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1. 发明专利

TWI283922B 形成位元線、位元線接觸及動態記憶體單元之方法 A METHOD OF FORMING A BITLINE AND A BITLINE CONTACT AND A DYNAMIC MEMORY CELL 失效
简体标题：形成比特线、比特线接触及动态内存单元之方法 A METHOD OF FORMING A BITLINE AND A BITLINE CONTACT AND A DYNAMIC MEMORY CELL
公开(公告)号：TWI283922B
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：TW091112209
申请日：2002-06-06
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：艾伯克特克斯里區 ALBRECHT KIESLICH
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： H01L27/10885 , H01L27/10888
摘要：本發明係關於一種形成連接至一動態隨機存取記憶體(DRAM)單元陣列之一位元線(1)與一位元線接觸(2)之方法，以及揭示一種具有該方法製造之至少一位元線及一位元線接觸的動態隨機存取記憶體單元陣列。該位元線(1)及該位元線接觸(2)係以兩步驟製程所形成，其中首先使該位元線接觸(2)形成於一第一介電層(4)，然後，將該位元線(1)界定在一第二介電層(5)中，其中該位元線之導電材料的電阻率低於該位元線接觸材料的電阻率。根據本發明較佳具體實施例，該第二介電層(5)係以低k介電質所製成。最好在沈積位元線材料及視需要沈積低k介電質之前，先進行標準 DRAM製程中通常執行的保留能力退火製程。
简体摘要：本发明系关于一种形成连接至一动态随机存取内存(DRAM)单元数组之一比特线(1)与一比特线接触(2)之方法，以及揭示一种具有该方法制造之至少一比特线及一比特线接触的动态随机存取内存单元数组。该比特线(1)及该比特线接触(2)系以两步骤制程所形成，其中首先使该比特线接触(2)形成于一第一介电层(4)，然后，将该比特线(1)界定在一第二介电层(5)中，其中该比特线之导电材料的电阻率低于该比特线接触材料的电阻率。根据本发明较佳具体实施例，该第二介电层(5)系以低k介电质所制成。最好在沉积比特线材料及视需要沉积低k介电质之前，雪铁龙行标准 DRAM制程中通常运行的保留能力退火制程。

2. 发明专利

TWI237262B 數位磁性記憶單元裝置 Digital magnetic memory cell device 失效
简体标题：数码磁性记忆单元设备 Digital magnetic memory cell device
公开(公告)号：TWI237262B
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW091112789
申请日：2002-06-12
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：漢斯玻伊娃 HANS BOEVE
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/16
摘要：用於讀及/或寫操作之數位磁性記憶單元裝置，具有一軟磁讀及/或寫層系統及至少一硬磁參考層系統形成為一AAF系統，包括一AAF層複合物及至少一參考層，參考層系統包括至少一鐵磁層配置成與AAF層複合物之磁層相鄰，在該情況下抗鐵磁層(10)之厚度尺寸依此具有一單軸各向異性。
简体摘要：用于读及/或写操作之数码磁性记忆单元设备，具有一软磁读及/或写层系统及至少一硬磁参考层系统形成为一AAF系统，包括一AAF层复合物及至少一参考层，参考层系统包括至少一铁磁层配置成与AAF层复合物之磁层相邻，在该情况下抗铁磁层(10)之厚度尺寸依此具有一单轴各向异性。

