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1. 发明公开

KR20200145705A 더미 셀의 제어 방법 및 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200145705A
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：KR20200071874
申请日：2020-06-12
申请人： WINBOND ELECTRONICS CORP
发明人： ARAKAWA KENICHI , OKABE SHO
IPC分类号： G11C16/04 , G11C8/08 , G11C16/08 , G11C16/16
摘要： [과제] 메모리셀의문턱값분포의안정화를도모하는고신뢰성의반도체장치및 더미셀의제어방법을제공한다. [해결수단] NAND 스트링은, 소스선측선택트랜지스터(SEL_S), 소스선측의더미셀(DCS), 복수의메모리셀(MC0 내지 MC31), 비트선측의더미셀(DCD) 및비트선측선택트랜지스터(SEL_D)를포함한다. 본발명의더미셀을제어하는방법은, 선택된블록의소거후에, 해당블록의더미셀(DCS)에접속된더미워드선(DWLS)에프로그램전압을인가해서더미셀(DCS)을프로그램상태로프로그래밍하는단계를포함한다.

2. 发明专利

JP2015041390A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2015041390A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2013170147
申请日：2013-08-20
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション , Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： MURAKAMI HIROKI , ARAKAWA KENICHI
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/24 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C16/30
摘要：【課題】正確なクランプ電圧を生成するクランプ電圧生成回路を提供する。【解決手段】本発明のクランプ電圧生成回路200は、ドレインがVDD電源に結合され、ソースがノードN5に結合され、クランプ電圧がゲートに結合されたエミュレート用のトランジスタ220と、ノードN5と接地電位との間に接続され、ノードN5から接地電位に流れる電流を設定する電流設定回路230と、ノードN5からフィードバックされた電圧と基準電圧VREFとを入力し、VCLMP電圧を出力するレギュレータ210とを有する。電流設定回路230は、ビット線BLの電流を複製可能であり、電荷転送トランジスタTGにエミュレート用のトランジスタ220を近似させることができる。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供产生精确钳位电压的钳位电压产生电路。解决方案：本发明的钳位电压产生电路200包括：用于仿真的晶体管220，其中漏极耦合到VDD电源，源极耦合到节点N5，并且钳位电压耦合到栅极; 连接在节点N5和接地电位之间的电流设定电路230，其设定从节点N5流过地电位的电流; 以及调节器210，其接收从节点N5反馈的电压的输入和参考电压VREF，并输出VCLMP电压。电流设定电路230可以复制位线BL的电流，并且可以近似晶体管220进行仿真到电荷转移晶体管TG。

