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1. 发明专利

ES2791779T3 Dispositivos fotosensibles orgánicos con filtros portadores de carga de bloqueo de excitón 未知
公开(公告)号：ES2791779T3
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：ES14731841
申请日：2014-04-14
申请人： UNIV MICHIGAN REGENTS , UNIV SOUTHERN CALIFORNIA
发明人： FORREST STEPHEN , XIAO XIN , ZIMMERMAN JERAMY , BERGEMANN KEVIN , PANDA ANURAG , LASSITER BRIAN , THOMPSON MARK , BARTYNSKI ANDREW , TRINH CONG
IPC分类号： H01L51/42
摘要： Un dispositivo optoelectrónico fotosensible orgánico que comprende: dos electrodos (110) en relación superpuesta que comprenden un ánodo (140) y un cátodo (140); una región fotoactiva que comprende al menos un material donante y al menos un material aceptor dispuesto entre los dos electrodos para formar una heterojuntura donante-aceptor, en el que el al menos un material aceptor tiene un nivel de energía orbital molecular no ocupado más bajo (LUMOAcc) y un nivel más alto nivel de energía orbital molecular ocupado (HOMOAcc), y el al menos un material donante tiene un nivel de energía orbital molecular más bajo ocupado (LUMOdon) y un nivel de energía orbital molecular más alto ocupado (HOMODon); y un filtro de electrones bloqueador de excitones dispuesto entre el cátodo y el al menos un material aceptor, en el que el filtro de electrones comprende una mezcla que comprende al menos un material de intervalo de energía amplia del lado del cátodo y al menos un material conductor de electrones, y en el que el al menos un material de brecha de energía ancha del lado del cátodo tiene: - un nivel de energía orbital molecular más bajo no ocupado (LUMOCS-WG) menor o igual que el LUMOAcc; - un nivel de energía orbital molecular más alto ocupado (HOMOCS-WG) mayor que, igual o dentro de 0.3 eV más pequeño que el HOMOAcc; y - una brecha energética HOMOCS-WG-LUMOCS-WG más amplia que una brecha energética HOMOAcc-LUMOAcc ; en el que el al menos un material conductor de electrones tiene un nivel de energía orbital molecular no ocupado más bajo (LUMOEC) mayor que, igual o dentro de 0.2 eV más pequeño que el LUMOAcc; en el que un primer nivel de energía HOMO o LUMO es "menor que" un segundo nivel de energía HOMO o LUMO si el primer nivel de energía HOMO o LUMO está más cerca del nivel de vacío que el segundo nivel de energía HOMO o LUMO, un primer nivel de energía HOMO o LUMO es "mayor que" que un segundo nivel de energía HOMO o LUMO si el primer nivel de energía HOMO o LUMO está más alejado del nivel de vacío que el segundo nivel de energía HOMO o LUMO, y dos niveles de energía orbitales son "iguales" entre sí si su las energías coinciden con el décimo lugar decimal; y en el que la mezcla comprende al menos un material de brecha de energía amplia del lado del cátodo y el al menos un material conductor de electrones en una relación que varía de 10:1 a 1:10 en volumen.

2. 发明专利

AU2013209393A1 Synthesis of aza-acenes as novel n-type materials for organic electronics 未知
公开(公告)号：AU2013209393A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：AU2013209393
申请日：2013-01-22
申请人： BARTYNSKI ANDREW , SOMMER JONATHAN R , THOMPSON MARK E , UNIV SOUTHERN CALIFORNIA
发明人： THOMPSON MARK E , SOMMER JONATHAN R , BARTYNSKI ANDREW
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/42
摘要： Acenes, such as aza-acenes are attractive materials for organic semiconductors, specifically for n-type materials. There are disclosed new derivatives of acenes that are fabricated using novel synthesis. For example, the disclosed fabrication strategies have allowed for the first time new aza-tetracene and aza-pentacene derivatives. The HOMO and LUMO energy levels of these materials are tunable through appropriate substitution and as predicted, deepened. There are also disclosed organic photosensitive devices comprising at least one aza-acene such as aza-tetracene and aza-pentacene.

3. 发明专利

CA2860919A1 SYNTHESIS OF AZA-ACENES AS NOVEL N-TYPE MATERIALS FOR ORGANIC ELECTRONICS 未知
公开(公告)号：CA2860919A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：CA2860919
申请日：2013-01-22
申请人： UNIV SOUTHERN CALIFORNIA
发明人： THOMPSON MARK E , SOMMER JONATHAN R , BARTYNSKI ANDREW
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/42
摘要： Acenes, such as aza-acenes are attractive materials for organic semiconductors, specifically for n-type materials. There are disclosed new derivatives of acenes that are fabricated using novel synthesis. For example, the disclosed fabrication strategies have allowed for the first time new aza-tetracene and aza-pentacene derivatives. The HOMO and LUMO energy levels of these materials are tunable through appropriate substitution and as predicted, deepened. There are also disclosed organic photosensitive devices comprising at least one aza-acene such as aza-tetracene and aza-pentacene.

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