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1. 发明专利

JP2009245981A Led light-emitting device 审中-公开
标题翻译： LED发光装置
公开(公告)号：JP2009245981A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：JP2008087591
申请日：2008-03-28
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所 , 豊田合成株式会社
发明人： ITO KENJI , TOMITA KAZUYOSHI , KACHI TORU , OZAWA TAKAHIRO , KATO SATORU , ICHIKAWA TADASHI , INOUE MITSUHIRO
IPC分类号： F21V9/40 , H01L33/32 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To further improve efficiency of an LED light-emitting device emitting white light. SOLUTION: The LED light-emitting device shown in Fig. 1 includes an LED 10, a red light-emitting R phosphor layer 11, a yellow light-emitting Y phosphor layer 12, and a blue light-emitting B phosphor layer 13. The phosphor layers are stacked in the sequence of the Y phosphor layer 12, the B phosphor layer 13, and the R phosphor layer 11 from the side close to the LED 10. The stacking sequence of the Y phosphor layer 12 and the B phosphor layer 13 is first determined to prevent these layers from interacting with each other, and the stacking sequence of the R phosphor layer 11 and the Y phosphor layer 12 and the stacking sequence of the R phosphor layer 11 and the B phosphor layer 13 are determined by a determination expression D. By determining the stacking sequence like that, degradation of the conversion efficiency of the phosphors due to concentration quenching can be considered, the emission efficiency of the LED light-emitting device is improved. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：进一步提高发射白光的LED发光装置的效率。解决方案：图1所示的LED发光装置。 1包括LED 10，红色发光R荧光体层11，黄色发光Y荧光体层12和蓝色发光B荧光体层13.荧光体层按照Y荧光体层 12，B荧光体层13和R荧光体层11。接着，确定Y荧光体层12和B荧光体层13的层叠顺序，以防止这些层彼此相互影响并且通过确定表达式D确定R荧光体层11和Y荧光体层12的堆叠顺序以及R荧光体层11和B荧光体层13的堆叠顺序。通过确定这样的堆叠顺序，降解可以考虑由于浓度淬灭引起的荧光体的转换效率，提高了LED发光装置的发光效率。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2010087267A Led light-emitting device 有权
标题翻译： LED发光装置
公开(公告)号：JP2010087267A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2008255115
申请日：2008-09-30
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所 , 豊田合成株式会社
发明人： KAMIMURA TOSHIYA , INOUE MITSUHIRO , NAMIKI AKIO , OZAWA TAKAHIRO , ICHIKAWA TADASHI , ITO KENJI
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/58
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED light-emitting device capable of easily controlling the outer appearance color of a phosphor layer when light is turned off. SOLUTION: The phosphor layer 13 of the LED light-emitting device 1 has a structure in which a yellow phosphor layer 13a, a red phosphor layer 13b and a blue phosphor layer 13c are sequentially laminated from the side near an LED 10. The thickness and the phosphor concentration of the blue phosphor layer 13c are each set at a value at which when the yellow phosphor layer 13a and the red phosphor layer 13b are excited by an outside light and emit a yellow light and a red light, respectively, the yellow light and the red light do not pass through the blue phosphor layer 43b. As the result, the outer appearance color of the phosphor layer 13 when the LED light-emitting device 1 is lighted off is white as the outer appearance color of the blue phosphor layer 13c. Since the LED light-emitting device 1 emits a white color light and this color matches the outer appearance color of the phosphor layer 13 when light is turned off, the outer appearance quality is high. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种当光关闭时能够容易地控制荧光体层的外观颜色的LED发光装置。解决方案：LED发光装置1的荧光体层13具有从靠近LED10的一侧依次层叠黄色荧光体层13a，红色荧光体层13b和蓝色荧光体层13c的结构。蓝色荧光体层13c的厚度和荧光体浓度各自设定为当黄色荧光体层13a和红色荧光体层13b被外部光激发并分别发出黄色光和红色光的值时，黄色光和红色光不穿过蓝色荧光体层43b。结果，LED发光装置1点亮时的荧光体层13的外观颜色为蓝色荧光体层13c的外观颜色为白色。由于LED发光器件1发出白色光，并且当光关闭时该颜色匹配荧光体层13的外观颜色，因此外观质量高。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2015038921A 光電変換素子有权
标题翻译：光电转换元件
公开(公告)号：JP2015038921A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2013169385
申请日：2013-08-19
申请人：株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： TAKEDA YASUHIKO , IIZUKA HIDEO , MIZUNO SHINTARO , HASEGAWA KAZUO , ICHIKAWA TADASHI , ITO HIROSHI
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/04 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/02162 , G02B5/20 , H01L31/02168 , H01L31/056 , Y02E10/52
摘要：【課題】単色光の照射に適した高効率の光電変換素子を提供すること。【解決手段】光電変換素子は、波長λ0の単色光を吸収して、キャリアを発生させることが可能な光吸収材料からなる光吸収部材を備え、入射光として前記単色光からなる略平行光線が用いられる。前記光電変換素子は、前記単色光からなる入射光が入射角&thetas;で入射する面にバンドパスフィルターが形成されており、前記バンドパスフィルターは、少なくとも波長λ0の光を選択的に透過させる機能を持つ。さらに、前記光吸収部材は、その裏面に、拡散反射面を備えている。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于单色光照射的高性能的光电转换元件。解决方案：光电转换元件具有光吸收元件，该吸收元件由能够通过吸收单色光产生载流子的光吸收材料组成波长λ和由单色光组成的基本平行的光用作入射光。在光电转换元件中，在由单色光构成的入射光以角度入射的表面上形成带通滤波器; 的发病率。带通滤波器具有使至少波长λ选择性地发射的光的功能。光吸收材料在其背面具有扩散反射面。

