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1. 发明授权

CN1188903C 用氧化或氮化方法提高电阻器的电阻值失效转让
公开(公告)号：CN1188903C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01138489.1
申请日：2001-11-14
申请人：国际商业机器公司
发明人：阿恩·W·巴兰亭 , 丹尼尔·C·德尔斯坦 , 安瑟尼·K·斯塔伯
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/31 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01C7/00
CPC分类号： C23C8/02 , C23C8/04 , C23C8/10 , C23C8/24 , C25D11/00 , C25D11/02 , C25D11/026 , H01C7/006 , H01C17/26 , H01L21/263 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , Y10S257/904 , Y10S257/914
摘要：一种借助于分别用氧或氮粒子(亦即氧或氮)对电阻器的部分表面层进行氧化或氮化而提高半导体结构中的电阻器的电阻值的方法和结构。半导体结构可以包括半导体晶片、半导体芯片、和集成电路。此方法和结构的一个实施方案包含对包括作为气态含氧或含氮分子(例如分子氧或分子氮)的氧粒子或氮粒子的加热工作室的内部进行加热。

2. 发明公开

CN1353451A 用氧化或氮化方法提高电阻器的电阻值失效转让
公开(公告)号：CN1353451A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01138489.1
申请日：2001-11-14
申请人：国际商业机器公司
发明人：阿恩·W·巴兰亭 , 丹尼尔·C·德尔斯坦 , 安瑟尼·K·斯塔伯
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/31 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01C7/00
CPC分类号： C23C8/02 , C23C8/04 , C23C8/10 , C23C8/24 , C25D11/00 , C25D11/02 , C25D11/026 , H01C7/006 , H01C17/26 , H01L21/263 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , Y10S257/904 , Y10S257/914
摘要：一种借助于分别用氧或氮粒子(亦即氧或氮)对电阻器的部分表面层进行氧化或氮化而提高半导体结构中的电阻器的电阻值的方法和结构。半导体结构可以包括半导体晶片、半导体芯片、和集成电路。此方法和结构的一个实施方案包含对包括作为气态含氧或含氮分子(例如分子氧或分子氮)的氧粒子或氮粒子的加热工作室的内部进行加热。

3. 发明公开

EP1222669A1 PASSIVE COMPONENT 审中-公开
标题翻译：无源元件
公开(公告)号：EP1222669A1
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：EP01933981.1
申请日：2001-05-16
申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.
发明人： VAN DEN BROEK, Jan, J. , BOOGAARD, Arjen , VAN DER RIJT, Richard, A., F. , VAN DELDEN, Martinus, H., W., M. , DE WILD, Willem, R. , MONTREE, Andreas, H.
IPC分类号： H01C17/26
CPC分类号： H01G4/255 , H01C17/242 , H01C17/26
摘要： The passive component (1) has a first part (22) of a material with a first resistance value, which value can be lowered to a second value by laser trimming. The second value is at most one tenth of the first value and preferably less. Said material crystallizes in a laser trimming process, which locally heats the material to at least a transition temperature. Said material contains at least two different elements, which are preferably aluminum and germanium. The passive component (1) may be, for example, a resistor or a capacitor and may be part of a thin-film network of resistors, capacitors and/or inductors. In a resistor, it is preferred to have a second part (4) which contains a different resistance material with a resistance value lower than the first value and preferably higher than the second value.

4. 发明授权

EP2989644B1 PROCÉDÉ DE MODIFICATION DE LA VALEUR D'UNE RÉSISTANCE ÉLECTRIQUE COMPORTANT UN MATÉRIAU FERROMAGNÉTIQUE 有权
标题翻译：为了改变电阻的值具有磁材料的方法包括FERRO
公开(公告)号：EP2989644B1
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：EP14718966.6
申请日：2014-04-18
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： BIGOT, Jean-Yves , VOMIR, Mircea , ALBRECHT, Michèle
IPC分类号： B23K9/08 , B23K9/09 , G11B9/04 , G11B13/04 , H01C17/26
CPC分类号： B23K9/08 , B23K9/091 , G11B9/04 , G11B13/045 , H01C10/00 , H01C17/26