3. 发明专利

TW200417721A 測量工具品質退化之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING THE DEGRADATION OF A TOOL 失效
简体标题：测量工具品质退化之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING THE DEGRADATION OF A TOOL
公开(公告)号：TW200417721A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092105203
申请日：2003-03-11
申请人：摩托羅拉公司 MOTOROLA INC. , 億恆科技SC300公司 INFINEON TECHNOLOGIES SC300 GMBH & CO. KG , 億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：麥可羅森納 MICHAEL ROESNER , 曼弗德史尼根 MANFRED SCHNEEGANS , 大衛瓦里斯 DAVID WALLIS
IPC分类号： B23Q , G01J , G01N
CPC分类号： B24B37/005 , B23Q17/0909 , B23Q17/24 , B24B21/04 , B24B27/0683 , B24B49/12 , B24B49/183 , G01N21/65
摘要：本發明提供一種加工裝置(10)，包含可移動地安裝用以從工作物(14)上移除去材料之一材料移除工具(12)、用以照明(42，54)一工具表面上之一取樣區域(34)之複數個裝置利用激發輻射，用以接收(42，54)從取樣區域發出的取樣光線之複數個裝置、用以執行該接收到取樣光線的光譜分析之一光譜分析儀(54)、以及從取樣光線的光譜分析，用以在該取樣區域，決定(60)該工具的狀況之複數個裝置。該工具(12)的磨損狀況是由此狀況決定的。該加工裝置(10)的操作參數依照該決定的磨耗而被調整。一晶圓切割工具便是一應用例子。
简体摘要：本发明提供一种加工设备(10)，包含可移动地安装用以从工作物(14)上移除去材料之一材料移除工具(12)、用以照明(42，54)一工具表面上之一采样区域(34)之复数个设备利用激发辐射，用以接收(42，54)从采样区域发出的采样光线之复数个设备、用以运行该接收到采样光线的光谱分析之一光谱分析仪(54)、以及从采样光线的光谱分析，用以在该采样区域，决定(60)该工具的状况之复数个设备。该工具(12)的磨损状况是由此状况决定的。该加工设备(10)的操作参数依照该决定的磨耗而被调整。一晶圆切割工具便是一应用例子。

4. 发明专利

TW588440B 積體電路晶片之接腳墊重新繞線失效
简体标题：集成电路芯片之接脚垫重新绕线
公开(公告)号：TW588440B
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：TW091119801
申请日：2002-08-30
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：哈瑞海德勒 HARRY HEDLER , 芭芭拉維斯克茲 BARBARA VASQUEZ , 索斯頓梅爾 THORSTEN MEYER , 史蒂芬羅克米奇 STEFAN RUCKMICH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/06136 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
摘要：本發明揭示了一種用於晶圓級封裝(尤其是晶片尺寸封裝)形成印刷式重新繞線之方法。本方法包含下列步驟：在一半導體晶粒上形成一接觸層；在該接觸層上形成一導電重新分佈結構；以及利用該導電重新分佈結構作為一自我對準掩蔽層，而蝕刻該晶粒之該接觸層。本方法由於捨棄了微影及電鍍的昂貴製程，而大幅降低了在晶圓級封裝中產生重新分佈結構之複雜性及成本。此外，由於利用重新分佈結構作為自我對準掩蔽層，而改善了對準，並減少了所需的製程數，因而產生較大的生產最佳化及效率。
简体摘要：本发明揭示了一种用于晶圆级封装(尤其是芯片尺寸封装)形成印刷式重新绕线之方法。本方法包含下列步骤：在一半导体晶粒上形成一接触层；在该接触层上形成一导电重新分布结构；以及利用该导电重新分布结构作为一自我对准掩蔽层，而蚀刻该晶粒之该接触层。本方法由于舍弃了微影及电镀的昂贵制程，而大幅降低了在晶圆级封装中产生重新分布结构之复杂性及成本。此外，由于利用重新分布结构作为自我对准掩蔽层，而改善了对准，并减少了所需的制程数，因而产生较大的生产最优化及效率。

