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1. 发明专利

JP2013164996A Structure of nanocrystal silicon electron emitter array electron source and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：纳米晶硅电子发射体阵列电子源的结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2013164996A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2012027740
申请日：2012-02-10
申请人： Tokyo Univ Of Agriculture & Technology , 国立大学法人東京農工大学 , Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学
发明人： KOSHIDA NOBUYOSHI , IKEGAMI NAOKATSU , ESASHI MASAKI
IPC分类号： H01J1/312 , H01J9/02
CPC分类号： H01J37/073 , H01J2237/0635 , H01J2237/31786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an nc-Si electron emitter array structure suitable for integration with an LSI circuit for control drive, and a method for manufacturing the nc-Si electron emitter array structure.SOLUTION: A nanocrystal electron emitter array including a plurality of electron emitters is formed by, after the deposition of a protective layer on an entire surface of a polycrystalline silicon film which is provided on an SOI substrate having an active layer and processed in a dot array, opening the protective layer in a specified region by etching to expose a surface part of polycrystalline silicon, and subjecting the exposed surface part of polycrystalline silicon to selective anodic oxidation. Substrate through wiring penetrating through the SOI substrate is buried so as to be electrically connected to each electron emitter, and a connection electrode is provided at an end of the substrate through wiring. The nanocrystal silicon electron emitter array and an LSI for control drive thereof are joined via the connection electrode.
摘要翻译：要解决的问题：提供适合与用于控制驱动的LSI电路集成的nc-Si电子发射器阵列结构，以及用于制造nc-Si电子发射器阵列结构的方法。解决方案：包括多个纳米晶体的纳米晶体电子发射器阵列的电子发射体之后，在设置在具有有源层的SOI衬底上的多晶硅膜的整个表面上沉积保护层，并以点阵列加工后，通过在特定区域中打开保护层，形成保护层蚀刻以暴露多晶硅的表面部分，以及使多晶硅的暴露表面部分进行选择性阳极氧化。通过穿过SOI衬底的布线的衬底被埋入以与每个电子发射体电连接，并且通过布线在衬底的末端设置连接电极。纳米晶硅电子发射体阵列及其控制驱动用LSI通过连接电极接合。

2. 发明专利

JP2013165174A Electron beam irradiation device, multi electron beam irradiation device, electron beam exposure system, and electron beam irradiation method 有权
标题翻译：电子束辐射装置，多电子束辐射装置，电子束曝光系统和电子束辐照方法
公开(公告)号：JP2013165174A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2012027499
申请日：2012-02-10
申请人： Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学 , Tokyo Univ Of Agriculture & Technology , 国立大学法人東京農工大学 , Crestec Inc , 株式会社クレステック
发明人： ESASHI MASAKI , IKEGAMI NAOKATSU , KOJIMA AKIRA
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/305
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact electron beam irradiation device in which throughput of an electron beam exposure device is enhanced.SOLUTION: The electron beam irradiation device outputing a plurality of electron beams includes a surface electron beam source having a plurality of electron emission parts which focuses electrons emitted, respectively, from the plurality of electron emission parts while accelerating and outputs as a plurality of electron beams, and an electron lens for irradiating an object with a drawing pattern formed of the plurality of electron beams output from the surface electron beam source with a predetermined magnification.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电子束曝光装置的生产量提高的小型电子束照射装置。解决方案：输出多束电子束的电子束照射装置包括具有多个电子发射的表面电子束源分别从多个电子发射部分发射的电子的加热和输出作为多个电子束的部分，以及用于从由表面电子输出的多个电子束形成的绘制图案照射物体的电子透镜光束源以预定的倍率。

3. 发明专利

JP2013164981A Electron beam generator, electron beam radiation device, electron beam exposure device, and manufacturing method 有权
标题翻译：电子束发生器，电子束辐射装置，电子束曝光装置和制造方法
公开(公告)号：JP2013164981A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2012027488
申请日：2012-02-10
申请人： Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学 , Tokyo Univ Of Agriculture & Technology , 国立大学法人東京農工大学 , Crestec Inc , 株式会社クレステック
发明人： ESASHI MASAKI , IKEGAMI NAOKATSU , KOJIMA AKIRA
IPC分类号： H01J37/06 , H01J1/312 , H01J9/02 , H01J37/063 , H01J37/073 , H01J37/305
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron beam generator which improves the parallel degree improving throughput of an electron beam exposure device.SOLUTION: An electron beam generator includes: a substrate provided with multiple holes; multiple electron emission parts respectively provided on bottom surfaces of the multiple holes and emitting electrons; and multiple first electrode parts which are provided corresponding to the multiple electron emission parts respectively, accelerate the electrons emitted from the corresponding electron emission parts, and output the electrons from the holes provided with the electron emission parts as electron beams. The electron beam generator, an electron beam radiation device, an electron beam exposure device, and a manufacturing method are provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高电子束曝光装置的平行度提高生产量的电子束发生器。解决方案：一种电子束发生器，包括：具有多个孔的基板; 多个电子发射部分分别设置在多个孔的底表面上并发射电子; 并且分别对应于多个电子发射部分设置的多个第一电极部分加速从相应的电子发射部分发射的电子，并将电子从设置有电子发射部分的孔作为电子束输出。提供了电子束发生器，电子束辐射装置，电子束曝光装置和制造方法。

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