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1. 发明授权

CN1997691B 光固化的全氟聚醚用作微流体器件中的新材料有权转让
公开(公告)号：CN1997691B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200480034620.1
申请日：2004-09-23
申请人：北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 , 加州理工学院
发明人：约瑟夫·M.·德西蒙 , 贾森·P.·罗兰 , 斯蒂芬·R.·夸克 , 德里克·A.·绍兹曼 , 贾森·亚伯勒 , 迈克尔·范达姆
IPC分类号： C08J5/20 , H01M4/88 , H01M8/10 , B05D5/12
CPC分类号： B01L3/502707 , B01L3/0268 , B01L3/502738 , B01L7/52 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2400/0481 , B01L2400/0655 , B81B1/006 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81C2201/034 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08G18/5015 , C08G18/8116 , C08G65/007 , C08G65/33348 , C08G2650/48 , C09D163/00 , C09D171/02 , F16K99/0001 , F16K99/0015 , F16K99/0026 , F16K99/0034 , F16K99/0036 , F16K99/0042 , F16K99/0046 , F16K99/0051 , F16K99/0059 , F16K99/0061 , F16K99/0065 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , F16K2099/0086 , G03F7/0002 , Y10T137/0396 , Y10T428/24479 , Y10T428/249954 , Y10T428/3154
摘要：本发明公开了一种用作制造耐溶剂微流体器件的材料的官能化的光固化的全氟聚醚。这些耐溶剂的微流体器件可以用来控制少量流体(例如有机溶剂)的流动，并且进行在其它聚合物基微流体器件内不能进行的微尺度化学反应。

2. 发明授权

CN105229775B 形成衬底开口的方法有权
公开(公告)号：CN105229775B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201480028217.1
申请日：2014-04-24
申请人：美光科技公司
发明人：马克·基尔鲍赫
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/76804 , B44C1/227 , B81B2203/0315 , B81B2203/0323 , B81B2203/033 , B81B2203/0338 , B81B2203/0353 , B81C1/00103 , B81C1/00531 , G02B6/136 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/32 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/76232
摘要：本发明涉及种形成衬底开口的方法,所述方法包含在衬底中形成多个并排开口。紧邻并排开口中的至少些开口在所述衬底中形成到相对于彼此不同的深度。移除横向介于所述并排开口之间的壁以形成较大开口,所述较大开口具有非垂直侧壁表面,其中在至少个直线垂直横截面中移除所述壁,所述至少个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过所述侧壁表面。

3. 发明公开

CN1997691A 光固化的全氟聚醚用作微流体器件中的新材料有权转让
公开(公告)号：CN1997691A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200480034620.1
申请日：2004-09-23
申请人：北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 , 北卡罗来纳州大学 , 加州理工学院
发明人：约瑟夫·M.·德西蒙 , 贾森·P.·罗兰 , 斯蒂芬·R.·夸克 , 德里克·A.·绍兹曼 , 贾森·亚伯勒 , 迈克尔·范达姆
IPC分类号： C08J5/20 , H01M4/88 , H01M8/10 , B05D5/12
CPC分类号： B01L3/502707 , B01L3/0268 , B01L3/502738 , B01L7/52 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2400/0481 , B01L2400/0655 , B81B1/006 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81C2201/034 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08G18/5015 , C08G18/8116 , C08G65/007 , C08G65/33348 , C08G2650/48 , C09D163/00 , C09D171/02 , F16K99/0001 , F16K99/0015 , F16K99/0026 , F16K99/0034 , F16K99/0036 , F16K99/0042 , F16K99/0046 , F16K99/0051 , F16K99/0059 , F16K99/0061 , F16K99/0065 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , F16K2099/0086 , G03F7/0002 , Y10T137/0396 , Y10T428/24479 , Y10T428/249954 , Y10T428/3154
摘要：本发明公开了一种用作制造耐溶剂微流体器件的材料的官能化的光固化的全氟聚醚。这些耐溶剂的微流体器件可以用来控制少量流体(例如有机溶剂)的流动，并且进行在其它聚合物基微流体器件内不能进行的微尺度化学反应。

4. 发明公开

CN105229775A 形成衬底开口的方法有权
公开(公告)号：CN105229775A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480028217.1
申请日：2014-04-24
申请人：美光科技公司
发明人：马克·基尔鲍赫
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/76804 , B44C1/227 , B81B2203/0315 , B81B2203/0323 , B81B2203/033 , B81B2203/0338 , B81B2203/0353 , B81C1/00103 , B81C1/00531 , G02B6/136 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/32 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/76232
摘要：本发明涉及一种形成衬底开口的方法，所述方法包含在衬底中形成多个并排开口。紧邻并排开口中的至少一些开口在所述衬底中形成到相对于彼此不同的深度。移除横向介于所述并排开口之间的壁以形成较大开口，所述较大开口具有非垂直侧壁表面，其中在至少一个直线垂直横截面中移除所述壁，所述至少一个直线垂直横截面正交于所述经移除壁通过所述侧壁表面。