5. 发明专利

TW587254B 用以測試同步記憶體電路之測試電路失效
简体标题：用以测试同步内存电路之测试电路
公开(公告)号：TW587254B
公开(公告)日：2004-05-11
申请号：TW091106315
申请日：2002-03-29
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：伍夫甘恩斯特 WOLFGANG ERNST , 剛挪克勞斯 GUNNAR KRAUSE , 爵斯特斯甘 JUSTUS KUHN , 珍路普克 JENS LUPKE , 彼特波克慕勒 PETER POECHMULLER , 鳩成慕勒 JOCHEN MUELLER , 麥克席坦哈爾姆 MICHAEL SCHITTENHELM
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/48
摘要：一種用以測試同步記憶體電路(3)之測試電路，具有一頻率乘法電路(4)，其藉由一特殊頻率乘法因數，乘以由一外部測試單元所接收之低頻時脈信號之時脈頻率，以產生待測同步記憶晶片(3)之高頻時脈信號；一測試資料產生器(16)，其基於外部測試單元(2)所接收之資料控制信號，而產生測試資料，並將測試資料輸出至資料輸出驅動器(14)，俾將資料寫入待測同步記憶體電路(3)；一第一信號延遲電路(19)，用以在一可調整第一延遲時間，延遲由測試資料產生器(16)輸出之測試資料；一第二信號延遲電路(24)，用以在一可調整第二延遲時間，延遲由待測同步記億體電路(3)讀取且在測試電路(1)中由資料輸入驅動器(15)接收之資料；及具有一資料比較電路(27)，比較測試資料產生器(16)所產生之測試資料與記憶體電路(3)所讀取之資料，並依比較結果，輸出一指示信號至外部測試單元(2)，由外部測試單元(2)指示是否操作待測同步記憶體電路。
简体摘要：一种用以测试同步内存电路(3)之测试电路，具有一频率乘法电路(4)，其借由一特殊频率乘法因子，乘以由一外部测试单元所接收之低频时脉信号之时钟频率，以产生待测同步记忆芯片(3)之高频时脉信号；一测试数据产生器(16)，其基于外部测试单元(2)所接收之数据控制信号，而产生测试数据，并将测试数据输出至数据输出驱动器(14)，俾将数据写入待测同步内存电路(3)；一第一信号延迟电路(19)，用以在一可调整第一延迟时间，延迟由测试数据产生器(16)输出之测试数据；一第二信号延迟电路(24)，用以在一可调整第二延迟时间，延迟由待测同步记亿体电路(3)读取且在测试电路(1)中由数据输入驱动器(15)接收之数据；及具有一数据比较电路(27)，比较测试数据产生器(16)所产生之测试数据与内存电路(3)所读取之数据，并依比较结果，输出一指示信号至外部测试单元(2)，由外部测试单元(2)指示是否操作待测同步内存电路。

6. 发明专利

TW577092B 線圈結構之製造方法有权
简体标题：线圈结构之制造方法
公开(公告)号：TW577092B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW091105892
申请日：2002-03-26
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：哈拉德剛拉克 HARALD GUNDLACH , 珍雷兜 JENS RIEDEL
IPC分类号： H01F
CPC分类号： G06K19/07779 , G06K19/07749 , H01F5/003 , H01F41/041 , H01F2017/006
摘要：將互相並列之金屬條拖至一撓性載體材料(1)之上側，將金屬條末端封閉以形成線圈狀導體軌跡並永久性連接。使用快速轉動滾筒之旋轉製程，可以低成本高單位數製造此線圈結構。
简体摘要：将互相并列之金属条拖至一挠性载体材料(1)之上侧，将金属条末端封闭以形成线圈状导体轨迹并永久性连接。使用快速转动滚筒之旋转制程，可以低成本高单位数制造此线圈结构。

7. 发明专利

TW575918B 具有低電氣電阻之含金屬薄層之製造方法有权
简体标题：具有低电气电阻之含金属薄层之制造方法
公开(公告)号：TW575918B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW091122735
申请日：2002-10-02
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：漢斯瓊琦巴斯 HANS-JOACHIM BARTH
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76838
摘要：本發明係有關一種製造具有低電氣電阻之含金屬薄膜之方法，其中首先具有第一粒徑之含金屬層(5')形成至再結晶厚度(d1)，然後於此再結晶厚度(d1)，進行再結晶俾製造具有較大粒徑之含金屬層(5")。最後具有較大粒徑之含金屬層(5")被減薄至預定目標厚度(d2)，結果獲得極薄之含金屬層，其具有進一步減低之電氣電阻。
简体摘要：本发明系有关一种制造具有低电气电阻之含金属薄膜之方法，其中首先具有第一粒径之含金属层(5')形成至再结晶厚度(d1)，然后于此再结晶厚度(d1)，进行再结晶俾制造具有较大粒径之含金属层(5")。最后具有较大粒径之含金属层(5")被减薄至预定目标厚度(d2)，结果获得极薄之含金属层，其具有进一步减低之电气电阻。

