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1. 发明专利

JP2003045767A Method for regulating temperature in resist treatment 审中-公开
标题翻译：用于调节耐药性温度的方法
公开(公告)号：JP2003045767A
公开(公告)日：2003-02-14
申请号：JP2002195181
申请日：2002-07-03
申请人： Infineon Technologies Sc300 Gmbh & Co Kg , インフィネオンテクノロジースエスシー300 ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーコマンディートゲゼルシャフト
发明人： SCHEDEL THORSTEN , SEIDEL TORSTEN
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/38 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for regulating a resist temperature to improve a yield, when a wafer is manufactured.
SOLUTION: This method comprises a step of providing at least one first semiconductor wafer coated with resist, a step of exposing the first semiconductor wafer together with a projected reticle test pattern, a step of performing a first resist treatment on the first semiconductor wafer at a first temperature, a step of deciding a first sidewall angle of a pattern in the resist on the first semiconductor wafer, a step of producing a signal when the first resist sidewall angle exceeds a predetermined threshold level, and a step of regulating a temperature of the resist treatment in response to the signal.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO
摘要翻译：要解决的问题：提供一种当制造晶片时调节抗蚀剂温度以提高产率的方法。解决方案：该方法包括提供涂覆有抗蚀剂的至少一个第一半导体晶片的步骤，将第一半导体晶片与突出的掩模版测试图案一起曝光的步骤，在第一半导体晶片上以第一温度，确定第一半导体晶片上的抗蚀剂中的图案的第一侧壁角度的步骤，当第一抗蚀剂侧壁角超过预定阈值水平时产生信号的步骤，以及调节响应信号抗拒治疗。

2. 发明专利

TW200417721A 測量工具品質退化之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING THE DEGRADATION OF A TOOL 失效
简体标题：测量工具品质退化之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING THE DEGRADATION OF A TOOL
公开(公告)号：TW200417721A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092105203
申请日：2003-03-11
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. , 億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG , 億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：麥可羅森納 MICHAEL ROESNER , 曼弗德史尼根 MANFRED SCHNEEGANS , 大衛瓦里斯 DAVID WALLIS
IPC分类号： B23Q , G01J , G01N
CPC分类号： B24B37/005 , B23Q17/0909 , B23Q17/24 , B24B21/04 , B24B27/0683 , B24B49/12 , B24B49/183 , G01N21/65
摘要：本發明提供一種加工裝置(10)，包含可移動地安裝用以從工作物(14)上移除去材料之一材料移除工具(12)、用以照明(42，54)一工具表面上之一取樣區域(34)之複數個裝置利用激發輻射，用以接收(42，54)從取樣區域發出的取樣光線之複數個裝置、用以執行該接收到取樣光線的光譜分析之一光譜分析儀(54)、以及從取樣光線的光譜分析，用以在該取樣區域，決定(60)該工具的狀況之複數個裝置。該工具(12)的磨損狀況是由此狀況決定的。該加工裝置(10)的操作參數依照該決定的磨耗而被調整。一晶圓切割工具便是一應用例子。
简体摘要：本发明提供一种加工设备(10)，包含可移动地安装用以从工作物(14)上移除去材料之一材料移除工具(12)、用以照明(42，54)一工具表面上之一采样区域(34)之复数个设备利用激发辐射，用以接收(42，54)从采样区域发出的采样光线之复数个设备、用以运行该接收到采样光线的光谱分析之一光谱分析仪(54)、以及从采样光线的光谱分析，用以在该采样区域，决定(60)该工具的状况之复数个设备。该工具(12)的磨损状况是由此状况决定的。该加工设备(10)的操作参数依照该决定的磨耗而被调整。一晶圆切割工具便是一应用例子。

3. 发明专利

TWI283059B 抗反射覆膜材料,具有抗反射覆膜層之半導體產品及方法 ANTI-REFLECTIVE COATING MATERIAL, SEMICONDUCTOR PRODUCT WITH AN ARC LAYER AND METHODS 失效
简体标题：抗反射复膜材料,具有抗反射复膜层之半导体产品及方法 ANTI-REFLECTIVE COATING MATERIAL, SEMICONDUCTOR PRODUCT WITH AN ARC LAYER AND METHODS
公开(公告)号：TWI283059B
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：TW091102903
申请日：2002-02-20
申请人：億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：史帝芬赫尼格 STEFFEN HORNIG , 狄特瑪甘茲 DIETMAR GANZ
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02B1/11 , G03F7/091
摘要：本發明係關於覆蓋一半導體基板的抗反射覆膜(ARC)層(2)，該ARC層由一基材物質(3)及另一非基材物質材料的奈米結晶粒子(4)製作而成。根據本發明，奈米結晶粒子(4)藉量子尺度效應吸收光。藉此提供一種新的ARC層，特別是吸收的ARC層。
简体摘要：本发明系关于覆盖一半导体基板的抗反射复膜(ARC)层(2)，该ARC层由一基材物质(3)及另一非基材物质材料的奈米结晶粒子(4)制作而成。根据本发明，奈米结晶粒子(4)藉量子尺度效应吸收光。借此提供一种新的ARC层，特别是吸收的ARC层。

