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1. 发明公开

KR20200141939A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200141939A
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR20200068307
申请日：2020-06-05
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： OKAZAWA TOMOKI , ICHINO KATSUNORI , WATANABE MASANOBU
IPC分类号： H01L21/67 , B05D1/00 , G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/687
摘要： [과제] 본발명은, 기판의표면에형성되는피막의막 두께균일성을향상시킨다. [해결수단] 본개시의일 측면에관한기판처리장치는, 기판을보유지지해서회전시키는회전보유지지부와, 처리액을토출하는노즐을갖고, 회전보유지지부에보유지지된기판의표면에처리액을공급하는액 공급부와, 기판의중심과주연부의사이에서노즐을이동시키는구동부와, 회전보유지지부, 액공급부및 구동부를제어하는제어부를구비한다. 제어부는, 기판을회전시키면서, 노즐을기판의중심으로부터주연부를향해서이동시키면서당해노즐로부터처리액을토출시킴으로써, 스파이럴상의궤적인공급궤적을형성하도록기판의표면에처리액을공급하는공급제어를실행하고, 공급제어를실행할때, 적어도공급궤적의최외주를형성하는부분에있어서, 기판의표면의단위면적당처리액의토출량을서서히감소시킨다.

2. 发明专利

JP2011067810A Coating treatment method, program, computer storage medium, and coating treatment apparatus 有权
标题翻译：涂层处理方法，程序，计算机存储介质和涂层处理设备
公开(公告)号：JP2011067810A
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：JP2010150740
申请日：2010-07-01
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： ICHINO KATSUNORI , TAKAYANAGI KOJI , NODA TOMOHIRO
IPC分类号： B05D3/00 , B05C11/08 , B05D1/40 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02282 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly apply a coating liquid within the surface of a substrate while keeping the supply amount of the coating liquid down to a low level when applying the coating liquid onto the substrate. SOLUTION: A solvent is supplied onto a wafer being rotating to prewet the surface of the wafer (the process S1). The wafer is rotated at a fifth rotation number (the process S2). The rotation of the wafer is accelerated to a first rotation number to rotate the wafer at the first rotation number (the process S3). The rotation of the wafer is decelerated to 1,500 rpm, which is a second rotation number, to rotate the wafer W at the second rotation number for 0.5 s (the process S4). The rotation of the wafer is further decelerated to a third rotation number to rotate the wafer at the third rotation number (the process S5). The rotation of the wafer is accelerated to a fourth rotation number to rotate the wafer at the fourth rotation number (the process S6). A resist liquid is supplied continuously to the center of the wafer from the middle of the process S2 to the middle of the process S5. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：当将涂布液施加到基材上时，将涂布液均匀地涂覆在基材的表面内，同时使涂布液的供应量保持在低水平。解决方案：将溶剂供应到正在旋转以预润湿晶片表面的晶片上（过程S1）。晶片以第五个转数旋转（工艺S2）。将晶片的旋转加速到第一转数，以使晶片以第一转数旋转（过程S3）。将晶片的旋转减速至1500rpm，即第二转数，以使晶片W以第二转数旋转0.5s（处理S4）。晶片的旋转进一步减速至第三转数，以使晶片以第三转数旋转（过程S5）。将晶片的旋转加速到第四转数，以使晶片以第四转数旋转（过程S6）。从工艺S2的中间到工艺S5的中间，将抗蚀剂液体连续地供给到晶片的中心。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2014082513A Liquid processing apparatus and method 有权
标题翻译：液体加工设备及方法
公开(公告)号：JP2014082513A
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：JP2013259068
申请日：2013-12-16
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： YOSHIHARA KOSUKE , ICHINO KATSUNORI , KOSHO TOMONOBU , SASA TAKUSHI , TSUCHIYA KATSUHIRO , TERASHITA YUICHI , TAKEGUCHI HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently prevent an increase in particles contained in a process liquid without wastefully consuming the process liquid.SOLUTION: A liquid processing apparatus comprises: a supply pipeline 51 connecting between a resist container 60 and a process liquid supply nozzle 7; a filter device 52a interposed in the supply pipeline; a pump P interposed in the supply pipeline on a secondary side of the filter device; a circulation pipeline 55 between a secondary side of the pump and a primary side of the filter device; a supply control valve 57 interposed on a secondary side of the pump; an on-off valve V35 provided on a discharge side of the pump, and capable of selectively supplying a process liquid to the circulation pipeline; a switching valve V6 provided, on a primary side of the filter device, in the supply pipeline on a secondary side of a connection between the circulation pipeline and the supply pipeline; and a controller 200 for controlling the pump, the supply control valve, the on-off valve and the switching valve. While the supply control valve, the on-off valve and the switching valve are closed, driving of drive means of the pump allows a pump part to have negative pressure to thereby make fine bubbles existing in the process liquid apparent.
摘要翻译：要解决的问题：为了有效地防止加工液中所含的颗粒的增加，而不浪费处理液体。解决方案：液体处理装置包括：连接抗蚀剂容器60和工艺液体供应喷嘴7的供应管线51; 插入在供给管路中的过滤器装置52a; 泵浦P插入在过滤装置的二次侧的供给管路中; 在泵的次级侧和过滤装置的初级侧之间的循环管线55; 设置在泵的次级侧的供给控制阀57; 设置在泵的排出侧的开关阀V35，能够选择性地向循环管道供给处理液; 切换阀V6，其设置在所述过滤装置的一次侧，在所述供给管路中，在所述循环管道与所述供给管路之间的连接的二次侧; 以及用于控制泵，供给控制阀，开闭阀和切换阀的控制器200。当供给控制阀，开关阀和切换阀关闭时，泵的驱动装置的驱动允许泵部分具有负压，从而使处理液体中存在的微小气泡明显。