5. 发明公开

CN104412110A 微芯片和用于制造微芯片的方法无效
公开(公告)号：CN104412110A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035497.4
申请日：2013-05-09
申请人：索尼公司
发明人：渡边英俊 , 濑川雄司 , 加藤义明
IPC分类号： G01N35/08 , B01J19/00 , G01N37/00
CPC分类号： B32B27/08 , B01L3/502707 , B01L2200/0689 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B32B3/30 , B32B27/283 , B32B37/12 , B32B2383/00 , B32B2457/00 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81B2203/0338 , B81C3/001 , B81C2203/032 , G01N2035/00158 , Y10T428/24612
摘要：提供了用于增加构造微芯片的多个基板层的各基本层之间的接合强度的技术。提供了微芯片，该微芯片包括多个基板层，以及接合层，该接合层设置在基板层之间的界面处并且被配置为包括硅化合物，接合层的至少一个被配置为包括有机硅化合物。在该微芯片，即使结合不同材料的多个基板层，也可以增强多个基板层的各基板层之间的接合强度。

6. 发明公开

CN1708450A 用于制造微机电器件的方法和由该方法获得的微机电器件失效转让
公开(公告)号：CN1708450A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102053.4
申请日：2003-10-17
申请人：皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： J·T·M·范比克 , M·范格鲁特
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00595 , B81B2203/0323 , B81C2201/0142
摘要：本发明涉及一种制造微机电器件(10)的方法，在该方法中，在衬底(1)上依序地沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2)、由第一材料构成的第一电绝缘层(3)、由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4)、以及其中形成与第一电极相对的第二电极(5A)的第二导电层(5)，第二电极(5A)与第一电极(2A)以及第一绝缘层(3)一起形成器件(10)，其中在沉积第二导电层(5)之后，借助于相对于第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂除去第二绝缘层(4)。根据本发明，对于第一材料和第二材料，选择相对于彼此仅有有限的选择蚀刻性的材料；且在沉积第二绝缘层(4)之前，在第一绝缘层(3)的顶部上提供由另一材料构成的另一层(6)，该另一材料相对于第一材料可被选择蚀刻。这样，将氧化硅和氮化硅用于绝缘层(3、4)，且因此根据本发明的方法与当前的IC工艺非常兼容。优选地，通过蚀刻局部地除去第二绝缘层(4)，然后通过蚀刻完全除去另一层(6)，且最后通过蚀刻完全除去第二绝缘层(4)。

7. 发明公开

EP1694731A2 PHOTOCURABLE PERFLUOROPOLYETHERS FOR USE AS NOVEL MATERIALS IN MICROFLUIDIC DEVICES 有权
标题翻译：光固化的全氟聚醚用作微流体设备的新材料
公开(公告)号：EP1694731A2
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：EP04784924.5
申请日：2004-09-23
申请人： UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL , CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： DESIMONE, Joseph M. , ROLLAND, Jason P. , QUAKE, Stephen R. , SCHORZMAN, Derek A. , YARBROUGH, Jason , VAN DAM, Michael
IPC分类号： C08G20060101
CPC分类号： B01L3/502707 , B01L3/0268 , B01L3/502738 , B01L7/52 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2400/0481 , B01L2400/0655 , B81B1/006 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81C2201/034 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08G18/5015 , C08G18/8116 , C08G65/007 , C08G65/33348 , C08G2650/48 , C09D163/00 , C09D171/02 , F16K99/0001 , F16K99/0015 , F16K99/0026 , F16K99/0034 , F16K99/0036 , F16K99/0042 , F16K99/0046 , F16K99/0051 , F16K99/0059 , F16K99/0061 , F16K99/0065 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , F16K2099/0086 , G03F7/0002 , Y10T137/0396 , Y10T428/24479 , Y10T428/249954 , Y10T428/3154
摘要： A solvent-resistant microfluidio device (MD) is fabricated from a functionalized, photo-curable perfluoropolyether (PFPE). In one embodiment, a polymeric precursor (PP), comprising PFPE, is disposed on a patterned surface (PS) of a substrate (S), having raised protrusions (P). Ultraviolet light (UV) is applied to yield a patterned layer (PL) of photo-cured PFPE having recesses (R) comprising at least one channel (CH). Patterned layer (PL) is removed from patterned surface (PS) of substrate (S) to yield microfluidic device (MD).

