专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014139531A Distance detecting method by infrared ray wavelength measurement 审中-公开
标题翻译：通过红外波长测量的距离检测方法
公开(公告)号：JP2014139531A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2013008412
申请日：2013-01-21
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , 豊田合成株式会社
发明人： MIYAZAKI TAKESHI , UENO YUKIHISA , KUROSAKI JUNICHIRO
IPC分类号： G01S11/06 , G01N21/35
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a distance detecting method which detects an accurate distance to a target by receiving three-wave infrared radiation emitted from the target of unknown distance and transmitted in atmosphere, using an infrared element.SOLUTION: By receiving infrared radiation emitted from a target 1 using an infrared element 3 with three waves, selecting two of the three waves from wavelength band in which infrared attenuation factor in the atmosphere is approximately 0, and selecting the remaining one wave from a wavelength band which absorbs infrared radiation in the atmosphere, a distance to a target is detected.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种距离检测方法，其通过接收从目标未知距离发射的三波红外辐射来检测与目标的准确距离，并使用红外线元件在大气中传输。解决方案：通过接收红外辐射从使用具有三波的红外线元件3的目标1，从大气中的红外线衰减系数近似为0的波长带中选择三个波中的两个，并从吸收红外线的波长带中选择剩余的一个波气氛，检测到目标的距离。

2. 发明专利

JP2014013886A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014013886A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：JP2013114431
申请日：2013-05-30
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , 豊田合成株式会社
发明人： UENO YUKIHISA , OKA TORU
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/20 , H01L29/41 , H01L29/78 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0661 , H01L29/2003 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/8613
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve withstanding voltage of a vertical semiconductor device having a pn junction.SOLUTION: A vertical diode comprises an n-layer 11 and a p-layer 12 on a substrate 10, which are composed of GaN; and an n-electrode 13 on a rear face of the substrate 10; a p-electrode 14 on a surface of the p-layer 12; a stepped part 15 formed on a periphery of the element; a protection film 16 which continuously covers a lateral face and a bottom face of the stepped part 15; and a field plate electrode 17 which is connected to the p-electrode 14 and formed on the lateral face and the bottom face of the stepped part 15 via the protection film 16. When assuming that a distance from a pn junction interface 19 to a surface 16a of the protection film 16 on the bottom face 15b of the stepped part 15 is h (μm), relative permittivity of the protection film 16 is εs, and a thickness of the protection film 16 on the lateral face 15a of the stepped part 15 at the pn junction interface 19a is d (μm), it is satisfied that εsh/d is 4 or more and εs/d is 3 or more.
摘要翻译：要解决的问题：提高具有pn结的垂直半导体器件的耐受电压。解决方案：垂直二极管包括由GaN构成的衬底10上的n层11和p层12; 以及在基板10的背面上的n电极13; p层12的表面上的p电极14; 形成在所述元件的周边上的阶梯部15; 连续地覆盖台阶部15的侧面和底面的保护膜16; 以及场平板电极17，其经由保护膜16连接到p电极14并形成在台阶部15的侧面和底面上。当假设从pn结界面19到表面的距离阶梯部15的底面15b上的保护膜16的16a为h（μm），保护膜16的相对介电常数为等级，保护膜16的台阶侧面15a的厚度为 pn结界面19a的部分15为d（μm），满足＆shy; sh / d为4以上，＆egr / s为3以上。