4. 发明专利

JP2013106019A Semiconductor device, and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013106019A
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：JP2011251262
申请日：2011-11-17
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： KATSUNO TAKASHI , KIGAMI MASAHITO , ICHIKAWA TADASHI , ISHII EIKO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/283 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device made of a nitride semiconductor comprising an insulation gate having small characteristic variation.SOLUTION: An insulation gate provided in a semiconductor device comprises: an amorphous silicon oxide film 2 disposed on a nitride semiconductor layer 1; and a gate electrode 8 disposed on the amorphous silicon oxide film 2. The nitride semiconductor layer 1 facing the gate electrode 8 is oxidized.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种由氮化物半导体构成的半导体器件，其包括具有小特性变化的绝缘栅极。解决方案：设置在半导体器件中的绝缘栅包括：设置在氮化物半导体层1上的非晶氧化硅膜2; 以及设置在非晶氧化硅膜2上的栅电极8.面对栅电极8的氮化物半导体层1被氧化。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2009129988A Optical fiber laser and method of exciting the same 有权
标题翻译：光纤激光器及其相应的方法
公开(公告)号：JP2009129988A
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：JP2007300861
申请日：2007-11-20
申请人： Hitachi Cable Ltd , Toyota Central R&D Labs Inc , Toyota Gakuen , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園 , 日立電線株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人： KOJIMA MASATSUGU , YO HEI , OSONO KAZUMASA , HONGO AKISHI , SATO AKIO , YANAKA KOHEI , HASEGAWA KAZUO , INOUE DAISUKE , ITO HIROSHI , ICHIKAWA TADASHI , SAITO KAZUYA
IPC分类号： H01S3/06 , G02B6/02 , G02B6/04 , H01S3/094
CPC分类号： H01S3/06708 , H01S3/06745 , H01S3/094003 , H01S3/0941
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical fiber laser capable of highly efficiently conducting a side excitation of a double clad fiber. SOLUTION: The optical fiber laser includes an optical fiber 21 having clads 23 in the periphery of a core 22 with rare-earth element added, and an excitation light source for entering the excitation light from the side surface of the optical fiber 21. The optical fiber 21 has a concavo-convex shape along the outer circumferential part of the clad 23 in a longitudinal direction, and the clads 23 are winded and focussed as their sides mutually contact. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够高效率地进行双包层光纤的侧激发的光纤激光器。解决方案：光纤激光器包括在添加有稀土元素的芯22的周围具有包层23的光纤21和用于从光纤21的侧表面输入激发光的激发光源光纤21沿着包层23的长度方向的外周部具有凹凸形状，并且当它们的侧面相互接触时，包层23卷绕并聚焦。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2015038923A 光電変換素子审中-公开
标题翻译：光电转换元件
公开(公告)号：JP2015038923A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2013169424
申请日：2013-08-19
申请人：株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： TAKEDA YASUHIKO , IIZUKA HIDEO , MIZUNO SHINTARO , HASEGAWA KAZUO , ICHIKAWA TADASHI , ITO HIROSHI
IPC分类号： H01L31/054 , G02B1/11 , G02B5/28 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/52
摘要：【課題】単色光の照射に適した高効率の光電変換素子を提供すること。【解決手段】光電変換素子は、波長λ0の単色光を吸収して、キャリアを発生させることが可能な光吸収材料からなる光吸収部材を備え、入射光として前記単色光からなる略平行光線が用いられる。前記光電変換素子は、前記単色光からなる入射光が入射角&thetas;で入射する面にバンドパスフィルターが形成されており、前記バンドパスフィルターは、少なくとも波長λ0の光を選択的に透過させる機能を持つ。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于单色光照射的高性能的光电转换元件。解决方案：光电转换元件具有光吸收元件，该吸收元件由能够通过吸收单色光产生载流子的光吸收材料组成波长λ和由单色光组成的基本平行的光用作入射光。在光电转换元件中，在由单色光构成的入射光以角度入射的表面上形成带通滤波器; 的发病率。带通滤波器具有使至少波长λ选择性地发射的光的功能。