4. 发明专利

JP2012011279A Application method and application device 有权
标题翻译：应用方法和应用设备
公开(公告)号：JP2012011279A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：JP2010148016
申请日：2010-06-29
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： ICHINO KATSUNORI , YOSHIHARA KOSUKE
IPC分类号： B05D1/40 , B05C9/14 , B05C11/08
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of preventing variation of an application film thickness in a substrate surface even when a thin coating film is formed by reducing a supply amount of an application liquid (for example, resist liquid).SOLUTION: In an application method including: an application liquid application step of supplying an application liquid to a central part of a substrate, rotating the substrate, and covering the entire surface of the substrate with the application liquid; and a drying step of rotating the substrate in a state where the supply of the application liquid is stopped after the application liquid coating step and drying the application liquid, the temperature of a specific range in a radial direction of the substrate is locally adjusted from a back surface side of the substrate in the drying step. The adjustment may be performed, for example, by blasting the specific range in the radial direction of the back surface of the substrate with a temperature control fluid by a temperature control nozzle or by irradiating the specific range in the radial direction of the back surface of the substrate with heat rays.
摘要翻译：要解决的问题：即使通过减少施加液体（例如抗蚀剂液体）的供给量形成薄膜也能够提供能够防止基板表面中的涂布膜厚度的变化的技术。解决方案：一种应用方法，包括：施加液施加步骤，将施加液体供应到基板的中心部分，旋转基板，并用施加液覆盖基板的整个表面; 以及干燥步骤，在涂布液涂布步骤停止施加液体的供给并干燥涂布液的状态下旋转基板，将基板的径向的特定范围的温度从在干燥步骤中的基板的背面侧。调整可以例如通过温度控制喷嘴用温度控制流体喷射基板的背面的径向的特定范围，或者通过照射背面的径向的特定范围具有热射线的基板。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2010212658A Coating method 有权
标题翻译：涂料方法
公开(公告)号：JP2010212658A
公开(公告)日：2010-09-24
申请号：JP2009263158
申请日：2009-11-18
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： TAKAYANAGI YASUHARU , IZEKI TOSHIHIRO , ICHINO KATSUNORI , YOSHIHARA KOSUKE
IPC分类号： H01L21/027 , B05D1/40 , G03F7/16
CPC分类号： B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating method for efficiently applying coating liquid such as a liquid resist to the entire surface of a wafer even when the coating liquid is supplied in a smaller amount than a conventional one, and for reducing the consumption of the coating liquid such as the liquid resist. SOLUTION: This coating method includes: a first step S1 of rotating the wafer W at a first rotational speed V1 while supplying coating liquid onto approximately the center of the rotating wafer W; a second step S2 of rotating the wafer W at a second rotational speed V2 which is lower than the first rotational speed V1 after the first step S1; a third step S3 of rotating the wafer W at a third rotational speed V3 which is higher than the second rotational speed V2 after the second step S2; and a fourth step S4 of rotating the wafer W at a fourth rotational speed V4 which is higher than the second rotational speed V2 and lower than the third rotational speed V3 after the third step S3. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种涂覆方法，即使当涂覆液体以比常规涂层更少的量供应时，也可以将液体抗蚀剂等涂布液有效地施加到晶片的整个表面，并且用于减少消耗涂料液如液体抗蚀剂。该涂布方法包括：第一步骤S1，使第一旋转速度V1旋转晶片W，同时向旋转晶片W的大致中心供给涂布液; 在第一步骤S1之后以低于第一转速V1的第二转速V2旋转晶片W的第二步骤S2; 在第二步骤S2之后以高于第二转速V2的第三转速V3旋转晶片W的第三步骤S3; 以及在第三步骤S3之后以比第二转速V2高且低于第三转速V3的第四转速V4旋转晶片W的第四步骤S4。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2015026792A 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体有权
标题翻译：涂膜成膜装置，涂膜成型方法和储存介质
公开(公告)号：JP2015026792A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2013157006
申请日：2013-07-29
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： ICHINO KATSUNORI , YOSHIHARA KOSUKE , TERASHITA YUICHI
IPC分类号： H01L21/027 , B05C9/12 , B05C11/08 , B05D1/40
摘要：【課題】基板の表面に塗布膜を形成するにあたり、スループットを高くすると共に膜厚の面内均一性を確保すること。【解決手段】基板保持部に保持された基板の表面と対向するように、昇降自在な環状部材を所定の高さに配置する。当該環状部材は開口部を有し、開口部の基板の表面への投影領域は回転中心を中心とする真円と一致しないように構成されている。基板を回転させ塗布液を展伸した後、基板を更に高速回転させ塗布液を乾燥させ塗布膜を得る。その際環状部材を降下させ、基板周縁部の気流を制御することで基板周縁部の塗布膜の膜厚を均一化する。一方環状部材の開口部からの基板への気流が分散されることにより、開口部直下における塗布膜の膜厚は均一化される。よって基板全体として膜厚を均一化させることができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了确保在基板表面上形成涂膜时提高成膜量的同时提高膜厚的面内均匀性。解决方案：将可垂直移动的环状部件布置成预定高度以面对表面由基板保持部保持的基板。具有开口的环状构件构成为使得基板表面上的开口的投影面积与其旋转中心处的中心的真圆不一致。通过旋转基板使涂布溶液膨胀后，通过进一步高速旋转基板以干燥涂布溶液来获得涂膜。此时，通过使环状部件向下方并控制基板的周缘部的气流，使涂膜的膜厚均匀化。另一方面，分散从环状构件的开口到基板的空气流; 因此，直接在开口下方的涂膜的膜厚度相等。因此，整个物质的膜厚度相等。

