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1. 发明专利

JP2013190637A Solvent-developable negative resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：可溶性发展负极性组合物和形成耐药性图案的方法
公开(公告)号：JP2013190637A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2012057237
申请日：2012-03-14
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KUROSAWA TSUYOSHI , ENDO KOTARO , IWASAWA YUTA , SENZAKI TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solvent-developable negative resist composition and a method for forming a resist pattern capable of suppressing film thinning of a pattern part and the occurrence of a defect.SOLUTION: There is provided a solvent-developable negative resist composition which is a resist composition used for a method for forming a resist pattern which includes: a step of forming a resist film on a support using a resist composition containing a base material component (A) whose solubility in an organic solvent decreases by the action of an acid and an acid generator component (B) capable of generating an acid upon exposure; a step of exposing the resist film; and a step of forming a resist pattern by patterning the resist film by negative development using a developer containing the organic solvent, wherein the base material component (A) contains a resin component (A1) containing a structural unit (a0-1) including a 3 to 7-membered ether-containing cyclic group, a structural unit (a0-2) including a -SO--containing cyclic group and a structural unit (a1) including an acid decomposable group whose polarity increases by the action of an acid.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种溶剂显影性负性抗蚀剂组合物和形成能够抑制图案部分的膜变薄和产生缺陷的抗蚀剂图案的方法。解决方案：提供一种溶剂显影性负性抗蚀剂组合物其是用于形成抗蚀剂图案的方法的抗蚀剂组合物，其包括：使用含有基材成分（A）的抗蚀剂组合物在载体上形成抗蚀剂膜的步骤，所述基材成分（A）在有机溶剂中的溶解度随着能够在暴露时产生酸的酸和酸发生剂组分（B）; 暴露抗蚀剂膜的步骤; 以及通过使用含有有机溶剂的显影剂通过负显影对抗蚀剂图案形成抗蚀剂图案的步骤，其中，所述基材成分（A）含有含有包含结构单元（a0-1）的树脂成分（A1） 3〜7元含醚的环状基团，含有-SO的环状基团的结构单元（a0-2）和包含通过酸作用而极性增加的酸分解基团的结构单元（a1）。

2. 发明专利

JP2013178515A Method for forming resist pattern and negative resist composition for solvent development 有权
标题翻译：用于形成抗性图案的方法和用于溶剂开发的负极性组合物
公开(公告)号：JP2013178515A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2013023884
申请日：2013-02-08
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KUROSAWA TSUYOSHI , ENDO KOTARO , IWASAWA YUTA
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a negative resist pattern resulting in a high film residual rate in an exposed part of a resist film, and a resist composition to be used for the method.SOLUTION: The method for forming a resist pattern includes steps of: forming a resist film on a support body by using a resist composition, which comprises a base material component (A) showing decrease in the solubility with an organic solvent by an action of an acid and an acid generator component (B) that generates an acid by exposure; exposing the resist film; and forming a resist pattern by patterning the resist film by negative development using a developing solution containing the above organic solvent. The base material component (A) contains a resin component (A1) having a structural unit (a1) including an acid decomposable group in which the polarity increases by an action of an acid. When the whole structural unit (a1) is regarded as 100 mol%, 75 mol% or more of the unit includes a chain-type or monocyclic aliphatic group as the acid decomposable group.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成抗蚀剂图案的曝光部分中产生高膜残留率的负型抗蚀剂图案的方法和用于该方法的抗蚀剂组合物。方法：形成抗蚀剂的方法图案包括以下步骤：通过使用抗蚀剂组合物在支撑体上形成抗蚀剂膜，该抗蚀剂组合物包含通过酸和酸发生剂组分（B）的作用显示出降低与有机溶剂的溶解度的基材成分（A）），通过暴露产生酸; 曝光抗蚀膜; 以及通过使用含有上述有机溶剂的显影液通过负显影图案化抗蚀剂膜来形成抗蚀剂图案。基材成分（A）含有具有酸分解性基团的结构单元（a1）的树脂成分（A1），通过酸的作用使极性增加。当将整个结构单元（a1）视为100摩尔％时，该单元的75摩尔％以上含有作为酸分解基团的链状或单环状脂肪族基团。