4. 发明专利

TW200510230A 用以運作一半導體製造廠之方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR FACTORY 审中-公开
简体标题：用以运作一半导体制造厂之方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR OPERATING A SEMICONDUCTOR FACTORY
公开(公告)号：TW200510230A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW092133333
申请日：2003-11-27
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. , 億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG , 億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：柯林頓哈里斯 HARIS, CLINTON , 史文哈恩 HAHN, SVEN , 卡利漢茲舒曼 HANTZSCHMANN, KARLI , 安得烈溫特傑斯 WINTERGERST, ANDREAS , 湯瑪斯鮑爾 BAUER, THOMAS , 迪耶特舒奈德 SCHNEIDER, DIETER , 蓋戴維斯 DAVIS, GUY , 馬汀派特 PEITER, MARTIN
IPC分类号： B65G
CPC分类号： H01L21/67276 , G05B19/41815 , G05B2219/45031 , G05B2219/49134 , G05B2219/50358 , Y02P90/08 , Y02P90/14
摘要：本發明係關於一種用以運作一半導體製造廠之方法及系統。該製造廠包括處理半導體晶圓之裝備(8)以及一自動化材料處理系統(12)。本發明包括：當一晶圓由一特別工具(10)處理時，夾住一晶圓載體(16)、在處理之後，持續夾住該晶圓載體(16)，以及當該自動化材料處理系統(12)準備好從該工具(10)移除該晶圓載體(16)時，鬆開該晶圓載體(16)。
简体摘要：本发明系关于一种用以运作一半导体制造厂之方法及系统。该制造厂包括处理半导体晶圆之装备(8)以及一自动化材料处理系统(12)。本发明包括：当一晶圆由一特别工具(10)处理时，夹住一晶圆载体(16)、在处理之后，持续夹住该晶圆载体(16)，以及当该自动化材料处理系统(12)准备好从该工具(10)移除该晶圆载体(16)时，松开该晶圆载体(16)。

5. 发明专利

TWI272653B 曝光半導體晶圓之方法 METHOD FOR EXPOSING A SEMICONDUCTOR WAFER 有权
简体标题：曝光半导体晶圆之方法 METHOD FOR EXPOSING A SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TWI272653B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW090126744
申请日：2001-10-29
申请人：億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：索斯坦塞德 THORSTEN SCHEDEL , 圖斯坦塞迪爾 TORSTEN SEIDEL
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/70558 , G03F7/70425 , Y10S438/946
摘要：本發明提供一種曝光半導體晶圓之方法，其提供了製程不均勻性的補償效果，例如在半導體蝕刻或沉積製程中，其係藉由調整個別橫跨一半導體晶圓(10)的任何曝光範圍(21)的一曝光工具之曝光參數(30)組合，最好為劑量及焦距。
简体摘要：本发明提供一种曝光半导体晶圆之方法，其提供了制程不均匀性的补偿效果，例如在半导体蚀刻或沉积制程中，其系借由调整个别横跨一半导体晶圆(10)的任何曝光范围(21)的一曝光工具之曝光参数(30)组合，最好为剂量及焦距。

6. 发明专利

TW574121B 運送半導體晶圓載體的裝置有权
简体标题：运送半导体晶圆载体的设备
公开(公告)号：TW574121B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW090124416
申请日：2001-10-03
申请人：億恒科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：馬汀彼得 MARTIN PEITER
IPC分类号： H01L , B65G
CPC分类号： H01L21/67775 , H01L21/67724 , H01L21/67727 , H01L21/67736 , Y10S414/14
摘要：對於機架型態結構之半導體晶圓運送系統而言，提供一種裝置具有機架之間軌道(10)與機架之內軌道(20)，彼此安裝，以及此機架之間系統運送車(11)與機架之內系統載體移轉車(21)，可以自由地在機架區域裡雙向移動而彼此不阻礙。此載體移轉車的設計使得晶圓載體(1)可直接從運送車(11)載入至處理機器的載入埠(31)。
此裝置簡化且加速運送，同時強化晶圓運送中運送車的彈性。
简体摘要：对于机架型态结构之半导体晶圆运送系统而言，提供一种设备具有机架之间轨道(10)与机架之内轨道(20)，彼此安装，以及此机架之间系统运送车(11)与机架之内系统载体移转车(21)，可以自由地在机架区域里双向移动而彼此不阻碍。此载体移转车的设计使得晶圆载体(1)可直接从运送车(11)加载至处理机器的加载端口(31)。此设备简化且加速运送，同时强化晶圆运送中运送车的弹性。

