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1. 发明专利

TWI244685B 沉積在一處理室側壁上之一層之厚度監視配置 ARRANGEMENT FOR MONITORING A THICKNESS OF A LAYER DEPOSITING ON THE SIDEWALL OF A PROCESSING CHAMBER 失效
简体标题：沉积在一处理室侧壁上之一层之厚度监视配置 ARRANGEMENT FOR MONITORING A THICKNESS OF A LAYER DEPOSITING ON THE SIDEWALL OF A PROCESSING CHAMBER
公开(公告)号：TWI244685B
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW091135149
申请日：2002-12-04
申请人：億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG
发明人：活特坎吉德 VOLKER TEGEDER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32935 , C23C16/4407 , C23C16/52 , G01B11/0683
摘要：一光源(1)發射一光束(6)至電漿室(5)的感測器(2)上，其利用光經尚偵測器(3)背上之沉積層的反射或再發射提供沉積於其表面(58)上之膜層的厚度量測，且偵測器最好固定於電漿室(5)之外，此配置允許在半導體製造之電漿CVD或電漿蝕刻製程中沉積層(10)成長厚度的線上量測。提供一具有感測器(2)之鏡層(53)，比較反射光強度與入射光束(6)強度，並藉由已知的吸收或干涉曲線來決定厚度。另一方法為，利用入射光束(6)活化感測器(2)中之發光層，特別是在其飽和區域，再發射光之吸收亦提供了感測器(2)之表面(58)上的沉積層之厚度決定。比較量測強度與臨界弦度，可發出開始濕式清潔步驟之信號，或是可計算出推測必須要濕式清潔之剩餘時間。
简体摘要：一光源(1)发射一光束(6)至等离子室(5)的传感器(2)上，其利用光经尚侦测器(3)背上之沉积层的反射或再发射提供沉积于其表面(58)上之膜层的厚度量测，且侦测器最好固定于等离子室(5)之外，此配置允许在半导体制造之等离子CVD或等离子蚀刻制程中沉积层(10)成长厚度的在线量测。提供一具有传感器(2)之镜层(53)，比较反射光强度与入射光束(6)强度，并借由已知的吸收或干涉曲线来决定厚度。另一方法为，利用入射光束(6)活化传感器(2)中之发光层，特别是在其饱和区域，再发射光之吸收亦提供了传感器(2)之表面(58)上的沉积层之厚度决定。比较量测强度与临界弦度，可发出开始湿式清洁步骤之信号，或是可计算出推测必须要湿式清洁之剩余时间。

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