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1. 发明申请

US20120009791A1 PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
标题翻译：模式形成方法
公开(公告)号：US20120009791A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：US13175349
申请日：2011-07-01
申请人： Yingkang ZHANG , Masafumi Asano , Takeshi Koshiba
发明人： Yingkang ZHANG , Masafumi Asano , Takeshi Koshiba
IPC分类号： H01L21/311 , B29C35/08
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： According to one embodiment, a pattern formation method is disclosed. The method can include filling an imprint material between a first protrusion-depression pattern of a first pattern transfer layer formed on a first replica substrate and a second pattern transfer layer being transparent to energy radiation and formed on a second replica substrate transparent to the energy radiation. The method can include curing the imprint material by irradiating the imprint material with the energy radiation from an opposite surface side of the second replica substrate. The method can include releasing the first protrusion-depression pattern from the imprint material. The method can include forming a second protrusion-depression pattern in the second pattern transfer layer by processing the second pattern transfer layer using the imprint material as a mask.
摘要翻译：根据一个实施例，公开了图案形成方法。该方法可以包括在形成在第一复制基板上的第一图案转移层的第一突起 - 凹陷图案和对能量辐射透明的第二图案转移层之间填充压印材料，并形成在对能量辐射透明的第二复制基板上。该方法可以包括通过用来自第二复制基板的相对表面侧的能量辐射照射压印材料来固化压印材料。该方法可以包括从压印材料释放第一突起 - 凹陷图案。该方法可以包括通过使用压印材料作为掩模处理第二图案转印层来在第二图案转印层中形成第二突起凹陷图案。

2. 发明申请

US20130224635A1 MASK PATTERN CREATION METHOD, RECORDING MEDIUM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译：掩模图形创建方法，记录介质和半导体器件制造方法
公开(公告)号：US20130224635A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：US13604076
申请日：2012-09-05
申请人： Yoko TAKEKAWA , Masafumi ASANO , Yingkang ZHANG , Kazuhiro TAKAHATA , Tomoko OJIMA
发明人： Yoko TAKEKAWA , Masafumi ASANO , Yingkang ZHANG , Kazuhiro TAKAHATA , Tomoko OJIMA
IPC分类号： G03F1/68 , G03F7/20 , G03F1/72
CPC分类号： G03F7/0002
摘要： According to one embodiment, a mask pattern creation method includes extracting an area, in which a DSA material is directed self-assembled to form a DSA pattern, from a design pattern area based on a design pattern and information on the DSA material. The method also includes creating a guide pattern that causes the DSA pattern to be formed in the area based on the design pattern, the information on the DSA material, the area, and a design constraint when forming the guide pattern. The method further includes creating a mask pattern of the guide pattern using the guide pattern.
摘要翻译：根据一个实施例，掩模图案创建方法包括基于设计图案和关于DSA材料的信息，从设计图案区域提取其中DSA材料被自组装以形成DSA图案的区域。该方法还包括在形成引导图案时，基于设计图案，关于DSA材料的信息，面积以及设计约束，创建导致DSA图案在该区域中形成的引导图案。该方法还包括使用引导图案创建引导图案的掩模图案。

3. 发明申请

US20120315349A1 TEMPLATE, TEMPLATE MANUFACTURING METHOD, AND TEMPLATE MANUFACTURING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：模板，模板制造方法和模板制造设备
公开(公告)号：US20120315349A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：US13424879
申请日：2012-03-20
申请人： Yingkang ZHANG , Masafumi ASANO
发明人： Yingkang ZHANG , Masafumi ASANO
IPC分类号： B29C33/40 , B29C41/52
CPC分类号： B29C33/424 , B29C43/021 , B29C43/18 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： According to one embodiment, a template includes: a base substrate; and a pattern portion provided on the base substrate and including a concave-convex pattern formed from a master pattern. The concave-convex pattern is provided in a distorted state with respect to the master pattern in accordance with a distortion of an underlying pattern formed on a substrate to which a shape of the concave-convex pattern is to be transferred.
摘要翻译：根据一个实施例，模板包括：基底; 以及设置在所述基底基板上并且包括由主图案形成的凹凸图案的图案部分。根据形成在凹凸图案的形状的基板上形成的下面的图案的变形，凹凸图案相对于主图案呈畸变状态。

4. 发明申请

US20120244717A1 RESIN REMOVAL METHOD, RESIN REMOVAL APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：树脂去除方法，树脂去除装置和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20120244717A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：US13233583
申请日：2011-09-15
申请人： Yingkang ZHANG , Katsuyoshi KODERA , Tetsuaki MATSUNAWA , Masanori TAKAHASHI
发明人： Yingkang ZHANG , Katsuyoshi KODERA , Tetsuaki MATSUNAWA , Masanori TAKAHASHI
IPC分类号： H01L21/268 , B29C35/08
CPC分类号： G03F7/427 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： According to one embodiment, a resin removal method is provided. In the resin removal method, near-field light is generated in a local area of a pattern concave-convex portion on a pattern master used for imprinting by irradiating the pattern master with ultraviolet light in an ashing gas atmosphere which removes resin attached to the pattern master. Then, the resin is removed from the pattern master by using the ashing gas and the near-field light.
摘要翻译：根据一个实施例，提供树脂去除方法。在树脂去除方法中，通过在附着于图案的灰色气体气氛中用紫外线照射图案母版的图案母版上的图案凹凸部分的局部区域中产生近场光，主。然后，通过使用灰化气体和近场光从图案母版去除树脂。

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