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    • 6. 发明专利
    • Dispositivos fotosensibles orgánicos con filtros portadores de carga de bloqueo de excitón
    • ES2791779T3
    • 2020-11-05
    • ES14731841
    • 2014-04-14
    • UNIV MICHIGAN REGENTSUNIV SOUTHERN CALIFORNIA
    • FORREST STEPHENXIAO XINZIMMERMAN JERAMYBERGEMANN KEVINPANDA ANURAGLASSITER BRIANTHOMPSON MARKBARTYNSKI ANDREWTRINH CONG
    • H01L51/42
    • Un dispositivo optoelectrónico fotosensible orgánico que comprende: dos electrodos (110) en relación superpuesta que comprenden un ánodo (140) y un cátodo (140); una región fotoactiva que comprende al menos un material donante y al menos un material aceptor dispuesto entre los dos electrodos para formar una heterojuntura donante-aceptor, en el que el al menos un material aceptor tiene un nivel de energía orbital molecular no ocupado más bajo (LUMOAcc) y un nivel más alto nivel de energía orbital molecular ocupado (HOMOAcc), y el al menos un material donante tiene un nivel de energía orbital molecular más bajo ocupado (LUMOdon) y un nivel de energía orbital molecular más alto ocupado (HOMODon); y un filtro de electrones bloqueador de excitones dispuesto entre el cátodo y el al menos un material aceptor, en el que el filtro de electrones comprende una mezcla que comprende al menos un material de intervalo de energía amplia del lado del cátodo y al menos un material conductor de electrones, y en el que el al menos un material de brecha de energía ancha del lado del cátodo tiene: - un nivel de energía orbital molecular más bajo no ocupado (LUMOCS-WG) menor o igual que el LUMOAcc; - un nivel de energía orbital molecular más alto ocupado (HOMOCS-WG) mayor que, igual o dentro de 0.3 eV más pequeño que el HOMOAcc; y - una brecha energética HOMOCS-WG-LUMOCS-WG más amplia que una brecha energética HOMOAcc-LUMOAcc ; en el que el al menos un material conductor de electrones tiene un nivel de energía orbital molecular no ocupado más bajo (LUMOEC) mayor que, igual o dentro de 0.2 eV más pequeño que el LUMOAcc; en el que un primer nivel de energía HOMO o LUMO es "menor que" un segundo nivel de energía HOMO o LUMO si el primer nivel de energía HOMO o LUMO está más cerca del nivel de vacío que el segundo nivel de energía HOMO o LUMO, un primer nivel de energía HOMO o LUMO es "mayor que" que un segundo nivel de energía HOMO o LUMO si el primer nivel de energía HOMO o LUMO está más alejado del nivel de vacío que el segundo nivel de energía HOMO o LUMO, y dos niveles de energía orbitales son "iguales" entre sí si su las energías coinciden con el décimo lugar decimal; y en el que la mezcla comprende al menos un material de brecha de energía amplia del lado del cátodo y el al menos un material conductor de electrones en una relación que varía de 10:1 a 1:10 en volumen.
    • 8. 发明申请
    • STRAIN CONTROL FOR ACCELERATION OF EPITAXIAL LIFT-OFF
    • 用于加速外力提升的应变控制
    • WO2013184638A3
    • 2014-02-20
    • PCT/US2013044028
    • 2013-06-04
    • UNIV MICHIGAN
    • FORREST STEPHEN RLEE KYUSANGZIMMERMAN JERAMY
    • H01L31/18H01L21/78
    • H01L21/7813H01L21/7806H01L31/1892Y02E10/50
    • There is disclosed a thin film device for epitaxial lift off comprising a handle and one or more straining layers disposed on the handle, wherein the one or more straining layers induce a curvature of the handle. There is also disclosed a method of fabricating a thin film device for epitaxial lift off comprising, depositing one or more straining layers on a handle, wherein the one or more straining layers induce at least one strain on the handle chosen from tensile strain, compressive strain and near-neutral strain. There is also disclosed a method for epitaxial lift off comprising, depositing an epilayer over a sacrificial layer disposed on a growth substrate; depositing one or more straining layers on at least one of the growth substrate and a handle; bonding the handle to the growth substrate; and etching the sacrificial layer.
    • 公开了一种用于外延剥离的薄膜装置,其包括手柄和设置在手柄上的一个或多个应变层,其中所述一个或多个应变层引起手柄的曲率。 还公开了一种制造用于外延剥离的薄膜装置的方法,包括:在手柄上沉积一个或多个应变层,其中所述一个或多个应变层在所述手柄上引起至少一个应变,所述应变选自拉伸应变,压缩应变 和近中性应变。 还公开了一种用于外延剥离的方法,包括:在设置在生长衬底上的牺牲层上沉积外延层; 在生长衬底和手柄中的至少一个上沉积一个或多个应变层; 将手柄结合到生长衬底; 并蚀刻牺牲层。