7. 发明专利

JP2015009180A 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体有权
标题翻译：涂胶膜形成装置，涂膜形成方法和记录介质
公开(公告)号：JP2015009180A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013135074
申请日：2013-06-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： ICHINO KATSUNORI , YOSHIHARA KOSUKE , TERASHITA YUICHI
IPC分类号： B05C11/08 , B05D1/40 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/6715 , B05C11/08 , B05D1/005 , G03F7/162
摘要：【課題】基板に塗布膜を形成するにあたり、スループットを高くすると共に基板の面内における塗布膜の膜厚の均一性を高くすること。【解決手段】基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転機構と、前記基板に塗布膜を形成するために塗布液を供給する塗布液供給機構と、前記基板の回転による塗布液の液膜の乾燥時に基板の周縁部上方の気流を整流するために、基板の周縁部上方を覆うように基板の周方向に沿う環状に設けられた環状部材と、前記環状部材の内周端近傍における気流の真下に向かう成分を低減するために、前記環状部材の内周縁部に周方向に沿って設けられ、上方に突出する突起部と、を備えるように装置を構成して、前記膜厚の均一性を高くする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：当在基板上形成涂膜时，提高生产量并提高基材表面的涂膜厚度的均匀性。解决方案：一种装置被构造成包括一个基板保持部件，该基板保持部件水平地保持基板旋转机构，其使由基板保持部保持的基板旋转;涂布液供给机构，其在基板上供给用于形成涂膜的涂布液;环状部件，其沿着所述基板的周向环状地设置，所述基板的周缘部的上部，当所述涂布液的液膜被所述基板的旋转干燥时，对所述基板的周缘部的上方的空气流进行整流;以及突出部，在环状部件的内周缘部的圆周方向上，用于减少附近的部件环形构件的内周缘部分朝向空气流的正下方突出并向上突出，以提高膜厚度的均匀性。

