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1. 发明申请

WO2003025966A1 PROCEDE DE CROISSANCE LOCALISEE DE NANOTUBES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CATHODE AUTOALIGNEE UTILISANT LE PROCEDE DE CROISSANCE DE NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：用于本发明纳米管生长的方法和使用纳米生长方法制备自对准阴离子的方法
公开(公告)号：WO2003025966A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/FR2002/003228
申请日：2002-09-20
申请人： THALES , LEGAGNEUX, Pierre , PIRIO, Gilles , PRIBAT, Didier , MILNE, William, Ireland , TEO, Kenneth, Boh, Khin
发明人： LEGAGNEUX, Pierre , PIRIO, Gilles , PRIBAT, Didier , MILNE, William, Ireland , TEO, Kenneth, Boh, Khin
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01J9/025
摘要： L'invention concerne un procédé de croissance contrôlée de nanotubes ou nanofibres sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte en outre la réalisation d'une structure bicouche sur le substrat (11), composée d'une couche de matériau catalyseur (71) de croissance de nanotubes ou nanofibres et d'une couche de matériau associé, ledit matériau associé étant tel qu'il forme un alliage non catalytique avec le matériau catalyseur à haute température. L'invention concerne également un procédé de fabrication de cathode à effet de champ utilisant le procédé de fabrication de nonotubes ou nanofibres précédent. Ces procédés permettent de localiser très précisément des plots de catalyseur à partir desquels peuvent croître les nonotubes et nanofibres et de fabriquer des cathodes pour lesquelles les nanotubes or nanofibres sont auto alignées avec l'ouverture dans la grille d'extraction.
摘要翻译：本发明涉及一种用于衬底上的纳米管或纳米纤维的受控生长的方法，其特征在于，其还包括在所述衬底（11）上产生两层结构，所述两层结构由催化（71）纳米管或纳米纤维生长的材料层和一层相关材料，所述相关材料使得其在高温下与催化材料形成非催化合金。本发明还涉及使用所述制造纳米管或纳米纤维的方法制造场效应阴极的方法。所述方法使得能够非常准确地定位催化剂块，可以从其生长纳米管和纳米纤维并制备阴极，纳米纤维或纳米纤维与提取网格中的开口自对准。本发明适用于电子管，纳米光刻技术。

2. 发明申请

WO2006128828A1 RESEAU DE TRANSISTORS FET A NANOTUBE OU NANOFIL SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE CORRESPONDANT, POUR LA DETECTION D'ANALYTES 审中-公开
标题翻译：导电型纳米管或纳米级FET晶体管网络和相应的电子设备，用于检测分析
公开(公告)号：WO2006128828A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/EP2006/062615
申请日：2006-05-24
申请人： THALES , ECOLE POLYTECHNIQUE , BONDAVALLI, Paolo , LEGAGNEUX, Pierre , LE BARNY, Pierre , PRIBAT, Didier , NAGLE, Julien
发明人： BONDAVALLI, Paolo , LEGAGNEUX, Pierre , LE BARNY, Pierre , PRIBAT, Didier , NAGLE, Julien
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4146 , B82Y15/00 , Y10S977/92 , Y10S977/957
摘要： Dans un réseau R de transistors à effet de champ pour la détection d'analytes, chaque transistor du réseau comprend une grille G, un élément semi-conducteur nanotube ou nanofil NT connecté à une extrémité à une électrode source S, et à une autre extrémité à une électrode drain D, pour former à chaque extrémité une jonction J 1 , J 2 avec le canal. Des transistors FET 1,1 , FET 1,2 du réseau au moins sont différenciés par un matériau conducteur d'électrode source S et/ou drain D différent (m1, m2).
摘要翻译：本发明涉及用于分析物检测的场效应晶体管网络（R），其中每个晶体管包括栅极（G），一端连接到源电极（S）的纳米管或纳米线半导体元件（NT）终止于漏电极（D），以在每一端形成与通道的结（J 1，N 2，N 2）。至少由网络的晶体管（FET＆lt; SUB＆lt; SUB＆gt; FET＆lt; 1,2＆lt; 1,2＆lt; 1,2＆gt;）区分不同的源电极（S）和/或漏电极（D）导电材料（m1，m2）。