3. 发明专利

JP2014049465A Vertical semiconductor device, and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：垂直半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014049465A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012188549
申请日：2012-08-29
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , 豊田合成株式会社
发明人： UENO YUKIHISA , OKA TORU
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/76 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a withstanding voltage of a vertical semiconductor device consisting of a group-III nitride semiconductor having pn junction.SOLUTION: First of all, dry etching of an element periphery is performed from a p-layer 12 surface to a depth reaching an n-layer 11 by using a Clgas to form an element isolation groove 15 (refer to Fig. 2(a)). An end part 19a of a pn junction interface 19 is exposed to a lateral face 15a of the element isolation groove 15. The n-layer 11 is exposed to the whole surface of a bottom face 15b of the element isolation groove 15 and to a part of the lateral face 15a. Next, dry etching of the lateral face 15a and the bottom face 15b of the element isolation groove 15 is performed by using CFgas to dope F to the lateral face 15a and the bottom face 15b of the element isolation groove 15. This F dope amount is set to a dope amount by which the vicinity of the surface of the n-layer 11 exposed to the lateral face 15a and the bottom face 15b of the element isolation groove 15 is made be p-type, and then, a p-type region 18 is formed (refer to Fig. 2(b)).
摘要翻译：要解决的问题：提高由具有pn结的III族氮化物半导体构成的垂直半导体器件的耐受电压。解决方案：首先，元件周边的干法蚀刻从p层12表面到通过使用Cl气体到达n层11的深度以形成元件隔离槽15（参见图2（a））。 pn结界面19的端部19a暴露于元件隔离槽15的侧面15a。n层11暴露于元件隔离槽15的底面15b的整个表面和部件的侧面15a。接下来，通过使用CF气体将F掺杂到元件隔离槽15的侧面15a和底面15b来进行元件隔离槽15的侧面15a和底面15b的干法蚀刻。该F掺杂量为设定为暴露于元件隔离槽15的侧面15a和底面15b的n层11的表面附近的掺杂量为p型，然后为p型区域 18（参照图2（b））。