7. 发明专利

JP2015034947A 光学装置有权
公开(公告)号：JP2015034947A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2013166940
申请日：2013-08-09
申请人：株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： INOUE DAISUKE , YAMASHITA TATSUYA , ICHIKAWA TADASHI , TOYODA CHIE , MATSUBARA HIROYUKI
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/32 , G02B6/34
摘要：【課題】光軸調整がより容易な同軸光学系を実現する。【解決手段】入射した光を仮想焦点Fに向けて進む仮想光線DA、DBとして出射し集光するレンズ18と、仮想光線DA、DBの光路を仮想焦点Fとは異なる複数の予め定められた位置へ向かう2つの光路に各々変換する光屈折部14A、14Bと、複数の予め定められた位置の各々に対応させて配置された2つの光導波路20A、20Bと、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许比常规技术更容易的光轴调节的同轴光学系统。解决方案：一种光学装置包括：透镜18，其将入射光作为虚拟光束DA，DB朝着虚拟焦点F行进; 光折射部分14A，14B将虚拟光束DA，DB的光路分别转换成与虚拟焦点F不同的多个预定位置的两条光路; 以及对应于多个预定位置中的每一个布置的两个光波导20A，20B。

8. 发明专利

JP2013106018A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013106018A
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：JP2011251261
申请日：2011-11-17
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： KATSUNO TAKASHI , KIGAMI MASAHITO , ICHIKAWA TADASHI , ISHII EIKO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which operates in a normally-off fashion and which has high withstanding voltage and low on-resistance.SOLUTION: A semiconductor device 1 comprises: a drain electrode 21 capable of being electrically connected to a two-dimensional electron gas layer formed on a first hetero-junction surface; a source electrode 29 capable of being electrically insulated from the two-dimensional electron gas layer formed on the first hetero-junction surface 32 and capable of being electrically connected to a two-dimensional electron gas layer formed on a second hetero-junction surface 34; a gate part 28 facing the second hetero-junction surface 34; and a conductive electrode 25 capable of being electrically connected to both of the two-dimensional electron gas layers formed on the first hetero-junction layer 32 and the second hetero-junction surface 34. An electron concentration of the two-dimensional electron gas layer formed on the first hetero-junction surface 32 is higher than an electron concentration of the two-dimensional electron gas layer formed on the second hetero-junction surface 34.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以常闭方式操作并具有高耐压和低导通电阻的半导体器件。解决方案：半导体器件1包括：能够与形成在第一异质结表面上的二维电子气层电连接的漏电极21; 源极电极29，其能够与形成在第一异质结表面32上的二维电子气层电绝缘并能够电连接到形成在第二异质结表面34上的二维电子气层; 面对第二异质结表面34的栅极部分28; 以及能够与形成在第一异质结层32和第二异质结表面34上的二维电子气层电连接的导电电极25.形成二维电子气层的电子浓度在第一异质结表面32上的电子浓度高于形成在第二异质结表面34上的二维电子气层的电子浓度。（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2013045841A Ohmic electrode and formation method thereof 有权
标题翻译： OHMIC电极及其形成方法
公开(公告)号：JP2013045841A
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：JP2011181658
申请日：2011-08-23