8. 发明公开

EP2046676A2 FABRICATION DE DISPOSITIFS MICROFLUIDIQUES POLYMERIQUES PAR IMPRESSION PHOTO- ET/OU THERMO-ASSISTEE 审中-公开
标题翻译： HERSTELLUNG MIKROFLUIDISCHER POLYMERERGERÄTEDURCH LICHT- UND / ODERWÄRMEUNTERSTÜTZTESDRUCKEN
公开(公告)号：EP2046676A2
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：EP07823286.5
申请日：2007-07-16
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique , UNIVERSITE PIERRE ET MARIE CURIE (PARIS VI)
发明人： STUDER, Vincent , BARTOLO, Denis , DEGRE, Guillaume
IPC分类号： B81B1/00 , G03F7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00119 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81C2201/036 , B81C2203/032 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T137/0491 , Y10T137/2224 , Y10T137/598 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
摘要： Method for producing a microfluidic device comprising a step in which a stamp made of elastomeric material is used for printing a photo-curable and/ or heat-curable liquid disposed on a support.
摘要翻译：用于制造微流体装置的方法包括以下步骤：由弹性体材料制成的印模用于印刷设置在载体上的可光固化和/或热固化液体。

9. 发明公开

EP1556307A1 METHOD FOR MANUFACTURING A MICRO-ELECTROMECHANICAL DEVICE AND MICRO-ELECTROMECHANICAL DEVICE OBTAINED THEREWITH 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有这产生微机电器件微机电装置及方法
公开(公告)号：EP1556307A1
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：EP03751132.6
申请日：2003-10-17
申请人： Koninklijke Philips Electronics N.V.
发明人： VAN BEEK, Jozef, T., M. , VAN GROOTEL, Margot
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00595 , B81B2203/0323 , B81C2201/0142
摘要： The invention relates to a method of manufacturing a micro-electromechanical device ( 10 ), in which are consecutively deposited on a substrate ( 1 ) a first electroconductive layer ( 2 ) in which an electrode ( 2 A) is formed, a first electroinsulating layer ( 3 ) of a first material, a second electroinsulating layer ( 4 ) of a second material different from the first material, and a second electroconductive layer ( 5 ) in which a second electrode ( 5 A) lying opposite the first electrode is formed which together with the first electrode ( 2 A) and the first insulating layer ( 3 ) forms the device ( 10 ), in which after the second conductive layer ( 5 ) deposited, the second insulating layer ( 4 ) is removed by means of an etching agent which is selective with respect to the material of the second conductive layer ( 5 ). According to the invention for the first material and the second material materials are selected which are only limitedly selectively etchable with respect to each other and before depositing the second insulating layer ( 4 ) a further layer ( 6 ) is provided on top of the first insulating layer ( 3 ) of a further material that is selectively etchable with respect to the first material. In this way a silicon oxide and a silicon nitride may be applied for the insulating layers ( 3, 4 ) and thus the method according to the invention is very compatible with current IC processes. The second insulating layer ( 4 ) is preferably removed locally by etching, then the further layer ( 6 ) is completely removed by etching and, finally, the second insulating layer ( 4 ) is completely removed by etching.

10. 发明申请

US20150239217A1 MICROCHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译： MICROCHIP及其制造方法
公开(公告)号：US20150239217A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：US14408498
申请日：2013-05-09
申请人： Sony Corporation
发明人： Hidetoshi Watanabe , Yuji Segawa , Yoshiaki Kato
IPC分类号： B32B27/08 , B32B3/30 , B01L3/00 , B32B37/12 , B32B27/28
CPC分类号： B32B27/08 , B01L3/502707 , B01L2200/0689 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B32B3/30 , B32B27/283 , B32B37/12 , B32B2383/00 , B32B2457/00 , B81B2201/058 , B81B2203/0323 , B81B2203/0338 , B81C3/001 , B81C2203/032 , G01N2035/00158 , Y10T428/24612
摘要： There is provided a microchip including a plurality of substrate layers, and bonding layers provided at boundary surfaces between the substrate layers and configured to include a silicon compound. At least one of the bonding layers is configured to include an organic silicon compound.
摘要翻译：提供了一种微芯片，其包括多个基板层，以及设置在基板层之间的边界面处的接合层，并且被配置为包括硅化合物。至少一个结合层被构造成包括有机硅化合物。

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