3. 发明专利

JP2009041039A Polymer compound 有权
标题翻译：聚合物化合物
公开(公告)号：JP2009041039A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：JP2008291180
申请日：2008-11-13
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： OGATA TOSHIYUKI , ENDO KOTARO , TSUJI HIROMITSU , YOSHIDA MASAAKI , HANEDA HIDEO , TAKASU RYOICHI , SATO MITSURU
IPC分类号： C08F220/22 , C08F220/28 , G03F7/038 , G03F7/039
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer compound having high transparency, which can be used for a photoresist composition for next-generation microfabrication. SOLUTION: An alicyclic group is given to a side chain part for ensuring etching resistance, and transparency of absorption coefficient 3.0 μm -1 or less is ensured with respect to light of wavelength 157 nm by fluorinating hydrogen atoms on the ring of the alicyclic group at a high level. The alicyclic group is preferably a polycyclic group, and the high-level substitution by fluorine is desirably performed to all hydrogen atoms on the ring, or a perfluoro alicyclic group is formed. This polymer compound is used as a base polymer to constitute a resist composition, and a dissolution controlling agent is further constituted from the polymer compound. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可用于下一代微细加工的光致抗蚀剂组合物的具有高透明度的高分子化合物。
解决方案：为了确保耐蚀刻性，给侧链部分赋予脂环族基团，通过氟化可以确保相对于波长157nm的光的吸收系数3.0μm -1 或更小的透明度脂环族基团环上的氢原子高。脂环族优选为多环基，优选氟的高级取代为环上的全部氢原子，或形成全氟脂环基。该高分子化合物用作基础聚合物以构成抗蚀剂组合物，并且由高分子化合物进一步构成溶解控制剂。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2014142424A Method for forming resist pattern 有权
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2014142424A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：JP2013009505
申请日：2013-01-22
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： IWASAWA YUTA , ENDO KOTARO , TSUCHIYA JUNICHI
IPC分类号： G03F7/038 , C08F20/18 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a negative resist pattern with a high film remaining rate in an exposed portion of a resist film.SOLUTION: A resist composition comprising a polymeric compound having a structural unit expressed by general formula (a0-1) is used in a method for forming a resist pattern in which a resist film after exposed is heated and patterned by negative development using a developing solution containing an organic solvent. In formula (a0-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; Vrepresents a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, a urethane bond or an amide bond; nis 0 to 2; and nis 0 to 3.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在抗蚀剂膜的暴露部分中形成具有高膜残留率的负型抗蚀剂图案的方法。溶液：抗蚀剂组合物，其包含具有由通式（a0- 1）用于形成抗蚀剂图案的方法中，其中通过使用含有机溶剂的显影溶液通过负显影将曝光后的抗蚀剂膜加热并图案化。式（a0-1）中，R表示氢原子，碳原子数1〜5的烷基或碳原子数1〜5的卤代烷基。 V表示可以具有醚键，氨基甲酸酯键或酰胺键的二价烃基; n = 0; 并且n为0到3。

5. 发明专利

JP2013225125A Resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：JP2013225125A
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：JP2013060744
申请日：2013-03-22
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： HIRANO TOMOYUKI , IRIE MAKIKO , ENDO KOTARO , KUROSAWA TSUYOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F212/14 , C08F220/38 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition that can be used for both of an alkali developing process and a negative-tone solvent developing process.SOLUTION: The resist composition comprises a base component showing changes in the solubility with a developing solution by an action of an acid and an acid generator component generating an acid by exposure. The base component includes a polymeric compound having a structural unit expressed by general formula (a0-1) and a structural unit including an acid decomposable group showing increase in polarity by an action of an acid. In the formula, Rrepresents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having Cto C; W represents -COO-, -CONH-, divalent aromatic hydrocarbon group; Yand Yrepresent a divalent linking group or a single bond; R'represents H or an alkyl group having Cto C; R'represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group optionally having a substituent; and Rrepresents a -SO- containing cyclic group.
摘要翻译：要解决的问题：提供可用于碱显影方法和负色调溶剂显影方法两者的抗蚀剂组合物。解决方案：抗蚀剂组合物包含显影剂与显影液的溶解度变化的基质组分通过暴露产生酸的酸和酸产生剂组分的作用。基础成分包括具有由通式（a0-1）表示的结构单元的聚合化合物和包含酸分解基团的结构单元，所述结构单元通过酸的作用显示极性增加。在该式中，R表示碳原子数1〜5的烷基或Cto C的卤代烷基， W表示-COO - ， - CONH-，二价芳族烃基; Yand Y代表二价连接基团或单键; R'表示H或具有Cto C的烷基; R'表示任选具有取代基的一价脂族烃基; 并且R表示含-SO-的环状基团。