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： KATSUNO TAKASHI , KIGAMI MASAHITO , ICHIKAWA TADASHI , ISHII EIKO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method of an ohmic electrode capable of removing a resist film used to form a contact hole using an etching liquid containing sulfuric acid.SOLUTION: A formation method of an ohmic electrode comprises: a laminated electrode part formation step of forming a laminated electrode part 2; an annealing step of heat-treating the laminated electrode part 2; a covering electrode part formation step of forming a covering electrode part 4 by covering the heat-treated laminated electrode part 2 with a covering part 3; an insulator film formation step of forming an insulator film 5 on a surface of a semiconductor layer 1 so as to cover the covering electrode part 4; a resist film formation step of patterning a resist film 6 in which an opening 7 is formed corresponding to the covering electrode part 4 on a surface of the insulator film 5; an exposure step of exposing the covering electrode part 4 by removing the insulator film 5 exposed from the opening 7 of the resist film 6; and a resist film removal step of removing the resist film 6 using an etching liquid containing sulfuric acid. A material of the covering part 3 is gold or platinum.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够使用含有硫酸的蚀刻液除去用于形成接触孔的抗蚀剂膜的欧姆电极的形成方法。解决方案：欧姆电极的形成方法包括：形成叠层电极部分2的叠层电极部分形成步骤; 对叠层电极部2进行热处理的退火工序; 覆盖电极部形成步骤，通过用覆盖部3覆盖热处理层叠电极部2来形成覆盖电极部4; 绝缘膜形成步骤，在半导体层1的表面上形成绝缘膜5以覆盖覆盖电极部分4; 在绝缘膜5的表面上形成对应于覆盖电极部分4形成有开口7的抗蚀剂膜6的抗蚀剂膜形成步骤; 通过去除从抗蚀剂膜6的开口7露出的绝缘膜5来曝光覆盖电极部分4的曝光步骤; 以及使用含有硫酸的蚀刻液除去抗蚀剂膜6的抗蚀剂膜去除步骤。覆盖部分3的材料是金或铂。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2013098275A Protection element, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：保护元件，半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2013098275A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2011238330
申请日：2011-10-31
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： KATSUNO TAKASHI , KIGAMI MASAHITO , ICHIKAWA TADASHI , ISHII EIKO
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/86
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel protection element using a hetero junction.SOLUTION: A protection portion 36 of a semiconductor device 10 includes a wiring lower layer 11B and a wiring upper layer 13 having a different band-gap from the wiring lower layer 11B. The wiring upper layer 13 includes a first part 41, a middle part 43, and a second part 45. A two-dimensional-electron-gas layer formed at the bonding surface between the wiring upper layer 13 and the wiring lower layer 11B is isolated between the first part 41 and the middle part 43, and between the second part 45 and the middle part 43. A two-dimensional electron gas formed at the bonding surface between the first part 41 and the wiring lower layer 11B is electrically connected to a drain electrode 21. A two-dimensional electron gas formed at the bonding surface between the second part 45 and the wiring lower layer 11B is electrically connected to a source electrode 28. A two-dimensional electron gas formed at the bonding surface between the middle part 43 and the wiring lower layer 11B is electrically connected to a gate electrode 25.
摘要翻译：要解决的问题：提供使用异质结的新型保护元件。解决方案：半导体器件10的保护部分36包括布线下层11B和与布线下层11B具有不同带隙的布线上层13。布线上层13包括第一部分41，中间部分43和第二部分45.形成在布线上层13和布线下层11B之间的接合表面处的二维电子 - 气体层被隔离在第一部分41和中间部分43之间以及第二部分45和中间部分43之间。形成在第一部分41和布线下层11B之间的接合表面处的二维电子气电连接到漏电极21.形成在第二部分45与布线下层11B之间的接合表面处的二维电子气电连接到源电极28.二维电子气形成在中间部分 43和布线下层11B电连接到栅电极25.版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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