , H01J9/02 , H01J9/265 , H01J17/183 , H01J19/02 , H01J19/28 , H01J19/54 , H01J21/00 , H01J21/36
摘要：本发明提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座，在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成，有效提高了气体放电管的放电效果，大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程，使得制备工序大大简化，实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本发明还提供一种集成气体放电管的制备方法。

2. 发明公开

CN101018884A 包含输送工艺气体和射频功率的气体分配单元的等离子处理设备有权
公开(公告)号：CN101018884A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580013782.1
申请日：2005-04-11
申请人：兰姆研究公司
发明人：拉金德·丁德萨 , 埃里克·兰兹
IPC分类号： C23C16/00 , C23F1/00 , H01L21/30
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306
摘要：一种等离子处理设备，包括向喷淋头式电极输送工艺气体和射频(RF)功率的气体分配单元。气体分配单元可以包括多个气体通路，以相同或不同的流速，向喷淋头式电极后侧的一个或多个储气室，输送相同的工艺气体或不同的工艺气体。气体分配单元在半导体基片上，提供要达到的需要的工艺气体分配，该半导体基片在喷淋头式电极与支承基片的下电极之间的空隙中被处理。

3. 发明公开

CN103441053A 集成气体放电管及其制备方法有权
公开(公告)号：CN103441053A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310095077.7
申请日：2013-03-22
申请人：深圳市槟城电子有限公司
发明人：付猛
IPC分类号： H01J17/16 , H01J17/04 , H01J9/00 , H01J9/30
CPC分类号： H01J17/04 , H01J9/02 , H01J9/265 , H01J17/183 , H01J19/02 , H01J19/28 , H01J19/54 , H01J21/00 , H01J21/36
摘要：本发明提供了一种集成气体放电管。该集成气体放电管通过将气体放电管结构调整为上盖和绝缘基座，在绝缘基座的底面的内侧面和外侧面分别进行电极的集成，有效提高了气体放电管的放电效果，大大简化了多端对地气体放电管的制备工序和流程，使得制备工序大大简化，实现气体放电管的批量生产和高度集成性。本发明还提供一种集成气体放电管的制备方法。

4. 发明授权

CN101018884B 包含输送工艺气体和射频功率的气体分配单元的等离子处理设备有权
公开(公告)号：CN101018884B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580013782.1
申请日：2005-04-11
申请人：兰姆研究公司
发明人：拉金德·丁德萨 , 埃里克·兰兹
IPC分类号： C23C16/00 , C23F1/00 , H01L21/30
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306
摘要：一种等离子处理设备，包括向喷淋头式电极输送工艺气体和射频(RF)功率的气体分配单元。气体分配单元可以包括多个气体通路，以相同或不同的流速，向喷淋头式电极后侧的一个或多个储气室，输送相同的工艺气体或不同的工艺气体。气体分配单元在半导体基片上，提供要达到的需要的工艺气体分配，该半导体基片在喷淋头式电极与支承基片的下电极之间的空隙中被处理。

5. 发明公开

EP1769101A4 APPARATUS INCLUDING GAS DISTRIBUTION MEMBER SUPPLYING PROCESS GAS AND RADIO FREQUENCY (RF) POWER FOR PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译： VORRICHTUNG MIT PROZESSGASZUFÜHRENDEMGASVERTEILERELEMENT UND HOCHFREQUENZSTROMFÜRDIE PLASMAVERARBEITUNG
公开(公告)号：EP1769101A4
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：EP05732428
申请日：2005-04-11
申请人： LAM RES CORP
发明人： DHINDSA RAJINDER , LENZ ERIC
IPC分类号： H01J37/32 , C23F1/00
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306
摘要： A plasma processing apparatus includes a gas distribution member which supplies a process gas and radio frequency (RF) power to a showerhead electrode. The gas distribution member can include multiple gas passages which supply the same process gas or different process gases at the same or different flow rates to one or more plenums at the backside of the showerhead electrode. The gas distribution member provides a desired process gas distribution to be achieved across a semiconductor substrate processed in a gap between the showerhead electrode and a bottom electrode on which the substrate is supported.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，包括向喷头电极供给处理气体和射频（RF）功率的气体分配部件。气体分配构件可以包括多个气体通道，其以相同或不同的流速将相同的处理气体或不同的处理气体提供给喷头电极的后侧的一个或多个气室。气体分配构件提供了要在喷头电极和其上支撑衬底的底部电极之间的间隙中处理的半导体衬底上实现的期望的工艺气体分布。

6. 发明申请

WO2005111267A2 APPARATUS INCLUDING GAS DISTRIBUTION MEMBER SUPPLYING PROCESS GAS AND RADIO FREQUENCY (RF) POWER FOR PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：装置包括气体分配成员供应过程气体和无线电频率（RF）等离子体处理功率
公开(公告)号：WO2005111267A2
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/US2005012210
申请日：2005-04-11
申请人： LAM RES CORP , DHINDSA RAJINDER , LENZ ERIC
发明人： DHINDSA RAJINDER , LENZ ERIC
IPC分类号： C23F1/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306
摘要： A plasma processing apparatus includes a gas distribution member which supplies a process gas and radio frequency (RF) power to a showerhead electrode. The gas distribution member can include multiple gas passages which supply the same process gas or different process gases at the same or different flow rates to one or more plenums at the backside of the showerhead electrode. The gas distribution member provides a desired process gas distribution to be achieved across a semiconductor substrate processed in a gap between the showerhead electrode and a bottom electrode on which the substrate is supported.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，包括向喷头电极供给处理气体和射频（RF）功率的气体分配部件。气体分配构件可以包括多个气体通道，其以相同或不同的流速将相同的处理气体或不同的处理气体提供给喷头电极的后侧的一个或多个气室。气体分布构件提供了要在喷头电极和其上支撑衬底的底部电极之间的间隙中处理的半导体衬底上实现的期望的工艺气体分布。