3. 发明申请

WO2003048040A1 PROCEDE DE CROISSANCE CATALYTIQUE DE NANOTUBES OU NANOFIBRES COMPRENANT UNE BARRIERE DE DIFFUSION DE TYPE ALLIAGE NiSi 审中-公开
标题翻译：包含NISO合金扩散阻挡层的纳米线或纳米纤维的催化生长方法
公开(公告)号：WO2003048040A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/FR2002/004155
申请日：2002-12-03
申请人： THALES , LEGAGNEUX, Pierre , PRIBAT, Didier , NEDELLEC, Yannig
发明人： LEGAGNEUX, Pierre , PRIBAT, Didier , NEDELLEC, Yannig
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B29/36 , C30B29/52 , C30B29/605 , D01F9/127
摘要： L'invention concerne un procédé de croissance de nanotubes ou nanofibres sur un substrat comportant au moins une couche supérieure en un premier matériau, caractérisé en ce qu'il comprend - la formation à la surface de la couche supérieure, d'une couche barrière constituée d'un alliage du premier matériau et d'un second matériau, ledit alliage étant stable à une première température la formation de plots de catalyseur constitués du second matériau, à la surface de la couche d'alliage ;la croissance de nanotubes ou nanofibres à une seconde température inférieure à ladite première température.La couche d'alliage, permet une croissance efficace des nanotubes/nanofibres à partir de plots de catalyseur à la surface de ladite couche d'alliage. En effet la couche d'alliage constitue une barrière de diffusion vis-à-vis du catalyseur sur le substrat de croissance, stable à la température de croissance catalytique des nanotubes/nanofibres. Applications : nanotechnologie, dispositifs à émission de champ.
摘要翻译：本发明涉及一种在衬底上生长纳米管或纳米纤维的方法，该方法至少包括第一材料的顶层，其特征在于，其包括：在顶层的表面形成由第一材料和第二材料，所述合金在第一温度下是稳定的; 在所述合金膜的表面形成由所述第二材料制成的催化剂块; 在低于所述第一温度的第二温度下生长纳米管或纳米纤维。合金膜能够使纳米管/纳米纤维从合金膜表面的催化剂块有效生长。实际上，合金膜相对于生长衬底上的催化剂构成扩散阻挡层，在纳米管/纳米纤维的催化生长温度下是稳定的。本发明适用于纳米技术，场发射装置。

4. 发明申请

WO2004049455A1 DIODES PIN EN MATERIAUX POLYCRISTALLINS A HETEROSTRUCTURES, PANNEAU DEPHASEUR ET ANTENNE COMPORTANT LES DIODES PIN 审中-公开
标题翻译：由多晶体结构材料制成的PIN二极管，相变板和包含PIN二极管的天线
公开(公告)号：WO2004049455A1
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/EP2003/050858
申请日：2003-11-20
申请人： THALES , SCHNELL, Jean-Philippe , PRIBAT, Didier
发明人： SCHNELL, Jean-Philippe , PRIBAT, Didier
IPC分类号： H01L29/868
CPC分类号： H01L29/868 , H01Q3/46
摘要： L'invention a pour objet une diode de type PIN à hétérostructures à base de matériaux semiconducteurs comprenant au moins un premier matériau en contact avec un second matériau lui-même en contact avec un troisième matériau caractérisé en ce que le premier matériau est polycristallin de type Si 1-z-u Ge Z C u dopé n ou p, le second matériau est polycristallin de type Si l-x-y Ge x C y , le troisième matériau est polycristallin de type Si 1-t-v Ge t C v dopé respectivement p ou n avec x,y,z,t,u,v fractions molaires, le premier matériau étant différent du second matériau et/ou le second matériau étant différent du troisième matériau de manière à créer au moins une hétérostructure. L'invention a aussi pour objet un panneau déphaseur utilisant les diodes de l'invention. Application : Antenne à dépointage électronique.
摘要翻译：本发明涉及一种具有基于半导体材料的异质结构的PIN型二极管，其包括与第二材料接触的至少一种第一材料，第二材料又与第三材料接触。本发明的特征在于，第一种材料是n-或p-掺杂的Si1-z-uGezCu型多晶，第二种材料是Sil-x-yGexCy型多晶，第三种材料是Si1-t-vGetCv型多晶，p或n分别掺杂有x，y，z，t，u，v摩尔分数，第一材料不同于第二材料和/或第二材料不同于第三材料，例如以产生至少一种异质结构。本发明还涉及采用本发明二极管的相移面板。本发明适用于具有电子失准的天线。

