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    • 2. 发明授权
    • Perpendicular magnetic recording transducer with AFM insertion layer
    • 带AFM插入层的垂直磁记录传感器
    • US08493693B1
    • 2013-07-23
    • US13436694
    • 2012-03-30
    • Yuankai ZhengQunwen LengMahendra PakalaCheng-Han Yang
    • Yuankai ZhengQunwen LengMahendra PakalaCheng-Han Yang
    • G11B5/127
    • G11B5/3906G01R33/093G11B5/3929H01F10/30H01F10/3254H01F10/3272H01L43/08
    • A magnetic sensor is configured to reside in proximity to a recording medium during use. The sensor includes a magnetic top shield and a magnetic bottom shield. A top sensor stack is under the magnetic top shield and includes magnetic sensing layers. A bottom sensor stack is between the magnetic bottom shield and the top sensor stack. The bottom sensor stack includes a magnetic seed stack above the bottom shield, an insertion stack above the magnetic seed stack, and an antiferromagnetic (AFM) layer on and in contact with the insertion stack. A pinned layer is above the AFM layer. An AFM coupling layer is above the pinned layer. In some aspects the insertion stack may include at least one of Ti, Hf, Zr, and Ta. In some aspect, the insertion stack includes a layer of elemental Ti. In other aspects, the insertion stack includes multilayer structures.
    • 磁传感器被配置为在使用期间驻留在记录介质附近。 传感器包括磁性顶部屏蔽和磁性底部屏蔽。 顶部传感器堆叠在磁性顶部屏蔽下方,并且包括磁感应层。 底部传感器堆叠位于磁性底部屏蔽和顶部传感器叠层之间。 底部传感器堆叠包括在底部屏蔽物上方的磁性种子​​堆叠,在磁性种子堆叠上方的插入堆叠,以及与插入堆叠接触并与其接触的反铁磁(AFM)层。 被钉扎层位于AFM层之上。 AFM耦合层位于钉扎层之上。 在一些方面,插入叠层可以包括Ti,Hf,Zr和Ta中的至少一种。 在一些方面,插入堆叠包括元素Ti层。 在其他方面,插入堆叠包括多层结构。