7. 发明申请

WO1996006444A1 ULTRALINEAR FINAL TRIODE ELECTRODE SYSTEM FOR A LOW-FREQUENCY AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：用于低频放大器的超声波三极管电极系统
公开(公告)号：WO1996006444A1
公开(公告)日：1996-02-29
申请号：PCT/EP1995003184
申请日：1995-08-11
申请人： VAIC VALVE AG , VAIC, Alesa
发明人： VAIC VALVE AG
IPC分类号： H01J21/10
CPC分类号： H01J21/36 , H01J1/20 , H01J21/10
摘要： An ultralinear final triode electrode system for a low-frequency amplifier comprises anode (A), cathode (K), grid (G), heating (F), fastening (1-4, 9, 10) and cooling (5-8) elements. The system is arranged in such a way that the distances from the surface of the cathode (K) to the grid (G) and to the anode (A) are constant for all emission places of the cathode (K). The cathode (K) consists of very thin directly heated cathode plates or tapes of 10 to 40 mu m thickness, their planes defined by width and length being oriented in a direction parallel with the corresponding planes of the other electrodes (A, G); the cathode (K) comprises cathode plates or tapes of nickel, their main sides being provided with an emission active material (E), whereas edges and flanks of the cathode tapes are free of the active material (E).
摘要翻译：用于低频放大器的超小型最终三极管电极系统包括阳极（A），阴极（K），栅格（G），加热（F），紧固（1-4,9,10）和冷却（5-8）元素。该系统被布置成使得从阴极（K）的表面到栅格（G）和阳极（A）的距离对于阴极（K）的所有发射位置是恒定的。阴极（K）由非常薄的直接加热的阴极板或10至40μm厚的带组成，它们的平面由宽度和长度限定，其方向与其他电极（A，G）的相应平面平行; 阴极（K）包括阴极板或镍带，它们的主边设有发射活性材料（E），而阴极带的边缘和侧面没有活性材料（E）。

8. 发明公开

EP3059755A1 X-RAY GENERATION DEVICE 审中-公开
标题翻译： X射线生成装置
公开(公告)号：EP3059755A1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：EP14853543.8
申请日：2014-09-03
申请人： Hamamatsu Photonics K.K.
发明人： ISHII, Atsushi , SUZUKI, Naonobu
IPC分类号： H01J35/08 , H01J35/30
CPC分类号： H01J35/08 , A61B6/547 , H01J1/88 , H01J1/92 , H01J1/94 , H01J3/26 , H01J19/32 , H01J19/46 , H01J19/48 , H01J21/36 , H01J35/14 , H01J35/32 , H01J37/1472 , H01J2235/08 , H01J2235/081 , H01J2235/086 , H01J2235/087 , H01J2235/088 , H01J2235/186 , H01J2237/032 , H01J2237/036 , H01J2893/0003 , H01J2893/0051 , H01J2893/0052 , H05G1/52
摘要： An X-ray generation device which can be efficiently used is provided. The X-ray generation device 1 has an electron gun 3, a target unit T, a tubular portion 5, a reflected electron detector 31, and a coil unit 9, and the target unit T includes a plurality of targets 23, and a plurality of mark portions 27 having a predetermined location relationship with the targets 23 and each having a surface area larger than a surface area of the target 23, when viewed from a normal direction to principal faces of the target unit T.

9. 发明公开

EP1769101A2 APPARATUS INCLUDING GAS DISTRIBUTION MEMBER SUPPLYING PROCESS GAS AND RADIO FREQUENCY (RF) POWER FOR PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：与用于等离子体处理过程气体的气体分配传入神经元和高频用功率器件
公开(公告)号：EP1769101A2
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：EP05732428.7
申请日：2005-04-11
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： DHINDSA, Rajinder , LENZ, Eric
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306
摘要： A plasma processing apparatus includes a gas distribution member which supplies a process gas and radio frequency (RF) power to a showerhead electrode. The gas distribution member can include multiple gas passages which supply the same process gas or different process gases at the same or different flow rates to one or more plenums at the backside of the showerhead electrode. The gas distribution member provides a desired process gas distribution to be achieved across a semiconductor substrate processed in a gap between the showerhead electrode and a bottom electrode on which the substrate is supported.

10. 发明专利

JP4980890B2 Showerhead electrode assembly, the control method of the vacuum chamber and plasma etching 有权
公开(公告)号：JP4980890B2
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：JP2007510763
申请日：2005-04-11
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：ラジンダーディンサ， , エリックレンツ，
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/00 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式