5. 发明公开

EP2989644A1 PROCEDE DE MODIFICATION DE LA VALEUR D'UNE RESISTANCE ELECTRIQUE COMPORTANT UN MATERIAU FERROMAGNETIQUE 有权
标题翻译：为了改变电阻的值具有磁材料的方法包括FERRO
公开(公告)号：EP2989644A1
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：EP14718966.6
申请日：2014-04-18
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： BIGOT, Jean-Yves , VOMIR, Mircea , ALBRECHT, Michèle
IPC分类号： H01C10/00 , H01C17/00 , H01C13/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B11/105 , G11B13/04
CPC分类号： B23K9/08 , B23K9/091 , G11B9/04 , G11B13/045 , H01C10/00 , H01C17/26
摘要： A method for modifying the value of a electric resistor (30), comprising a ferromagnetic material (31) having a first direction of magnetisation, comprising the following steps: a) illuminating a first area (32) of the ferromagnetic material (31) with a first LASER beam (14), such that this area is heated to a temperature greater than or equal to the Curie temperature of the ferromagnetic material (31); b) applying, to the first area (32), a magnetic field of which the direction is the opposite to the first direction of magnetisation of the ferromagnetic material (31) ; c) reducing the energy provided by the first LASER beam (14) at the first area (32) in order to allow the first area to cool to form a first controlled magnetic domain (36C).

6. 发明公开

EP1535333A1 METHOD FOR MODIFYING THE IMPEDANCE OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING A FOCUSED HEATING SOURCE 审中-公开
标题翻译：用于修饰的半导体部件的阻抗的方法使用聚焦热源
公开(公告)号：EP1535333A1
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：EP03787537.4
申请日：2003-08-08
申请人： Technologies Ltrim, Inc.
发明人： LACOURSE, Alain , LANGLOIS, Hugues , SAVARIA, Yvon , GAGNON, Yves
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/02 , H01C17/242 , H01L21/329 , H01L29/8605
CPC分类号： H01L28/20 , H01C17/26 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/76894 , H01L27/0802 , H01L29/66166
摘要： A method is provided for tuning (i.e. modifying, changing) the impedance of semiconductor components or devices using a focused heating source. The method may be exploited for finely tuning the impedance of semiconductor components or devices, by modifying the dopant profile of a region of low dopant concentration (i.e. increasing the dopant concentration) by diffusion of dopants from adjacent regions of higher dopant concentration through the melting action of a focused heating source, for example a laser. The present invention is in particular directed to the use of lasers in relation to circuits for the creation of conductive links and pathways where none existed before. The present invention more particularly relates to a means wherein impedance modification (i.e. trimming or tuning) may advantageously be carried out as a function of the location of one or more conductive bridge(s) along the length of a gap region.

7. 发明公开

EP0766293A3 Procédé de modification du dopage d'une couche de silicium 失效
标题翻译：改变硅层掺杂的方法
公开(公告)号：EP0766293A3
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：EP96410099.4
申请日：1996-09-24
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.
发明人： Kalnitsky, Alexander , Lepert, Arnaud
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/329 , H01C17/26 , H01L21/28 , H01L21/3215
CPC分类号： H01L28/20 , H01C17/26 , H01L21/28061 , H01L21/321
摘要： L'invention concerne un procédé de modification du dopage d'une région ou couche de silicium dopé, comprenant les étapes consistant à revêtir la région ou couche de silicium (11) d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (14) ; et à chauffer la région d'interface entre le silicium et le siliciure à une température choisie. Application à la fabrication d'une résistance ajustable ou d'un transistor MOS à tension de seuil ajustable.
摘要翻译：一种改变掺杂硅区域或层的掺杂的方法，包括以下步骤：用难熔金属（14）的硅化物层涂覆硅区域或层（11）; 以及在选定温度下加热硅和硅化物之间的界面区域。应用于制造可调电阻器或阈值电压可调的MOS晶体管。