5. 发明申请

WO2003056659A1 PANNEAU DEPHASEUR MONOLITHIQUE 审中-公开
标题翻译：单相相移面板
公开(公告)号：WO2003056659A1
公开(公告)日：2003-07-10
申请号：PCT/FR2002/004274
申请日：2002-12-10
申请人： THALES , PRIBAT, Didier , HUET, Odile , SCHNELL, Jean-Philippe , LAMOUR, Frédéric , WOLK, Ivan
发明人： PRIBAT, Didier , HUET, Odile , SCHNELL, Jean-Philippe , LAMOUR, Frédéric , WOLK, Ivan
IPC分类号： H01Q3/44
CPC分类号： H01Q15/24 , H01Q3/38 , H01Q3/44 , H01Q3/46 , H01Q15/14
摘要： L'invention concerne un panneau déphaseur monolithique à diodes PIN en silicium polycristallin, intégrées à un substrat diélectrique, pour antenne à balayage électronique. L'intérêt réside dans l'intégration des éléments de commande de type diodes (non plus hybridée selon l'art connu) en matériau performant (silicium polycristallin) permettant la conception peu coûteuse de panneaux déphaseurs à grands nombres d'éléments semiconducteurs à deux états, paramètre essentiel pour des antennes actives destinées aux applications quasi-grand public.
摘要翻译：本发明涉及一种用于电子扫描天线的集成在电介质基底中的多晶硅PIN二极管的单片相移面板。本发明的特征在于，由执行材料（多晶硅）制成的二极管型控制元件（不像现有技术中的杂化）的结合使得能够廉价地设计具有大量两状态半导体元件的相移板，其构成用于准主流应用的有源天线的基本参数。

6. 发明申请

WO2010043716A2 PROCEDE DE CROISSANCE CONTROLEE DE FILM DE GRAPHENE 审中-公开
标题翻译：石墨膜的控制生长方法
公开(公告)号：WO2010043716A2
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/EP2009/063617
申请日：2009-10-16
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , BARATON, Laurent , COJOCARU, Costel-Sorin , PRIBAT, Didier
发明人： BARATON, Laurent , COJOCARU, Costel-Sorin , PRIBAT, Didier
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/00 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B1/10 , C01B31/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/02
摘要： L'invention concerne un procédé de croissance contrôlée de film de graphène caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la réalisation à la surface d'un substrat (S 1 ) d'une couche d'un métal présentant un diagramme de phase avec le carbone tel qu'au-delà d'un ratio seuil de concentration molaire C M /C M +C C , avec C M la concentration molaire de métal dans un mélange métal/carbone et C C la concentration molaire du carbone dans ledit mélange, on obtient une solution solide homogène; - l'exposition de la couche de métal à un flux contrôlé d'atomes de carbone ou de radicaux carbonés ou d'ions carbonés à une température telle que le ratio obtenu de concentration molaire est supérieur au ratio seuil de façon à obtenir une solution solide du carbone dans le métal; - une opération permettant de modifier la phase du mélange en deux phases respectivement de métal et de graphite conduisant à la formation d'au moins un film inférieur (31) de graphène situé à l'interface : couche métal incorporant des atomes de carbone / substrat et d'un film supérieur de graphène (30) à la surface de la couche de métal.
摘要翻译：本发明涉及一种用于石墨烯薄膜受控生长的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在基底（S1）的表面形成具有碳的相图的金属层，使得，超过摩尔浓度CM / CM + CC的阈值比，CM是金属/碳混合物中金属的摩尔浓度，CC是所述混合物中碳的摩尔浓度，可以获得固体均匀组合物; 在使得所得摩尔浓度比高于阈值比的温度下将金属层暴露于受控的碳原子或碳根或碳离子流中，以获得金属中的碳的固溶体; 将混合物的相变为金属和石墨的两相的操作，从而导致在包含碳原子和基底的金属层的界面处形成至少一个下部石墨烯膜（31），并形成在金属层的表面上的上部石墨烯膜（30）。

