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    • 2. 发明申请
    • LEISTUNGSVERSORGUNGSSYSTEM MIT MEHREREN VERSTÄRKERPFADEN SOWIE VERFAHREN ZUR ANREGUNG EINES PLASMAS
    • 与对刺激的多条路径放大器和方法等离子供电系统
    • WO2015091468A1
    • 2015-06-25
    • PCT/EP2014/077944
    • 2014-12-16
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • ALT, AlexanderGREDE, AndréGRUNER, DanielLABANC, Anton
    • H01J37/32
    • H01J37/32174H01J37/32082H01L29/4175H01L29/7835
    • Ein Leistungsversorgungssystem (2, 20) mit einem ein Hochfrequenzleistungssignal erzeugenden Leistungswandler (3, 30), der zur Versorgung eines Plasma- oder Gaslaserprozesses mit Leistung mit einer Last (6) verbindbar ist, wobei der Leistungswandler (3, 30) zumindest eine Verstärkerstufe (40) mit einem ersten und einem zweiten jeweils einen Verstärker (42a, 43a) aufweisenden Verstärkerpfad (42, 43) aufweist, wobei der erste Verstärkerpfad (42) an seinem Ausgang ein erstes Verstärkerpfadausgangssignal ausgibt und der zweite Verstärkerpfad (43) an seinem Ausgang ein zweites Verstärkerpfadausgangssignal ausgibt, das eine gegenüber dem ersten Verstärkerpfadausgangssignal verschobene Phase aufweist, die ungleich, insbesondere größer, 0° und ungleich, insbesondere kleiner, 180° ist, wobei die Verstärkerpfade (42, 43) mit einer phasenlagenschiebenden Kopplereinheit (47) verbunden sind, die die Ausgangssignale der Verstärkerpfade (42, 43) zu einem Hochfrequenzleistungssignal koppelt, ist dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Verstärker (43a, 43a) einen Feldeffekt- Transistor (60, T1, T2) aufweist, der in einem Halbleiterbaustein (61) realisiert ist, dessen Halbleiterstruktur überwiegend schichtweise aufgebaut ist, insbesondere in einem planaren Halbleiterbaustein realisiert ist, der einen Kanal (71) aufweist, wobei der Stromfluss im Kanal (71) überwiegend in laterale Richtung, d.h. im Wesentlichen parallel zu den Schichten der Halbleiterstruktur, erfolgt.
    • 一种电源系统(2,20)产生的高频功率信号功率转换器(3,30),其可连接到带电源的等离子体或气体激光处理的供给到负载(6),其中所述功率转换器(3,30)的至少一个放大器级( 40)(其具有第一和在每种情况下的第二放大器42A,43A),其具有放大器路径(42,43),其中,所述第一放大器路径(42)在其输出处输出在其输出端的第一放大器路径的输出信号和所述第二放大器路径(43) 输出具有相对于第一放大器路径的输出信号的第二放大器路径的输出信号移相,这是不相等的,尤其是大于0°并且不等于,特别是小于180°时,所述放大器的路径(42,43)被连接到一个相移耦合器(47), 放大器路径(42,43)的输出信号输出到高频功率信号LD 毛皮,其特征在于,其中在一个半导体器件(61),其半导体结构主要建立在层中实现一个场效应晶体管(60,T1,T2)中的至少一个放大器(43A,43A),特别是在一个平面半导体器件 被实现,其具有通道(71),其中在所述通道中的电流流动(71)主要在横向方向上,即 基本上与半导体结构的层,在平行。
    • 4. 发明申请
    • RICHTKOPPLER
    • 定向耦合器
    • WO2017001596A1
    • 2017-01-05
    • PCT/EP2016/065378
    • 2016-06-30
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • GREDE, AndréALT, AlexanderGRUNER, DanielSCHWERG, NikolaiWANGLER, Christian
    • H01P5/18
    • H01P5/184H01P5/185H05K1/0237H05K2201/09227
    • Ein Richtkoppler (1), der zumindest teilweise in einer insbesondere mehrlagigen Leiterkarte (2) ausgebildet ist, mit einer Hauptleitung (3) zur Übertragung einer Leistung und zumindest einer Nebenleitung (6, 7), die in einem Kopplungsbereich mit einem Kopplungsabschnitt (4, 5) parallel und beabstandet zur Hauptleitung (3) angeordnet ist, wobei im Kopplungsbereich die Hauptleitung (3) und/oder die zumindest eine Nebenleitung (6, 7) im Inneren der Leiterkarte (2) angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass m erste Zusatzkoppelleitungen (12 - 15), m ≥ 1, vorgesehen sind, die einen Kopplungsabschnitt (8 – 11) aufweisen, der parallel und beabstandet zum Kopplungsabschnitt (4, 5) der zumindest einen Nebenleitung (6, 7) verläuft, wobei die ersten Zusatzkoppelleitungen (12 – 15) einen Anschluss (16 – 19) aufweisen, der an der Außenseite der Leiterkarte (2) angeordnet ist zur Verbindung mit Masse oder einer externen Beschaltung.