8. 发明公开

EP0766293A2 Procédé de modification du dopage d'une couche de silicium 失效
标题翻译： Verfahren zurÄnderungder Dotierung einer Silizium-Schicht
公开(公告)号：EP0766293A2
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：EP96410099.4
申请日：1996-09-24
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A.
发明人： Kalnitsky, Alexander , Lepert, Arnaud
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/329 , H01C17/26 , H01L21/28 , H01L21/3215
CPC分类号： H01L28/20 , H01C17/26 , H01L21/28061 , H01L21/321
摘要： L'invention concerne un procédé de modification du dopage d'une région ou couche de silicium dopé, comprenant les étapes consistant à revêtir la région ou couche de silicium (11) d'une couche de siliciure d'un métal réfractaire (14) ; et à chauffer la région d'interface entre le silicium et le siliciure à une température choisie.
Application à la fabrication d'une résistance ajustable ou d'un transistor MOS à tension de seuil ajustable.
摘要翻译：修改从多个掺杂的硅区域或多个层选择的区域的掺杂的方法包括用难熔金属硅化物层（14）涂覆硅区域或层（11），然后加热所选择的硅区域和硅化物为750-1050摄氏度。硅是单晶或多晶硅，硅化物是硅化钛。还声称使用上述过程（i）产生。通过用硅化物（14a，14b）涂覆硅区域或层（11）的端部并加热硅和硅化物之间的界面区域来形成可调电阻器; 和（ii）产品。通过形成具有栅极区域的MOS晶体管的可调阈值电压MOS晶体管，栅极区包括栅极绝缘层，多晶硅和硅化钛区域，并加热硅与硅化物之间的界面区域。

9. 发明申请

US20120112823A1 METHOD TO MATCH SOI TRANSISTORS USING A LOCAL HEATER ELEMENT 有权
标题翻译：使用本地加热器元件匹配SOI晶体管的方法
公开(公告)号：US20120112823A1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：US13288449
申请日：2011-11-03
申请人： Andrew Marshall
发明人： Andrew Marshall
IPC分类号： G05F3/02 , H01L21/02 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/1203 , G05F3/02 , H01C17/26 , H01L21/32055 , H01L21/32155 , H01L21/84 , H01L23/345 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit with a matched transistor pair with a matching resistance heater coupled to each transistor of the matched transistor pair. A method for forming a matching resistance heater. A method for operating an SOI integrated circuit containing a matched transistor pair with a matching resistance heater coupled to each transistor of the matched transistor pair.
摘要翻译：具有匹配晶体管对的集成电路，其具有耦合到匹配晶体管对的每个晶体管的匹配电阻加热器。一种形成匹配电阻加热器的方法。一种用于操作含有匹配电阻加热器的匹配晶体管对的SOI集成电路的方法，耦合到匹配晶体管对的每个晶体管。

10. 发明授权

US07332402B2 Method for optically trimming electronic components 有权
标题翻译：光学修整电子部件的方法
公开(公告)号：US07332402B2
公开(公告)日：2008-02-19
申请号：US10846210
申请日：2004-05-14
申请人： William Freeman
发明人： William Freeman
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/00
CPC分类号： H01C17/06586 , H01C17/26 , H05K1/167 , H05K2203/107 , H05K2203/1142 , H05K2203/171
摘要： Methods for adjusting the bulk material properties of manufactured components, such as resistors, thermistors, varistors, capacitors, resonators, oscillators, and optical components. Adjustment of the resistance of a resistor can be achieved by directing a high energy beam, such as an ultraviolet beam, onto a resistor formed from a matrix component and an embedded conductive component. The high energy beam adjusts the resistivity of the resistor material substantially without ablating the matrix component by affecting the matrix component, the conductive component, or both. Because of the lack of ablation, the material having a property to be adjusted can be a sub-layer in a laminated structure, with the high energy beam being directed through other layers formed thereon.
摘要翻译：用于调节制造部件的体材料性质的方法，例如电阻器，热敏电阻器，变阻器，电容器，谐振器，振荡器和光学部件。可以通过将诸如紫外光束的高能束引导到由矩阵元件和嵌入的导电元件形成的电阻上来实现电阻器的电阻的调节。高能束通过影响基体组分，导电组分或两者而基本上不调节基质组分，从而调节电阻材料的电阻率。由于缺乏消融，具有待调整性质的材料可以是层叠结构中的子层，高能束被引导通过其上形成的其它层。

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