7. 发明专利

TWI244685B 沉積在一處理室側壁上之一層之厚度監視配置 ARRANGEMENT FOR MONITORING A THICKNESS OF A LAYER DEPOSITING ON THE SIDEWALL OF A PROCESSING CHAMBER 失效
简体标题：沉积在一处理室侧壁上之一层之厚度监视配置 ARRANGEMENT FOR MONITORING A THICKNESS OF A LAYER DEPOSITING ON THE SIDEWALL OF A PROCESSING CHAMBER
公开(公告)号：TWI244685B
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW091135149
申请日：2002-12-04
申请人：億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：活特坎吉德 VOLKER TEGEDER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/4407 , C23C16/52 , G01B11/0683
摘要：一光源(1)發射一光束(6)至電漿室(5)的感測器(2)上，其利用光經尚偵測器(3)背上之沉積層的反射或再發射提供沉積於其表面(58)上之膜層的厚度量測，且偵測器最好固定於電漿室(5)之外，此配置允許在半導體製造之電漿CVD或電漿蝕刻製程中沉積層(10)成長厚度的線上量測。提供一具有感測器(2)之鏡層(53)，比較反射光強度與入射光束(6)強度，並藉由已知的吸收或干涉曲線來決定厚度。另一方法為，利用入射光束(6)活化感測器(2)中之發光層，特別是在其飽和區域，再發射光之吸收亦提供了感測器(2)之表面(58)上的沉積層之厚度決定。比較量測強度與臨界弦度，可發出開始濕式清潔步驟之信號，或是可計算出推測必須要濕式清潔之剩餘時間。
简体摘要：一光源(1)发射一光束(6)至等离子室(5)的传感器(2)上，其利用光经尚侦测器(3)背上之沉积层的反射或再发射提供沉积于其表面(58)上之膜层的厚度量测，且侦测器最好固定于等离子室(5)之外，此配置允许在半导体制造之等离子CVD或等离子蚀刻制程中沉积层(10)成长厚度的在线量测。提供一具有传感器(2)之镜层(53)，比较反射光强度与入射光束(6)强度，并借由已知的吸收或干涉曲线来决定厚度。另一方法为，利用入射光束(6)活化传感器(2)中之发光层，特别是在其饱和区域，再发射光之吸收亦提供了传感器(2)之表面(58)上的沉积层之厚度决定。比较量测强度与临界弦度，可发出开始湿式清洁步骤之信号，或是可计算出推测必须要湿式清洁之剩余时间。

8. 发明专利

TWI235690B 用以調節拋光墊之裝置和方法 Arrangement and method for conditioning a polishing pad 失效
简体标题：用以调节抛光垫之设备和方法 Arrangement and method for conditioning a polishing pad
公开(公告)号：TWI235690B
公开(公告)日：2005-07-11
申请号：TW091113625
申请日：2002-06-21
申请人：億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：彼得佛斯特曼 PETER FAUSTMANN , 安德魯普魯斯 ANDREAS PURATH , 華特葛雷蕭瑟 WALTER GLASHAUSER , 班諾歐特斯 UTESS, BENNO
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B53/017 , B24B49/02 , B24B49/16
摘要：一種使用於化學機械拋光(chemical mechanical polishing， CMP)之拋光墊(1)之厚度外型之在場(in-situ)測試；係藉由裝置用以測距之感應器(7)以及調整器(6)而致能。該等感測器(7)係提供以用作例如(7a至7c)的一些雷射感測器；由高於該墊(1)平面之某經校正的高度，進行一項間接性測試；或是將該感應器(7)用作例如雷射感應器(7a至7c)，或超音波感應器(7e)，由該墊面至此墊滾筒接觸面執行一項直接厚度測試。於調整期間，藉由同時移動感應器(7a，7b)以及調整器(6)，或設置感應器(7c)於沿著高於該墊面(1)例如某定距的導軌(14)，以獲得厚度外形(10)；將第二個感應器(7d)架設於其位置，即可進行對拋光滾筒(2)的參考距離測試；其中該位置係於滾筒(2)上不存在任何墊位(例如一個洞或該邊緣)。使用具有陡峭的斜率的不良厚度外形(10)之裝置可偵測出造成影響半導體裝置(4)之平面的拋光不均勻現象，並將發出警告信息。由於不需作破壞性測微計之測量，於是能延長該墊(1)的壽命，且能增加該裝置的產能。
简体摘要：一种使用于化学机械抛光(chemical mechanical polishing， CMP)之抛光垫(1)之厚度外型之在场(in-situ)测试；系借由设备用以测距之感应器(7)以及调整器(6)而致能。该等传感器(7)系提供以用作例如(7a至7c)的一些激光传感器；由高于该垫(1)平面之某经校正的高度，进行一项间接性测试；或是将该感应器(7)用作例如激光感应器(7a至7c)，或超音波感应器(7e)，由该垫面至此垫滚筒接触面运行一项直接厚度测试。于调整期间，借由同时移动感应器(7a，7b)以及调整器(6)，或设置感应器(7c)于沿着高于该垫面(1)例如某定距的导轨(14)，以获得厚度外形(10)；将第二个感应器(7d)架设于其位置，即可进行对抛光滚筒(2)的参考距离测试；其中该位置系于滚筒(2)上不存在任何垫位(例如一个洞或该边缘)。使用具有陡峭的斜率的不良厚度外形(10)之设备可侦测出造成影响半导体设备(4)之平面的抛光不均匀现象，并将发出警告信息。由于不需作破坏性测微计之测量，于是能延长该垫(1)的寿命，且能增加该设备的产能。

