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    • 3. 发明授权
      US5186810A Oxygen sensor 失效
    • Oxygen sensor
    • 氧传感器
    • US5186810A
    • 1993-02-16
    • US651853
    • 1991-02-07
    • Takeshi Nagai , Kunihiro Tsuruda
    • Takeshi Nagai , Kunihiro Tsuruda
    • G01N27/41 , G01N27/406 , G01N27/407 , G01N27/409
    • G01N27/407 , G01N27/4065 , G01N27/4078
    • An oxygen ion conductive solid-electrolyte plate (1) has first and second opposite surfaces. A plurality of negative electrodes (21b, 22b) and positive electrodes (21a, 22a) are formed on the first and second surfaces of the solid-electrolyte plate (1), respectively, and each of the plurality of negative electrodes (21b, 22b) is opposed to each of the plurality of positive electrodes (21a, 22a). A spacer (5 or 7) is hermetically secured to the first surface of the electrolyte plate (1) and at the same time surrounds each of the plurality of negative electrodes (21b, 22b). A sealing plate (3) is also hermetically secured to the spacer (5 or 7). A plurality of closed spaces (61, 62) are thus defined as spaces surrounded by the solid-electrolyte plate (1), spacer (5 or 7) and sealing plate (3). A plurality of windows (41, 42) are provided in the sealing plate. Each of the plurality of closed spaces (61, 62) embraces one negative electrode of the plurality of negative electrodes (21b, 22b) and one window of the plurality of windows (41, 42). Each of the plurality of closed spaces (61, 62) communicates with the external space through one of the plurality of windows (41, 42). Each of the plurality of windows (41, 42) allows oxygen molecules to diffusely flow from the environment into each of the plurality of closed spaces (61, 62) through each of the plurality of windows (41, 42).
    • 氧离子传导固体电解质板（1）具有第一和第二相对表面。 在固体电解质板（1）的第一表面和第二表面上分别形成有多个负极（21b，22b）和正极（21a，22a），并且，多个负极（21b，22b） ）与多个正极（21a，22a）中的每一个相对。 间隔件（5或7）气密地固定在电解质板（1）的第一表面上，同时围绕多个负极（21b，22b）中的每一个。 密封板（3）也气密地固定到间隔件（5或7）上。 因此，多个封闭空间（61,62）被定义为由固体电解质板（1），间隔件（5或7）和密封板（3）包围的空间。 多个窗口（41,42）设置在密封板中。 多个封闭空间（61,62）中的每一个包围多个负极（21b，22b）中的一个负电极和多个窗口（41,42）中的一个窗口。 多个封闭空间（61,62）中的每一个通过多个窗口（41,42）之一与外部空间连通。 多个窗口（41,42）中的每一个允许氧分子通过多个窗口（41,42）中的每一个从环境扩散到多个封闭空间（61,62）中的每一个。
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    • 6. 发明授权
      US08395197B2 Semiconductor device and method of forming the same 失效
    • Semiconductor device and method of forming the same
    • 半导体器件及其形成方法
    • US08395197B2
    • 2013-03-12
    • US12961252
    • 2010-12-06
    • Takeshi Nagai
    • Takeshi Nagai
    • H01L27/108 , H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/119 , H01L31/062 , H01L31/113
    • H01L27/10894 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L29/4236 , H01L29/6659 , H01L29/66621 , H01L29/66628 , H01L29/7834
    • A semiconductor device includes a gate electrode on a gate insulating film over a semiconductor substrate, a first sidewall insulating film on a side surface of the gate electrode, and source and drain regions, each including a pocket diffusion layer of a first conductivity type, and first and second diffusion layers of a second conductivity type. The pocket diffusion layer is disposed in the semiconductor substrate. The first diffusion layer of a second conductivity type extends over the pocket diffusion layer. The first diffusion layer faces toward the gate electrode through the first sidewall insulating film. The second diffusion layer over the first diffusion layer is higher in impurity concentration than the first diffusion layer. The second diffusion layer is separated by the first diffusion layer from the pocket diffusion layer, and has a side surface which faces toward the first sidewall insulating film through the first diffusion layer.
    • 半导体器件包括在半导体衬底上的栅极绝缘膜上的栅电极，栅电极的侧表面上的第一侧壁绝缘膜，以及源极和漏极区，每个包括第一导电类型的穴扩散层，以及 第二导电类型的第一和第二扩散层。 该袋扩散层设置在半导体衬底中。 第二导电类型的第一扩散层在袋扩散层上延伸。 第一扩散层通过第一侧壁绝缘膜朝向栅电极。 第一扩散层上的第二扩散层的杂质浓度高于第一扩散层。 第二扩散层通过第一扩散层从袋扩散层分离，并且具有通过第一扩散层面向第一侧壁绝缘膜的侧表面。
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    • 10. 发明授权
      US07610542B2 Semiconductor memory in which error correction is performed by on-chip error correction circuit 失效
    • Semiconductor memory in which error correction is performed by on-chip error correction circuit
    • 半导体存储器，其中通过片上纠错电路进行纠错
    • US07610542B2
    • 2009-10-27
    • US11454007
    • 2006-06-16
    • Takeshi Nagai
    • Takeshi Nagai
    • G11C29/00
    • G11C7/1039 , G06F11/1008 , G11C7/1006 , G11C11/4096 , G11C2029/0411 , G11C2207/104
    • A synchronous semiconductor memory which performs a pipeline operation includes an error correction circuit, an output circuit, and first and second write circuits. The first write circuit is configured to overwrite at least a portion of externally input write data on data read out from a memory cell and corrected by the error correction circuit, and write the overwritten data in the memory cell. The output circuit is configured to output the overwritten data outside a chip. The second write circuit is configured to reoverwrite at least a portion of write data which is externally input at a different time on the overwritten data, encode the reoverwritten data, and write the encoded data in the memory cell.
    • 执行流水线操作的同步半导体存储器包括纠错电路，输出电路以及第一和第二写入电路。 第一写入电路被配置为覆盖从存储器单元读出并由纠错电路校正的数据的外部输入写入数据的至少一部分，并将重写的数据写入存储单元。 输出电路被配置为输出芯片外部的重写数据。 第二写入电路被配置为重新写入写入数据的至少一部分，该写入数据在重写的数据上以不同的时间被外部输入，对重写的数据进行编码，并将编码的数据写入存储单元。
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