3. 发明专利

JP2012018706A Semiconductor memory 有权
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：JP2012018706A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2010153979
申请日：2010-07-06
申请人： Winbond Electronics Corp , ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
发明人： KAMINAGA TAKEHIRO , YANO MASARU , YOSHIDA MUNEHIRO , AOKI MINORU , ARAKAWA KENICHI
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory capable of accurately controlling a shift amount of a threshold of a memory cell.SOLUTION: A semiconductor memory in the present invention comprises: a memory cell array 100 including multiple memory cells which are arranged in a form of matrix and are capable of accumulating an electric charge; row selection means for selecting a memory cell in a row direction of the memory cell array; and write control means for writing data by applying a write pulse to the memory cell selected by the row selection means. When the write control means applies at least first and second temporally-continued write pulses P1 and P2, the second write pulse P2 has a low-voltage width portion VpgmL lower than a voltage of the first write pulse 1, and a high-voltage width portion VpgmH higher than a voltage of the first write pulse.
摘要翻译：解决的问题：提供能够精确地控制存储单元的阈值的偏移量的半导体存储器。解决方案：本发明的半导体存储器包括：存储单元阵列100，其包括以矩阵形式排列并且能够积累电荷的多个存储单元; 行选择装置，用于选择存储单元阵列的行方向上的存储单元; 以及写入控制装置，用于通过向由行选择装置选择的存储单元施加写入脉冲来写入数据。当写入控制装置至少施加第一和第二时间连续写入脉冲P1和P2时，第二写入脉冲P2具有低于第一写入脉冲1的电压的低电压宽度部分VpgmL，并且高电压宽度部分VpgmH高于第一写入脉冲的电压。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2013257927A Semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2013257927A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2012133521
申请日：2012-06-13
申请人： Winbond Electronics Corp , ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人： ARAKAWA KENICHI
IPC分类号： G11C29/00 , G06F12/16
CPC分类号： G11C16/06 , G11C16/04 , G11C29/82 , H01L2224/16145
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory device including a redundancy function that allows data to be read or written at a higher speed.SOLUTION: A memory device 20 includes a flash memory 40 and a controller 30 that controls the flash memory 40. The flash memory includes: a memory area having a plurality of storage elements; a redundant memory area having a plurality of storage elements; and a redundancy information storage unit 140 that stores redundancy information for the storage elements in the memory area. The redundancy information storage unit 140 transfers, in response to a request from the controller 30, the redundancy information to the controller 30. The controller 30 includes: a request unit that requests transfer of the redundancy information to the flash memory; a redundancy information holding unit that holds the redundancy information; and a control unit that controls data that is read from the flash memory or data that is written to the flash memory, on the basis of the held redundancy information.
摘要翻译：要解决的问题：提供包括允许以更高速度读取或写入数据的冗余功能的存储器件。解决方案：存储器件20包括闪存40和控制闪存40的控制器30。闪速存储器包括：具有多个存储元件的存储区域; 具有多个存储元件的冗余存储区域; 以及冗余信息存储单元140，其将存储元件的冗余信息存储在存储区域中。冗余信息存储单元140响应于来自控制器30的请求将冗余信息传送到控制器30.控制器30包括：请求单元，请求将冗余信息传送到闪速存储器; 冗余信息保持单元，其保存所述冗余信息; 以及控制单元，其基于所保持的冗余信息来控制从闪速存储器读取的数据或写入闪速存储器的数据。

5. 发明专利

JP2011253591A Semiconductor memory 有权
标题翻译：半导体存储器
公开(公告)号：JP2011253591A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：JP2010126880
申请日：2010-06-02
申请人： Winbond Electronics Corp , ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
发明人： YANO MASARU , YOSHIDA MUNEHIRO , AOKI MINORU , ARAKAWA KENICHI
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory capable of reducing capacity interference between memory cells and writing data in a short period of time.SOLUTION: The semiconductor memory 10 has: a memory cell array which includes nonvolatile memory cells arranged in a matrix shape and can store i value data, and in which a plurality of memory cells are connected in series to form one cell unit, each unit cell is connected to a bit line in a corresponding column direction, and a memory cell in a row direction is connected to a corresponding word line; selecting means for selecting a page; holding means for holding write data; and write control means for using the write data held by the holding means to perform writing on the selected page. The write control means has a DBL write sequence for performing writing on the selected page, and an Oneway write sequence for dividing the selected page into a plurality of groups after the DBL write sequence, and performing writing on each divided group.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在短时间内减少存储单元之间的容量干扰并写入数据的半导体存储器。解决方案：半导体存储器10具有：存储单元阵列，其包括以矩阵形状排列并且可以存储i值数据的非易失性存储单元，并且其中多个存储器单元串联连接以形成一个单元单元，每个单位单元被连接到相应列方向上的位线，并且行方向上的存储单元连接到对应的字线; 用于选择页面的选择装置; 用于保存写入数据的保持装置; 以及写入控制装置，用于使用由保持装置保存的写入数据在所选择的页面上执行写入。写入控制装置具有用于在所选择的页面上执行写入的DBL写入序列和用于在DBL写入序列之后将所选择的页面分成多个组的单向写入序列，并且对每个划分的组执行写入。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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