9. 发明专利

TW200422137A 晶圓研磨之裝置及方法 APPARATUS FOR AND METHOD OF WAFER GRINDING 审中-公开
简体标题：晶圆研磨之设备及方法 APPARATUS FOR AND METHOD OF WAFER GRINDING
公开(公告)号：TW200422137A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092131251
申请日：2003-11-07
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. , 億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG , 億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：曼佛瑞舒尼根 MANFRED SCHNEEGANS , 麥可羅斯那 MICHAEL ROESNER , 大衛瓦里斯 DAVID WALLIS
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B7/228 , B24B49/12 , B24B49/16
摘要：本發明係揭示一種用於晶圓研磨之裝置(10)，其包含感測器(38)以及一光譜分析器，用以於研磨一半導體晶圓(12)期間對該等感測器(38)所接收之光線執行光譜分析。基於該光譜分析，該研磨程序停止，或施加於該半導體晶圓上之該力改變。此原位監視會降低破損率以及該半導體晶圓(12)之過熱。
简体摘要：本发明系揭示一种用于晶圆研磨之设备(10)，其包含传感器(38)以及一光谱分析器，用以于研磨一半导体晶圆(12)期间对该等传感器(38)所接收之光线运行光谱分析。基于该光谱分析，该研磨进程停止，或施加于该半导体晶圆上之该力改变。此原位监视会降低破损率以及该半导体晶圆(12)之过热。

10. 发明专利

TW200410309A 沈積在一處理室側壁上之一層之厚度監視配置 ARRANGEMENT FOR MONITORING A THICKNESS OF A LAYER DEPOSITING ON THE SIDEWALL OF A PROCESSING CHAMBER 失效
简体标题：沉积在一处理室侧壁上之一层之厚度监视配置 ARRANGEMENT FOR MONITORING A THICKNESS OF A LAYER DEPOSITING ON THE SIDEWALL OF A PROCESSING CHAMBER
公开(公告)号：TW200410309A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW091135149
申请日：2002-12-04
申请人：億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：活特坎吉德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/4407 , C23C16/52 , G01B11/0683
摘要：一光源(1)發射一光束(6)至電漿室(5)的感測器(2)上，其利用光經由偵測器(3)背上之沉積層的反射或再發射提供沉積於其表面(58)上之膜層的厚度量測，且偵測器最好固定於電漿室(5)之外，此配置允許在半導體製造之電漿CVD或電漿蝕刻製程中沉積層(10)成長厚度的線上量測。提供一具有感測器(2)之鏡層(53)，比較反射光強度與入射光束(6)強度，並藉由已知的吸收或干涉曲線來決定厚度。另一方法為，利用入射光束(6)活化感測器(2)中之發光層，特別是在其飽和區域，再發射光之吸收亦提供了感測器(2)之表面(58)上的沉積層之厚度決定。比較量測強度與臨界強度，可發出開始濕式清潔步驟之信號，或是可計算出推測必須要濕式清潔之剩餘時間。
简体摘要：一光源(1)发射一光束(6)至等离子室(5)的传感器(2)上，其利用光经由侦测器(3)背上之沉积层的反射或再发射提供沉积于其表面(58)上之膜层的厚度量测，且侦测器最好固定于等离子室(5)之外，此配置允许在半导体制造之等离子CVD或等离子蚀刻制程中沉积层(10)成长厚度的在线量测。提供一具有传感器(2)之镜层(53)，比较反射光强度与入射光束(6)强度，并借由已知的吸收或干涉曲线来决定厚度。另一方法为，利用入射光束(6)活化传感器(2)中之发光层，特别是在其饱和区域，再发射光之吸收亦提供了传感器(2)之表面(58)上的沉积层之厚度决定。比较量测强度与临界强度，可发出开始湿式清洁步骤之信号，或是可计算出推测必须要湿式清洁之剩余时间。

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