6. 发明专利

JP2013190693A Solvent-developable negative resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：可溶性发展负极性组合物和形成耐药性图案的方法
公开(公告)号：JP2013190693A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2012057959
申请日：2012-03-14
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KUROSAWA TSUYOSHI , ENDO KOTARO , IWASAWA YUTA , SENZAKI TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solvent-developable negative resist composition and a method for forming a resist pattern.SOLUTION: There is provided a solvent-developable negative resist composition which is a resist composition used for a method for forming a resist pattern which includes: a step of forming a resist film on a support using a resist composition containing a base material component (A) whose solubility in an organic solvent decreases by the action of an acid, an acid generator component (B) capable of generating an acid upon exposure and a basic compound component (D); a step of exposing the resist film; and a step of forming a resist pattern by patterning the resist film by negative development using a developer containing the organic solvent, wherein the base material component (A) contains a resin component (A1) containing a structural unit (a0) including a 3 to 7-membered ether-containing cyclic group and a structural unit (a1) including an acid decomposable group whose polarity increases by the action of an acid, and the basic compound component (D) contains a basic compound component (D1) having a fluorine atom.
摘要翻译：要解决的问题：提供可溶性可显影的负性抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。溶液：提供了一种溶剂可显影的负性抗蚀剂组合物，其是用于形成抗蚀剂图案的方法的抗蚀剂组合物，包括：使用含有在有机溶剂中的溶解度降低的基材成分（A）的抗蚀剂组合物在载体上形成抗蚀剂膜的工序，通过酸的作用降低酸产生剂成分（B），能够产生酸暴露后和碱性化合物组分（D）; 暴露抗蚀剂膜的步骤; 以及通过使用包含有机溶剂的显影剂通过负显影对抗蚀剂膜进行图案化而形成抗蚀剂图案的步骤，其中，所述基材成分（A）含有含有包含3〜3的结构单元（a0）的树脂成分（A1）含有7元醚的环状基团和包含通过酸作用而极性增加的酸分解基团的结构单元（a1），碱性化合物成分（D）含有具有氟原子的碱性化合物成分（D1）。

