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    • 7. 发明授权
    • Level shifter utilizing input controlled zero threshold blocking transistors
    • 电平移位器利用输入控制的零阈值阻塞晶体管
    • US07053656B2
    • 2006-05-30
    • US10859952
    • 2004-06-03
    • Jin-Ho Seo
    • Jin-Ho Seo
    • H03K19/0175H03K19/094
    • H03K19/09485H03K19/018528
    • Level shifter circuits include zero threshold transistors that reduce a voltage seen by a switching transistor of the level shifter circuits and may increase blocking of static current in the level shifter circuit. The zero threshold transistors are controlled based on the input to the level shifter circuit. Thin oxide transistors may be used to provide low threshold voltages for the switching transistors. Additional level shifter circuits include serially connected zero threshold transistors that act as switching transistors in a current mirror or latch-type level shifter circuit.
    • 电平移位器电路包括零阈值晶体管,其降低由电平移位器电路的开关晶体管看到的电压,并且可能增加电平移位器电路中的静态电流的阻塞。 基于对电平移位器电路的输入来控制零阈值晶体管。 薄氧化物晶体管可用于为开关晶体管提供低阈值电压。 附加电平移位器电路包括串联连接的零阈值晶体管,其用作电流镜或闩锁型电平移位器电路中的开关晶体管。