4. 发明专利

JP2010239233A Antenna devices 有权
标题翻译：天线设备
公开(公告)号：JP2010239233A
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：JP2009082558
申请日：2009-03-30
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所 , 豊田合成株式会社
发明人： ITO TADASHI , OKAMOTO ATSUHITO , MOTOHIRO TOMOMI , NOMURA TAKESHI , HANAZAWA MASAHIRO , ITO TOSHIYASU , MIYAZAKI TAKESHI , UENO YUKIHISA
IPC分类号： H01Q23/00
CPC分类号： H01Q23/00 , H01Q1/2283 , H01Q1/38 , H01Q9/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage type antenna device, using a simple structure.
SOLUTION: An antenna element 20 of an antenna device 10 is constituted of a conductive antenna unit 30, a tunnel diode 40, a connecting electrode 52 to be used, while connecting to a load 60, and a fixed electrode 54 to be used, while connecting to a fixed potential. The antenna unit 30 includes a first portion 32, connected to the tunnel diode 40 and a second portion 34 connected to the fixed electrode 54. One electrode of the tunnel diode 40 is connected to the first portion 32 of the antenna unit 30, and the other electrode thereof is connected to the connecting electrode 52.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用简单结构的电压型天线装置。解决方案：天线装置10的天线元件20由连接到负载60的导电天线单元30，隧道二极管40，要使用的连接电极52和固定电极54构成在连接到固定电位时使用。天线单元30包括连接到隧道二极管40的第一部分32和连接到固定电极54的第二部分34.隧道二极管40的一个电极连接到天线单元30的第一部分32，并且其他电极连接到连接电极52.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2012151346A Method for manufacturing mim tunnel diode 有权
标题翻译：制造MIM隧道二极管的方法
公开(公告)号：JP2012151346A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2011009850
申请日：2011-01-20
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所 , 豊田合成株式会社
发明人： ITO TADASHI , YAMADA NOBORU , UENO YUKIHISA
IPC分类号： H01L29/88 , H01L21/329
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an MIM tunnel diode in which an extremely thin and uniform insulation layer can be formed on a first metal layer easily by plasma oxidation.SOLUTION: A method for manufacturing an MIM tunnel diode in which a first metal layer 14 composed of nickel, an insulation layer 16 composed of nickel oxide having a thickness of 1 to 10 nm, and a second metal layer 18 are laminated in this order on an insulating substrate 12 includes an insulation layer forming step for forming an insulation layer by oxidizing the first metal layer by plasma oxidation method. When the first metal layer is oxidized by plasma oxidation method in the insulation layer forming step, a parallel-plate plasma generating device is used, and the oxygen pressure p(Pa), the self-bias voltage V(V) and the processing time t(min) of the parallel-plate plasma generating device are set to satisfy the following conditions; 6.8≤p≤12.0, 290≤V≤400, 3≤t≤6.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种MIM隧道二极管的制造方法，其中可以通过等离子体氧化容易地在第一金属层上形成极薄且均匀的绝缘层。解决方案：一种制造MIM隧道二极管的方法，其中将由镍组成的第一金属层14，由氧化镍构成的绝缘层16和第二金属层18层压在绝缘基板12上的顺序包括通过用等离子体氧化法氧化第一金属层来形成绝缘层的绝缘层形成步骤。当在绝缘层形成工序中第一金属层被等离子体氧化法氧化时，使用平行平板等离子体生成装置，氧压p（Pa），自偏压V DC ≤400,3≤t≤6。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2010068667A Dielectric actuator 有权
标题翻译：电介质执行器
公开(公告)号：JP2010068667A
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：JP2008234126
申请日：2008-09-12
申请人： Toyoda Gosei Co Ltd , 豊田合成株式会社
发明人： TAKEUCHI HIROMITSU , UENO YUKIHISA , KURIYAMA NAOTO
IPC分类号： H02N2/00 , H02N11/00
CPC分类号： H02N1/006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric actuator with a large amount of displacement with respect to the voltage applied. SOLUTION: A dielectric actuator 1 has such a structure that an elastic high-dielectric material 2 is sandwiched between elastic insulating materials 3a and 3b, which are further sandwiched between electrodes 4a and 4b from the outside. The basic material of the elastic high-dielectric material 2 is silicone rubber, into which graphite powder is mixed to add conductivity thereto. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供相对于施加的电压具有大量位移的电介质致动器。解决方案：电介质致动器1具有弹性高介电材料2夹在从外部进一步夹在电极4a和4b之间的弹性绝缘材料3a和3b之间的结构。弹性高电介质材料2的基本材料是硅橡胶，石墨粉末混入其中以增加导电性。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2015023074A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015023074A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013148170
申请日：2013-07-17
申请人：豊田合成株式会社 , Toyoda Gosei Co Ltd
发明人： UENO YUKIHISA , OKA TORU , HASEGAWA KAZUYA
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28264 , H01L21/31133 , H01L23/3178 , H01L23/3192 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/513 , H01L29/66143 , H01L29/66522 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】GaN系の半導体装置において、保護膜の電気的特性の向上と加工性の向上との両立を図る。【解決手段】半導体装置は、窒化ガリウム(GaN)から主に成るp型半導体層と;窒化ガリウム(GaN)から主に成り、p型半導体層に接合されたn型半導体層と;電気絶縁性を有し、p型半導体層およびn型半導体層を被覆する保護膜であって、酸化アルミニウム(Al2O3)から成り、p型半導体層およびn型半導体層に隣接し、p型半導体層とn型半導体層とが接合されたpn接合面の端部を被覆する第1の層と、酸化アルミニウム(Al2O3)とは異なる電気絶縁材料から成り、第1の層に積層された第2の層と、第1の層および第2の層を貫通する開口部とを含む保護膜と;電気絶縁性を有し、保護膜の開口部の内側に設けられ、p型半導体層およびn型半導体層を被覆するゲート絶縁膜と;ゲート絶縁膜に接合されたゲート電極とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了满足GaN基半导体器件中的电性能的提高和保护膜的可加工性的提高。解决方案：半导体器件包括：主要由氮化镓（...）组成的p型半导体层 GaN）; 主要由氮化镓（GaN）组成并结合到p型半导体层的n型半导体层; 具有电绝缘性的保护膜覆盖p型半导体层和n型半导体层，并且具有由与p型半导体层相邻的氧化铝（AlO）和n型半导体层构成的第一层半导体层并且覆盖p型结表面的边缘，其中p型半导体层和n型半导体层彼此接合，第二层由不同于氧化铝（AlO）的绝缘材料组成并堆叠在第一层和穿过第一层和第二层的开口; 具有电绝缘性的栅极绝缘膜，设置在保护膜的开口内部并覆盖p型半导体层和n型半导体层; 以及与栅极绝缘膜接合的栅电极。