8. 发明专利

TW569397B 具垂直金氧半導體電晶體之動態隨機存取記憶體單元配置及其製造方法失效
简体标题：具垂直金属氧化物半导体晶体管之动态随机存取内存单元配置及其制造方法
公开(公告)号：TW569397B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091110504
申请日：2002-05-20
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：迪爾席羅捨 TILL SCHLOESSER , 布來恩李 BRIAN LEE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10858 , H01L27/10852 , H01L27/10876
摘要：本發明揭示一種沿著該記憶體單元矩陣之其中一行配置的通道區(6)，係為受閘極介電層(9)包圍之肋條(7)的各部份。位於其中一列的金氧半導體電晶體閘電極(11，12)係帶狀字元線(10)的各部份，因此在該記憶體單元矩陣的每個交叉點處，都會有一垂直雙閘金氧半導體電晶體，該相關聯字元線(10)的閘電極(11，12)係形成於相關聯的肋條(7)兩側的溝渠(5)內。
简体摘要：本发明揭示一种沿着该内存单元矩阵之其中一行配置的信道区(6)，系为受闸极介电层(9)包围之肋条(7)的各部份。位于其中一列的金属氧化物半导体晶体管闸电极(11，12)系带状字符线(10)的各部份，因此在该内存单元矩阵的每个交叉点处，都会有一垂直双闸金属氧化物半导体晶体管，该相关联字符线(10)的闸电极(11，12)系形成于相关联的肋条(7)两侧的沟渠(5)内。

9. 发明专利

TW569091B 在目標記憶體位置儲存大量資料之方法以及儲存系統有权
简体标题：在目标内存位置存储大量数据之方法以及存储系统
公开(公告)号：TW569091B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW091100935
申请日：2002-01-22
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：法蘭茲約瑟夫布魯克梅爾 FRANZ-JOSEF BRUECKLMAYR , 賀格塞德拉 HOLGER SEDLAK , 沃夫根波克蘭特 WOLFGANG POCKRANDT , 克莉斯汀梅 CHRISTIAN MAY
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G11C16/105 , G11C16/102
摘要：本發明揭示一種在目標記憶體位置儲存大量資料的方法，該方法先將該資料量儲存在一非揮發性緩衝記憶體位置(10)中。接下來檢查該資料是否成功地儲存到訪非揮發性緩衝記憶體位置(10)。若檢查步驟產生肯定的結果，則將該預定量之資料所要寫入的目標記憶體位置(12)清空。在目標記憶體位置(12)清空的步驟之後，資料從非揮發性緩衝記憶體位置(10)傳送到目標記憶體位置(12)。儲存循環結束時，會清空非揮發性緩衝記憶體(10)，以供新的儲存操作使用。藉此所得效益便是可從一來源記憶體(20)將資訊以安全且簡單的方式傳送到目標記憶體(12)。
简体摘要：本发明揭示一种在目标内存位置存储大量数据的方法，该方法先将该数据量存储在一非挥发性缓冲内存位置(10)中。接下来检查该数据是否成功地存储到访非挥发性缓冲内存位置(10)。若检查步骤产生肯定的结果，则将该预定量之数据所要写入的目标内存位置(12)清空。在目标内存位置(12)清空的步骤之后，数据从非挥发性缓冲内存位置(10)发送到目标内存位置(12)。存储循环结束时，会清空非挥发性缓冲内存(10)，以供新的存储操作使用。借此所得效益便是可从一来源内存(20)将信息以安全且简单的方式发送到目标内存(12)。

10. 发明专利

TW200303677A 資料處理裝置 Data processing device 审中-公开
简体标题：数据处理设备 Data processing device
公开(公告)号：TW200303677A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091135968
申请日：2002-12-12
申请人：億恒科技公司 INFINEON TECHNOLOGIES AKTIENGESELLSCHAFT
发明人：葛那艾史坦 GERNOT ECKSTEIN , 湯瑪斯庫慕 THOMAS KUENEMUND , 漢葛希拉克 HOLGER SEDLAK
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04L9/12 , H04L9/0891
摘要：本發明係關於一種資料處理裝置，其具有：匯流排系統；以及加密裝置，用於解密和加密在該匯流排系統上傳輸之資訊；以及至少一金鑰改變裝置，用於交換使用之金鑰。根據本發明之資料處理裝置的特徵為，以不規則時間間隔自動地改變使用之金鑰。該等時間間隔較佳在自動狀態機之幫助下由亂數定義。
简体摘要：本发明系关于一种数据处理设备，其具有：总线系统；以及加密设备，用于解密和加密在该总线系统上载输之信息；以及至少一密钥改变设备，用于交换使用之密钥。根据本发明之数据处理设备的特征为，以不守则时间间隔自动地改变使用之密钥。该等时间间隔较佳在自动状态机之帮助下由乱数定义。

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