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    • 3. 发明申请
      US20080000354A1 Microporous Tectosilicate and Method for the Production Thereof 审中-公开
    • Microporous Tectosilicate and Method for the Production Thereof
    • 微孔硅酸铜及其生产方法
    • US20080000354A1
    • 2008-01-03
    • US11578286
    • 2005-04-13
    • Ulrich Muller , Gerald Lippert , James Brown , Hermann Gies , Bernd Marler , Nadine Stroter , Yingxia Wang
    • Ulrich Muller , Gerald Lippert , James Brown , Hermann Gies , Bernd Marler , Nadine Stroter , Yingxia Wang
    • C01B33/20 , B01D53/02 , B01J37/00 , B29C69/02
    • C01B33/20 , C01B39/02 , C01B39/04
    • The present invention relates to a tectosilicate having an X-ray diffraction pattern in which at least the following reflections occur: Intensity (%)Diffraction angle 2θ/° [Cu K(alpha 1)] 100 9.8-10.2 24-3411.0-11.4  9-1915.5-15.9 12-2219.4-19.6 19-2919.6-19.8 100% relating to the intensity of the maximum peak in the X-ray diffraction pattern.
    • 本发明涉及至少具有以下反射的X射线衍射图案的片状硅酸盐：
      < /> 强度（％） 衍射角2θ/°[Cu K（alpha 1）] 100 10.2 24-34 11.0-11.4 9-19 15.5-15.9 19-22-19.6 > 表> 与X射线衍射图中的最大峰的强度有关的100％。
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        • 5. 发明申请
          US20110133303A1 MIM/MIS structure with praseodymium titanate or praseodymium oxide as insulator material 有权
        • MIM/MIS structure with praseodymium titanate or praseodymium oxide as insulator material
        • 具有镨钛酸镨或氧化镨作为绝缘体材料的MIM / MIS结构
        • US20110133303A1
        • 2011-06-09
        • US11547578
        • 2005-04-08
        • Gunther Lippert , Gerald Lippert
        • Gunther Lippert , Gerald Lippert
        • H01L29/00
        • H01L27/0248 , H01L21/765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
        • A semiconductor component including a first integrated circuit in a substrate which is adapted to produce electrical signals with a high-frequency signal component, wherein the substrate is such that the high-frequency signal component can propagate on a substrate surface and/or in the substrate interior, a second integrated circuit in the same substrate which is such that its function can be compromised by high-frequency signals, and a countersignal circuit in the same substrate which is adapted to deliver an electrical countersignal which at least at a selected location of the substrate surface and/or the substrate interior attenuates or eliminates the high-frequency electrical signal component emanating from the first integrated circuit, wherein the countersignal circuit includes a receiver which is adapted to produce an electrical signal dependent on the instantaneous field strength of the high-frequency signal component, and a shielding transistor provided in the substrate and having a control electrode and a first field electrode and a second field electrode, whose control electrode is connected on the input side to the receiver and whose first and second field electrodes are acted upon with a predeterminable first and second electrical potential.
        • 一种半导体元件，包括在衬底中的第一集成电路，其适于产生具有高频信号分量的电信号，其中所述衬底使得所述高频信号分量可以在衬底表面和/或所述衬底中传播 内部，在相同基板中的第二集成电路，其功能可以被高频信号损害，以及在相同基板中的基准信号电路，其适于传递电信号，该电信号至少在所选择的位置处 衬底表面和/或衬底内部衰减或消除从第一集成电路发出的高频电信号分量，其中，该信号电路包括接收器，该接收器适于产生取决于高频电信号的瞬时场强的电信号， 频率信号分量，以及设置在基板中的屏蔽晶体管 控制电极和第一场电极和第二场电极，其控制电极在输入侧连接到接收器，并且其第一和第二场电极具有可预定的第一和第二电位。
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        • 6. 发明授权
          US08227888B2 Semiconductor component with countersignal circuit for preventing crosstalk between electronic assemblies 有权
        • Semiconductor component with countersignal circuit for preventing crosstalk between electronic assemblies
        • 具有用于防止电子组件之间串扰的集中电路的半导体部件
        • US08227888B2
        • 2012-07-24
        • US11547578
        • 2005-04-08
        • Gunther Lippert , Gerald Lippert
        • Gunther Lippert , Gerald Lippert
        • H01L29/00
        • H01L27/0248 , H01L21/765 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
        • A semiconductor component including a first integrated circuit in a substrate which is adapted to produce electrical signals with a high-frequency signal component, wherein the substrate is such that the high-frequency signal component can propagate on a substrate surface and/or in the substrate interior, a second integrated circuit in the same substrate which is such that its function can be compromised by high-frequency signals, and a countersignal circuit in the same substrate which is adapted to deliver an electrical countersignal which at least at a selected location of the substrate surface and/or the substrate interior attenuates or eliminates the high-frequency electrical signal component emanating from the first integrated circuit, wherein the countersignal circuit includes a receiver which is adapted to produce an electrical signal dependent on the instantaneous field strength of the high-frequency signal component, and a shielding transistor provided in the substrate and having a control electrode and a first field electrode and a second field electrode, whose control electrode is connected on the input side to the receiver and whose first and second field electrodes are acted upon with a predeterminable first and second electrical potential.
        • 一种半导体元件，包括在衬底中的第一集成电路，其适于产生具有高频信号分量的电信号，其中所述衬底使得所述高频信号分量可以在衬底表面和/或所述衬底中传播 内部，在相同基板中的第二集成电路，其功能可以被高频信号损害，以及在相同基板中的基准信号电路，其适于传递电信号，该电信号至少在所选择的位置处 衬底表面和/或衬底内部衰减或消除从第一集成电路发出的高频电信号分量，其中，该信号电路包括接收器，该接收器适于产生取决于高频电信号的瞬时场强的电信号， 频率信号分量，以及设置在基板中的屏蔽晶体管 控制电极和第一场电极和第二场电极，其控制电极在输入侧连接到接收器，并且其第一和第二场电极具有可预定的第一和第二电位。
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