7. 发明专利

JP2012141371A Resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：JP2012141371A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：JP2010292648
申请日：2010-12-28
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： KUROSAWA TSUYOSHI , ENDO KOTARO , SUZUKI YUICHI , IWASAWA YUTA
IPC分类号： G03F7/004 , C07C311/04 , C07C381/12 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition and a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: The resist composition contains a base component (A) the solubility of which with a developing solution changes by an action of an acid, an acid generator component (B) generating an acid by exposure, and a nitrogen-containing organic compound component (D). The acid generator component (B) contains an acid generator (B1) comprising a compound expressed by general formula (b1-1). The nitrogen-containing organic compound component (D) contains a compound (D1) expressed by general formula (d1).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。解决方案：抗蚀剂组合物包含其显影液的溶解度通过酸，通过曝光产生酸的酸产生剂组分（B）的作用而变化的碱组分（A）和含氮有机物复合成分（D）。酸产生剂组分（B）含有包含由通式（b1-1）表示的化合物的酸产生剂（B1）。含氮有机化合物成分（D）含有通式（d1）表示的化合物（D1）。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2005330488A Alkali soluble-polysiloxane resin 审中-公开
标题翻译：阿尔卡利可溶性聚硅氧烷树脂
公开(公告)号：JP2005330488A
公开(公告)日：2005-12-02
申请号：JP2005146860
申请日：2005-05-19
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： OGATA TOSHIYUKI , ENDO KOTARO , KOMANO HIROSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08G77/14 , G03F7/075 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition useful for a process using light with shorter wavelength than KrF excimer laser light, for example, F
2 excimer laser light (157 nm) or EUV (vacuum ultraviolet light 13 nm), allowing formation of resist pattern with high resolution and good shape of cross section, and to provide an alkali-soluble polysiloxane resin capable of providing a substrate provided with the resist layer.
SOLUTION: The invention relates to the alkali-soluble polysiloxane resin comprising a siloxane unit (a1) containing an alkali-soluble group and a siloxane unit (a2) containing an alkali-insoluble group excluding an acid-dissociable group.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供使用比KrF准分子激光更短波长的光的方法，例如F 2激光准分子激光（157nm）或EUV （真空紫外光13nm），可以形成具有高分辨率和良好的截面形状的抗蚀剂图案，并提供能够提供设置有抗蚀剂层的基材的碱溶性聚硅氧烷树脂。解决方案本发明涉及包含碱溶性基团的硅氧烷单元（a1）和除酸分解基团之外含有碱不溶性基团的硅氧烷单元（a2）的碱溶性聚硅氧烷树脂。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

9. 发明专利

JP2017116677A レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸発生剤成分及び化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2017116677A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015250578
申请日：2015-12-22
申请人：東京応化工業株式会社 , Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
发明人： NAGAMINE TAKASHI , ENDO KOTARO , IKUKAWA TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C07D493/08 , C08F220/28 , C09K3/00 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C211/63 , C07C321/28 , C07C323/20 , C07C2103/74 , C07D493/08 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要：【課題】リソグラフィー特性がより優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、を含有し、酸発生剤成分(B)は、一般式(b1)で表される化合物(B1)を含むことを特徴とする。一般式(b1)中、Rb1は、極性基を含む炭素数7〜30の有橋脂環式基を表す。Yb1は、置換基(但し、芳香族炭化水素基及びビニル基からなる群より選択される置換基を除く)を有していてもよい、炭素数9以上の直鎖状炭化水素基を表す。Vb1は、フッ素化アルキレン基を表す。mは1以上の整数であって、Mm+はm価の有機カチオンを表す。[化1]【選択図】なし

10. 发明专利

JP2012133395A Method for forming resist pattern 有权
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2012133395A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：JP2012055267
申请日：2012-03-13
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： ISHIZUKA KEITA , WAKIYA KAZUMASA , ENDO KOTARO , YOSHIDA MASAAKI
IPC分类号： G03F7/11 , C08F14/18 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a resist pattern with high resolution using immersion exposure, while preventing degeneration of a resist film during immersion exposure using various kinds of immersion liquids including water as well as preventing degeneration of the immersion liquid used, without increasing the number of processes, in an immersion exposure process, particularly, an immersion exposure process that increases resolution of a resist pattern by exposing a resist film while allowing a liquid of a predetermined thickness having a refractive index higher than that of air and lower than that of the resist film, to be present at least on the resist film in the route of lithography exposure light to reach the resist film.SOLUTION: A protective film having such characteristics as having substantially no compatibility with a liquid, particularly water, in which a resist film is to be immersed, and being soluble with an alkali, is formed on the surface of the resist film to be used.
摘要翻译：要解决的问题：为了通过浸渍曝光形成具有高分辨率的抗蚀剂图案，同时防止浸渍曝光期间的抗蚀剂膜在使用包括水的各种浸渍液体中的变性以及防止所使用的浸渍液的变性，而没有在浸没曝光过程中，特别是通过曝光抗蚀剂膜同时使预定厚度的液体具有高于空气的折射率的液体并且低于抗蚀剂膜的至少在光刻曝光光线的路径上至少存在于抗蚀剂膜上以到达抗蚀剂膜。＆lt; P＆gt;解决方案：在抗蚀剂膜的表面上形成具有基本上不与液体特别是水（其中要浸渍抗蚀剂膜并且可溶于碱）的特性的保护膜，使用。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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