7. 发明申请

WO2007003852A3 PLAQUE ACTIVE D'ECRAN PLAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2007003852A3
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/FR2006/050650
申请日：2006-06-29
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ECOLE POLYTECHNIQUE , PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel Sorin
发明人： PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel Sorin
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication de la plaque active d'un écran plat matriciel, dans lequel chaque cellule comprend une plaque d'électrode (1) connectée par un transistor (2) à une première ligne conductrice, comprenant les étapes suivantes : prévoir une excroissance (11) enrobée d'isolant de chaque première ligne conductrice au niveau de chaque cellule ; graver ou rendre poreuse une partie d'extrémité de chaque excroissance ; faire croître par un procédé VLS une structure semi- conductrice PIP ou NIN dans chaque partie d'extrémité gravée ou rendue poreuse ; et établir un contact à l'extrémité libre de la structure semiconductrice et former une grille au niveau de la partie médiane de la structure semiconductrice.

8. 发明申请

WO2007090814A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE TRANSISTOR VERTICAL A BASE DE NANOFILS 审中-公开
标题翻译：制造基于纳米线的垂直晶体管结构的方法
公开(公告)号：WO2007090814A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/EP2007/051076
申请日：2007-02-05
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE , PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel-Sorin
发明人： PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel-Sorin
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05 , H01L29/06
CPC分类号： H01L51/0512 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/7827 , H01L29/78642 , H01L51/0048
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de transistor vertical comportant sur un substrat (10), une première couche conductrice assurant la fonction d' électrode de source ou de drain (11 ), une couche conductrice supérieure assurant la fonction d'électrode de drain ou de source (17), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : la réalisation d'une membrane consistant en un empilement de couches poreuses comportant au moins une première couche isolante (20), une seconde couche conductrice (12) assurant la fonction d'électrode de grille et une couche isolante supérieure (13'), à la surface du substrat recouvert de la première couche conductrice (11 ) assurant la fonction d'électrode de drain ou de source, lesdites couches poreuses présentant des pores sensiblement empilés ; la réalisation de filaments en matériau semi-conducteur à l'intérieur d'au moins une partie des pores empilés des couches poreuses ; la réalisation de la couche conductrice supérieure assurant la fonction d'électrode de source ou de drain à la surface de l'empilement de couches poreuses remplies de filaments en matériau semi-conducteur.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造垂直晶体管结构的方法，其包括在基板（10）上，用于提供源极或漏极功能的第一导电层（11）和用于提供漏极或源极的上导电层（17）电极功能，其特征在于包括以下步骤：制造由多层多层构成的膜，至少包括绝缘的第一层（20），用于提供栅电极功能的导电的第二层（12），以及绝缘上层（13'）在被导电第一层（11）覆盖的衬底的表面上，用于提供漏极或源电极功能，所述多孔层具有基本上堆积的孔; 在多孔层的至少一些堆叠孔中制造由半导体材料制成的长丝; 并且在填充有由半导体材料制成的细丝的多孔层的堆叠的表面上制备提供源极或漏极功能的导电上层。