    • 一种定向耦合器(1)至少在一个特定的多层电路卡(2)部分地与主线路(3)形成用于发射功率和至少一个次级线(6,7)与连接部(4的耦合部分提供, 5)平行和间隔开的从所述主干线(3)被布置,其中,所述主线路(3)和/或所述至少一个次级线(6,7)被布置在所述耦合区域内的印刷电路板(2)的内部,其特征在于,m个第一 附加耦合线(12-15)中,m≥1,条件是一个耦合部分(8-11),其平行并从连结部(4,5)的至少一个次级线(6,7),其中,所述第一辅助耦合线隔开 (12-15),其被布置在电路卡(2)的外侧上,用于连接到地面或外部电路的连接(16-19)。
    • 5. 发明申请
    • HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
    • 高频放大器安排
    • WO2017001594A1
    • 2017-01-05
    • PCT/EP2016/065376
    • 2016-06-30
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • GREDE, AndréALT, AlexanderGRUNER, DanielLABANC, Anton
    • H03F3/193H01J37/32H03F3/30
    • H01J37/32174H03F3/193H03F3/3001H03F2200/451
    • Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 2MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfasst: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (3) (Package) angeordnet sind, b. eine Leiterkarte (2), die flächig an einer metallischen Kühlplatte (25) anliegt und über mehrere Masseverbindungen (8, 19, 21, 24) mit der mit Masse (26) verbindbaren Kühlplatte (25) verbunden ist, wobei die Baugruppe (3) auf oder an der Leiterkarte (2) angeordnet ist, c. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, d. einen Signalübertrager (10), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (14) mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (S1) verbunden ist und mit einem zweiten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (16) mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, wobei jeder Gatenanschluss (15, 17) über zumindest eine spannungsbegrenzende Bauelementanordnung (18, 20, 18', 20') mit Masse (19, 21) verbunden ist.
    • 其适于产生输出在频率≥2兆赫等离子体激发≥1千瓦,包括高频放大器装置(1):一。 2个LDMOS晶体管(S1,S2),其具有分别连接到接地连接点(5)它们的源极端子,所述LDMOS晶体管(S1,S2)具有相同的设计和模块(3)中(封装)被布置, 湾 的印刷电路卡(2),其位于平贴的金属散热板(25)和若干接地连接(8,19,21,24)连接到所述地面(26)的冷却板(25),所述组件(3) 被布置在或在印刷电路板(2)中,c。 (6)到LDMOS晶体管(S1,S2),D的漏极端子被连接到一个电源变压器(7),其初级绕组。 具有通过一个或多个电阻元件(14)的LDMOS晶体管(S1)的栅极端子(15)的第一端的信号变压器(10),其次级绕组(13)通过一个或多个电阻连接到第二端 连接的元件(16)连接到其他LDMOS晶体管的栅极端子(17)(S2),通过至少一个限制电压的部件组件(18,20,18”,20' )到地每一个栅极端子(15,17)(19, 21)。
    • 7. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER HOCHFREQUENZLEISTUNG UND LEISTUNGSVERSORGUNGSSYSTEM MIT EINEM LEISTUNGSWANDLER ZUR VERSORGUNG EINER LAST MIT LEISTUNG
    • 用于生产高频功率和供电系统与电源转换器,用于电源对于性能上的负载
    • WO2014094737A2
    • 2014-06-26
    • PCT/DE2013/100429
    • 2013-12-18
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • GREDE, AndréKRAUSSE, DanielLABANC, AntonTHOME, ChristianPENA VIDAL, Alberto
    • H02M7/5387
    • H02M1/08H01J37/24H01J37/32082H01J37/32174H02M7/53873H02M2001/0003H03F3/2175H03M1/66H05H2001/4682
    • Ein Leistungsversorgungssystem (2, 20) mit einem ein Hochfrequenzsignal erzeugenden Leistungswandler (3, 30), der zur Versorgung eines Plasma- oder Gaslaserprozesses mit Leistung mit einer Last (6) verbindbar ist, wobei der Leistungswandler zumindest einen ersten Verstärkerpfad (31) aufweist, wobei dem zumindest einen Verstärkerpfad (31-36) ein von einem DAC (41) aus einem Digitalsignal erzeugtes Analogsignal zugeführt ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass dem DAC eine Logikschaltungseinheit (42) zur Erzeugung des dem DAC zugeführten Digitalsignals vorgeschaltet ist, wobei die Logikschaltungseinheit - einen Signal-Datenspeicher (61), in dem Signal-Datenwerte zur Erzeugung einer Analogsignalform abgelegt sind, - einen Amplituden-Datenspeicher (62), in dem Amplituden-Datenwerte zur Beeinflussung der Amplituden der Analogsignale abgelegt sind, - einen Multiplikator (63) zur Multiplikation der Signal-Datenwerte mit den Amplituden-Datenwerten aufweist. Bei einem Verfahren zur Erzeugung einer Hochfrequenzleistung, die einer Last zuführbar ist, indem ein Analogsignal durch einen DAC erzeugt und in einem Verstärkerpfad (31-36) verstärkt wird, wird die Amplitude des Analogsignals moduliert.