8. 发明专利

JP2014222756A フィルタ内の気体の除去方法及びその装置有权
标题翻译：在过滤器中除去气体的方法及其装置
公开(公告)号：JP2014222756A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014121599
申请日：2014-06-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： MORI TAKUYA , PARK SUNG MOON , YOSHIHARA KOSUKE , TERASHITA YUICHI , ICHINO KATSUNORI , TAKEGUCHI HIROSHI
IPC分类号： H01L21/027 , B05D3/12 , H01L21/304
摘要：【課題】薬液中のパーティクルを除去するフィルタに含まれる気体を除去する技術を提供すること。【解決手段】薬液中のパーティクルを除去するためのフィルタ42を備えたフィルタ部4に、ウエハWの液処理時に薬液を通流させるときの圧力より高い圧力で液体を供給する。これにより、フィルタ内の液体に加わる圧力が高くなるので、この液体の液圧によりフィルタに含まれる気体が薬液に溶解し、こうして、フィルタ42内の気体を除去することができる。次いで、薬液を前記フィルタ4に介して塗布モジュール8の塗布ノズル85に供給することにより、パーティクル及び気体含有量が極めて少ない薬液を用いてウエハWに対して液処理を行うことができ、欠陥の発生を抑えることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种去除包含在用于除去液体药物中的颗粒的过滤器中的气体的技术。解决方案：包括用于去除液体药物中的颗粒的过滤器42的过滤器部分4被供给具有高于供应压力的压力的液体在进行晶片W的液体处理时的液体药物。因此，对过滤器中的液体施加更高的压力，由此，通过液体的液体压力和过滤器中的气体将包含在过滤器中的气体溶解在药液中 42被去除。液体药物通过过滤器部分4供给到涂布模块8的涂布喷嘴85，从而可以通过使用颗粒中极小的液体药物和气体含量来进行晶片W上的液体处理，从而可以抑制缺陷的发生。

9. 发明专利

JP2013191843A Liquid processing method and removing device for gas in filter 有权
标题翻译：液体加工方法和过滤器中气体的去除装置
公开(公告)号：JP2013191843A
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：JP2013028247
申请日：2013-02-15
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： MORI TAKUYA , PARK SUNG MOON , YOSHIHARA KOSUKE , TERASHITA YUICHI , ICHINO KATSUNORI , TAKEGUCHI HIROSHI
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for removing gas included in a filter removing particles in a liquid medicine.SOLUTION: A filter section 4 including a filter 42 for removing particles in a liquid medicine is supplied with liquid with pressure higher than pressure when the liquid medicine is supplied in liquid processing a wafer W. Consequently, higher pressure is applied to the liquid in the filter, and so gas included in the filter is dissolved in the liquid medicine with liquid pressure of the liquid and the gas in the filter 42 is thereby removed. By supplying the liquid medicine to a coating nozzle 85 of a coating module 8 through the filter 4, the liquid processing on the wafer W can be performed using the liquid medicine which is extremely small in particle and gas content, so that occurrence of a defect can be suppressed.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种去除液体药物中去除颗粒的过滤器中的气体的技术。解决方案：包括用于去除液体药物中的颗粒的过滤器42的过滤器部分4被供给具有高于压力的压力的液体，在液体处理中提供液体药物晶片W.因此，对过滤器中的液体施加更高的压力，因此包含在过滤器中的气体被溶解在药液中，液体的液体压力和过滤器中的气体 42被去除。通过通过过滤器4将液体药剂供给到涂布模块8的涂布喷嘴85，可以使用粒子和气体含量极小的液体药物进行晶片W的液体处理，从而发生缺陷可以抑制。

10. 发明专利

JP2010010314A Coating processing method, program, computer storage medium, and coating processing device 有权
标题翻译：涂料加工方法，程序，计算机存储介质和涂层处理装置
公开(公告)号：JP2010010314A
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：JP2008166740
申请日：2008-06-26
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： IZEKI TOSHIHIRO , ICHINO KATSUNORI , TAKAYANAGI KOJI
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly apply a coating liquid in a substrate surface while adjusting the position of a coating nozzle in a horizontal direction in a short time. SOLUTION: The coating liquid is supplied onto a wafer for inspection from the coating nozzle and diffused (stage S1). An image of the coating liquid being diffused is acquired (stage S2). The acquired image is compared with a comparison image (stage S3) and the horizontal position of the coating nozzle is grasped from the relation between the comparison image and the horizontal position of the coating nozzle. The horizontal position of the coating nozzle is adjusted based upon the grasped position of the coating nozzle (stage S4). Thereafter, the coating liquid is supplied from the position-adjusted coating nozzle to the center of the wafer to be uniformly applied over the wafer (stage S5). COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在短时间内在涂布喷嘴的水平方向上调整涂布喷嘴的位置的同时，将涂布液均匀地涂布在基板表面上。
解决方案：将涂布液从涂料喷嘴供给到晶片上进行检查并进行扩散（阶段S1）。获取被扩散的涂布液的图像（阶段S2）。将获取的图像与比较图像（阶段S3）进行比较，并且从比较图像和涂布喷嘴的水平位置之间的关系中掌握涂布喷嘴的水平位置。基于涂布喷嘴的把持位置来调整涂布喷嘴的水平位置（阶段S4）。此后，将涂布液从位置调整涂布喷嘴供给到晶片的中心，以均匀地施加在晶片上（级S5）。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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