9. 发明申请

WO2005037710A1 PROCEDE DE SYNTHESE DE STRUCTURES FILAMENTAIRES NANOMETRIQUES ET COMPOSANTS POUR L'ELECTRONIQUE COMPRENANT DE TELLES STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：在纳米尺度上合成纤维结构的方法和包含这种结构的电子部件
公开(公告)号：WO2005037710A1
公开(公告)日：2005-04-28
申请号：PCT/FR2004/002584
申请日：2004-10-12
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNR S , ECOLE POLYTECHNIQUE DGAR , PRIBAT, Didier , WEGROWE, Jean-Eric , WADE, Travis
发明人： PRIBAT, Didier , WEGROWE, Jean-Eric , WADE, Travis
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： H01L51/0048 , B01J21/04 , B01J21/185 , B01J23/63 , B01J23/83 , B01J35/065 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C30B25/18 , C30B29/60 , D01F9/08 , D01F9/12 , H01L21/0242 , H01L21/02527 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/843
摘要： Procédé de synthèse de composants électroniques incorporant des structures filamentaires nanométriques dans lequel on dépose, dans une membrane (3) nanoporeuse, d'un catalyseur (7) métallique adapté pour pénétrer dans au moins une partie des pores (8) de la membrane (3) nanoporeuse et on réalise une croissance de structures filamentaires sur le catalyseur, dans au moins une partie des pores (8) de la membrane (3) nanoporeuse. La membrane (3) nanoporeuse est préparée de manière adaptée pour que la paroi des pores (8) comporte une zone monocristalline et que l'on épitaxie au moins partiellement le catalyseur (7) sur cette zone monocristalline.
摘要翻译：本发明涉及一种用于合成电子元件的方法，其中纳入纳米尺度的细丝结构，由此将金属催化剂（7）沉积在纳米多孔膜（3）中，所述纳米多孔膜（3）可穿透至少一部分孔在纳米多孔膜（3）的至少一部分孔（8）中的催化剂中生长纳米多孔膜（3）和长丝结构。制备纳米多孔膜（3）使得孔（8）的壁包含单晶区，催化剂（7）至少部分地生长在所述单晶区上。

10. 发明申请

WO2005001168A1 PROCEDE DE SYNTHESE D'UN MATERIAU CRISTALLIN ET MATERIAU OBTENU PAR CE PROCEDE 审中-公开
标题翻译：合成材料和材料的方法
公开(公告)号：WO2005001168A1
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：PCT/FR2004/001634
申请日：2004-06-25
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS , PRIBAT, Didier
发明人： PRIBAT, Didier
IPC分类号： C30B1/02
CPC分类号： B82Y30/00 , C30B1/02 , C30B25/02 , C30B29/06 , C30B29/605 , Y10T428/30
摘要： L'invention concerne un procédé de synthèse d'un matériau cristallin, dans lequel on réalise, sur un substrat (2) d'un premier matériau, des germes (6) d'un catalyseur adapté pour solubiliser du carbone, on fait croître des nanotubes de carbone (8) à partir des germes (6), et on réalise une couche d'un deuxième matériau, comportant au moins un domaine monocristallin (12) orienté à partir d'un germe (6) . L'invention concerne également le matériau obtenu par ce procédé. Application à la synthèse de silicium polycristallin sur un substrat de verre.
摘要翻译：本发明涉及一种合成结晶材料的方法以及由此获得的材料。本发明的方法在于：在基材（2）上生产催化剂的种子（6），所述催化剂适于溶解碳; 从种子（6）生长碳纳米管（8）; 以及产生包含至少一个从晶种（6）取向的单晶畴（12）的第二材料层。本发明还涉及使用所述方法获得的材料。本发明适用于在玻璃基板上合成多晶硅。

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