    • 一种电源系统(2,20)配有高频信号产生的功率转换器(3,30),其可连接到带电源的等离子体或气体激光处理的供给到负载(6),其中,所述功率变换器包括至少一个第一放大器路径(31), 其中所述至少一个放大器路径(31-36)一个从一个DAC(41)从生成的模拟信号的数字信号供给,其特征在于,所述DAC的逻辑电路部(42)被连接为产生所述DAC输入的数字信号,其中所述逻辑电路单元 - 一个信号存储器(61),被存储在信号数据值,以产生模拟波形, - 振幅数据存储器(62),在该幅度值被存储,用于影响所述模拟信号的振幅数据, - 乘法器(63) 具有用于将信号数据值与所述幅度数据值乘以。 在用于生成可以通过与由DAC所产生的模拟信号的放大器路径(31-36)被放大被供给到负载的高频电力的方法,所述模拟信号的幅度受到了调制。
    • 10. 发明申请
    • LEISTUNGSCOMBINER MIT SYMMETRISCH ANGEORDNETEM KÜHLKÖRPER UND LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG
    • 具有均衡安排散热器和LEISTUNGSCOMBINERANORDNUNG LEISTUNGSCOMBINER
    • WO2017001598A1
    • 2017-01-05
    • PCT/EP2016/065380
    • 2016-06-30
    • TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
    • GREDE, AndréALT, AlexanderGRUNER, DanielLABANC, Anton
    • H01P5/18
    • H01P5/16H01P1/18H01P5/187
    • Die Erfindung betrifft einen Leistungscombiner (10) mit einem Kühlkörper (40). Der Leistungscombiner (10) weist zumindest einen ersten elektrischen Leiter (14) und einen zweiten elektrischen Leiter (16) auf. Der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) sind insgesamt weitestgehend äquidistant von dem Kühlkörper (40) beabstandet. Hierzu können der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) abwechselnd nah bzw. fern zum Kühlkörper (40) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich dazu kann der Kühlkörper (40) zwischen dem ersten elektrischen Leiter (14) und dem zweiten elektrischen Leiter (16) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich dazu können der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) weitestgehend in parallele Leiterstücke (14a, 14b, 16a, 16b) aufgeteilt sein, wobei die Leiterstücke (14a, 14b, 16a, 16b) so von dem Kühlkörper (40) beabstandet sind, dass der erste elektrische Leiter (14) und der zweite elektrische Leiter (16) insgesamt weitestgehend gleich weit vom Kühlkörper (40) beabstandet sind.
    • 本发明涉及一种Leistungscombiner(10),具有热沉(40)。 所述Leistungscombiner(10)具有至少一个第一电导体(14)和第二电导体(16)。 第一电导体(14)和第二电导体(16)是从散热片(40)基本上等距离隔开的一个整体。 为了这个目的,第一电导体(14)和第二电导体(16)可被布置交替接近或者远离所述热沉(40)上。 或者或另外,所述第一电导体(14)和第二电导体(16)之间的冷却体(40)可以被布置。 可选择地或另外,所述第一电导体(14)和第二电导体(16)尽可能平行导体片(14A,14B,16A,16B)进行划分,其中,所述导体部分(14A,14B,16A,16B),这样的 所述热沉(40)间隔开,使得所述第一电导体(14)和第二电导体(16)从所述散热片(40)等距被尽可能在总间隔开。