8. 发明专利

JP2015023073A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015023073A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013148169
申请日：2013-07-17
申请人：豊田合成株式会社 , Toyoda Gosei Co Ltd
发明人： UENO YUKIHISA , OKA TORU , HASEGAWA KAZUYA
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/316 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/73 , H01L29/74 , H01L29/868 , H01L33/44 , H01S5/028
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L29/407
摘要：【課題】GaN系の半導体装置において、保護膜の電気的特性の向上と加工性の向上との両立を図る。【解決手段】半導体装置は、窒化ガリウム(GaN)から主に成るp型半導体層と;窒化ガリウム(GaN)から主に成り、p型半導体層に接合されたn型半導体層と;電気絶縁性を有し、p型半導体層およびn型半導体層を被覆する保護膜と;導電性を有し、p型半導体層およびn型半導体層の少なくとも一方にオーミック接合された電極とを備える。保護膜は、酸化アルミニウム(Al2O3)から成り、p型半導体層およびn型半導体層に隣接し、p型半導体層とn型半導体層とが接合された部位であるpn接合面の端部を被覆する第1の層と;酸化アルミニウム(Al2O3)とは異なる電気絶縁材料から成り、第1の層に積層された第2の層と;第1の層および第2の層を貫通する開口部とを含み、電極は、開口部の内側に位置する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了满足GaN基半导体器件中的电性能的提高和保护膜的可加工性的提高。解决方案：半导体器件包括：主要由氮化镓（...）组成的p型半导体层 GaN）; 主要由氮化镓（GaN）组成并结合到p型半导体层的n型半导体层; 具有电绝缘性且覆盖p型半导体层和n型半导体层的保护膜; 和具有导电性的电极，并通过欧姆接合到p型半导体层和n型半导体层中的至少一个上。保护膜包括：与氧化铝（AlO）相邻的第一层，与p型半导体层和n型半导体层相邻并覆盖p型结表面的边缘，其中p型半导体层和n型半导体层型半导体层彼此结合; 第二层，由与氧化铝（AlO）不同的层叠在第一层上的绝缘材料构成; 以及通过第一层和第二层的开口，并且电极布置在开口内部。

9. 发明专利

JP2015023072A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015023072A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013148168
申请日：2013-07-17
申请人：豊田合成株式会社 , Toyoda Gosei Co Ltd
发明人： UENO YUKIHISA , OKA TORU , HASEGAWA KAZUYA
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/283 , H01L21/316 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】GaN系の半導体装置において、保護膜の電気的特性の向上と加工性の向上との両立を図る。【解決手段】半導体装置は、窒化ガリウム(GaN)から主に成る半導体層と;電気絶縁性を有し、半導体層を被覆する保護膜と;導電性を有し、半導体層にショットキー接合された電極とを備える。保護膜は、酸化アルミニウム(Al2O3)から成り、半導体層に隣接する第1の層と;酸化アルミニウム(Al2O3)とは異なる電気絶縁材料から成り、第1の層に積層された第2の層と;第1の層および第2の層を貫通する開口部とを含み、電極は、開口部の内側に位置する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了满足电气性能的改善和提高GaN基半导体器件中的保护膜的可加工性。解决方案：半导体器件包括：主要由氮化镓（GaN）组成的半导体层; 具有电绝缘性能并覆盖半导体层的保护膜; 和具有导电性的电极，并通过肖特基结结合到半导体层。保护膜包括：与氧化铝（AlO）组成并且与半导体层相邻的第一层; 第二层，由与氧化铝（AlO）不同的层叠在第一层上的绝缘材料构成; 以及通过第一层和第二层的开口，并且电极布置在开口内部。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式