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    • 1. 发明申请
    • NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    • 非易失性半导体存储器件
    • US20130024606A1
    • 2013-01-24
    • US13428507
    • 2012-03-23
    • Takahiro SUZUKIMami Kakoi
    • Takahiro SUZUKIMami Kakoi
    • G06F12/00
    • G11C11/5642G06F12/0246G11C16/0483G11C16/26
    • According to one embodiment, a nonvolatile semiconductor memory device comprises a first memory block and a second memory block, and a control circuit. In read operation, when a read target block is the first memory block, the control circuit determines whether the first memory block is single-level or multi-level according to a first flag, and stores a first determination result thereof. While the read target block is the first memory block, the control circuit reads the first memory block as single-level or multi-level according to the first determination result. When the read target block is changed from the first memory block to the second memory block, the control circuit erases the first determination result.
    • 根据一个实施例,非易失性半导体存储器件包括第一存储器块和第二存储器块以及控制电路。 在读操作中,当读目标块是第一存储块时,控制电路根据第一标志确定第一存储块是单级还是多级,并存储其第一确定结果。 当读取目标块是第一存储器块时,控制电路根据第一确定结果将第一存储块读取为单级或多级。 当读取目标块从第一存储块改变到第二存储块时,控制电路擦除第一确定结果。