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1. 发明授权

US5432371A Monolithically integrated circuit 失效
标题翻译：单片集成电路
公开(公告)号：US5432371A
公开(公告)日：1995-07-11
申请号：US167839
申请日：1993-12-20
申请人： Volkmar Denner , Wolfgang Troelenberg , Peter Brauchle , William-Neil Fox , Neil Davies
发明人： Volkmar Denner , Wolfgang Troelenberg , Peter Brauchle , William-Neil Fox , Neil Davies
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/02 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7803 , H01L27/0251 , H01L2924/0002
摘要： A monolithically integrated circuit arrangement is arranged in a disc-shaped monocrystalline semiconductor body (100) of a first conductivity type, which semiconductor body consists of silicon and has a first and second main surface. The monolithically integrated circuit arrangement contains a vertical MOSFET power transistor (T1) which consists of a plurality of partial transistors connected in parallel and surrounded by a guard ring (4) of a second conductivity type opposite that of the semiconductor body (100). Proceeding from the first main surface (13), at least one zone (7, 8) of the conductivity type of the semiconductor body (100) but of increased impurity concentration is diffused into the guard ring (4) so as to form at least one active and/or passive peripheral circuit element (T2) which has a protective and/or regulating and/or control function.
摘要翻译： PCT No.PCT / DE92 / 00479 Sec。 371日期：1993年12月20日 102（e）日期1993年12月20日PCT提交1992年6月10日PCT公布。公开号WO93 / 00709 日期：1993年1月7日。单片集成电路布置在第一导电类型的盘状单晶体半导体本体（100）中，该半导体主体由硅组成并具有第一和第二主表面。单片集成电路装置包括垂直MOSFET功率晶体管（T1），其由并联连接并由与半导体本体（100）相反的第二导电类型的保护环（4）包围的多个部分晶体管组成。从第一主表面（13）开始，半导体主体（100）的导电类型的至少一个区域（7,8）扩散到保护环（4）中，以至少形成具有保护和/或调节和/或控制功能的一个有源和/或无源外围电路元件（T2）。

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