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1. 发明申请

WO2007003852A3 PLAQUE ACTIVE D'ECRAN PLAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2007003852A3
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/FR2006/050650
申请日：2006-06-29
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ECOLE POLYTECHNIQUE , PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel Sorin
发明人： PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel Sorin
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication de la plaque active d'un écran plat matriciel, dans lequel chaque cellule comprend une plaque d'électrode (1) connectée par un transistor (2) à une première ligne conductrice, comprenant les étapes suivantes : prévoir une excroissance (11) enrobée d'isolant de chaque première ligne conductrice au niveau de chaque cellule ; graver ou rendre poreuse une partie d'extrémité de chaque excroissance ; faire croître par un procédé VLS une structure semi- conductrice PIP ou NIN dans chaque partie d'extrémité gravée ou rendue poreuse ; et établir un contact à l'extrémité libre de la structure semiconductrice et former une grille au niveau de la partie médiane de la structure semiconductrice.

2. 发明申请

WO2010139740A2 SOURCE DE FAISCEAU ELECTRONIQUE COLLIMATE A CATHODE FROIDE 审中-公开
标题翻译：具有冷阴极的收缩电子束的源
公开(公告)号：WO2010139740A2
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/EP2010/057734
申请日：2010-06-02
申请人： THALES , ECOLE POLYTECHNIQUE , ROBERT, Cédric , LEGAGNEUX, Pierre , PONARD, Pascal , ANDRE, Frédéric , COJOCARU, Costel Sorin , SCHNELL, Jean-Philippe
发明人： ROBERT, Cédric , LEGAGNEUX, Pierre , PONARD, Pascal , ANDRE, Frédéric , COJOCARU, Costel Sorin , SCHNELL, Jean-Philippe
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
摘要： Le domaine général de l'invention est celui des cathodes électroniques de type « cathode froide » comprenant un substrat plan (2) électriquement conducteur et un émetteur comportant une pointe (1) de diamètre micrométrique ou nanométrique disposée verticalement au-dessus de la surface du substrat. La cathode selon l'invention comporte une et une seule électrode annulaire (6) isolée électriquement du substrat par une couche d'isolant (3) et centrée sur l'émetteur, la source comportant des moyens permettant d'appliquer une différence de potentiel de plusieurs dizaines de volts entre le substrat et l'électrode annulaire, suffisante pour provoquer l'émission d'un faisceau électronique à la pointe de l'émetteur, l'électrode annulaire étant de dimension suffisante pour assurer la focalisation dudit faisceau électronique. Une source de faisceau électronique peur comporter une pluralité de cathodes identiques agencées selon un motif particulier.
摘要翻译：本发明一般涉及“冷阴极”电子阴极领域，包括导电平面基底（2）和发射体，其包括垂直于基底表面布置的具有微米或纳米直径的末端（1）。根据本发明的阴极包括通过绝缘层（3）与衬底电绝缘并以发射器为中心的单个环形电极（6），源极包括用于在衬底和衬底之间施加几十伏特的电位差的装置环形电极足以引起来自发射器尖端的电子束的发射，环形电极足够大以聚焦所述电子束。电子束的源可以包括以特定图案布置的多个相同的阴极。

3. 发明申请

WO2010043716A2 PROCEDE DE CROISSANCE CONTROLEE DE FILM DE GRAPHENE 审中-公开
标题翻译：石墨膜的控制生长方法
公开(公告)号：WO2010043716A2
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/EP2009/063617
申请日：2009-10-16
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , BARATON, Laurent , COJOCARU, Costel-Sorin , PRIBAT, Didier
发明人： BARATON, Laurent , COJOCARU, Costel-Sorin , PRIBAT, Didier
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/00 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B1/10 , C01B31/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/02
摘要： L'invention concerne un procédé de croissance contrôlée de film de graphène caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la réalisation à la surface d'un substrat (S 1 ) d'une couche d'un métal présentant un diagramme de phase avec le carbone tel qu'au-delà d'un ratio seuil de concentration molaire C M /C M +C C , avec C M la concentration molaire de métal dans un mélange métal/carbone et C C la concentration molaire du carbone dans ledit mélange, on obtient une solution solide homogène; - l'exposition de la couche de métal à un flux contrôlé d'atomes de carbone ou de radicaux carbonés ou d'ions carbonés à une température telle que le ratio obtenu de concentration molaire est supérieur au ratio seuil de façon à obtenir une solution solide du carbone dans le métal; - une opération permettant de modifier la phase du mélange en deux phases respectivement de métal et de graphite conduisant à la formation d'au moins un film inférieur (31) de graphène situé à l'interface : couche métal incorporant des atomes de carbone / substrat et d'un film supérieur de graphène (30) à la surface de la couche de métal.
摘要翻译：本发明涉及一种用于石墨烯薄膜受控生长的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在基底（S1）的表面形成具有碳的相图的金属层，使得，超过摩尔浓度CM / CM + CC的阈值比，CM是金属/碳混合物中金属的摩尔浓度，CC是所述混合物中碳的摩尔浓度，可以获得固体均匀组合物; 在使得所得摩尔浓度比高于阈值比的温度下将金属层暴露于受控的碳原子或碳根或碳离子流中，以获得金属中的碳的固溶体; 将混合物的相变为金属和石墨的两相的操作，从而导致在包含碳原子和基底的金属层的界面处形成至少一个下部石墨烯膜（31），并形成在金属层的表面上的上部石墨烯膜（30）。

4. 发明申请

WO2010139740A3 SOURCE OF A COLLIMATED ELECTRONIC BEAM WITH COLD CATHODE 审中-公开
标题翻译：具有冷阴极的收缩电子束的源
公开(公告)号：WO2010139740A3
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010057734
申请日：2010-06-02
申请人： THALES SA , ECOLE POLYTECH , ROBERT CEDRIC , LEGAGNEUX PIERRE , PONARD PASCAL , ANDRE FREDERIC , COJOCARU COSTEL SORIN , SCHNELL JEAN-PHILIPPE
发明人： ROBERT CEDRIC , LEGAGNEUX PIERRE , PONARD PASCAL , ANDRE FREDERIC , COJOCARU COSTEL SORIN , SCHNELL JEAN-PHILIPPE
IPC分类号： H01J1/304
CPC分类号： H01J1/304 , H01J2201/30415 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
摘要： The invention relates in general terms to the field of "cold cathode" electronic cathodes including an electrically conductive flat substrate (2) and an emitter comprising a tip (1) with a micrometric or nanometric diameter arranged vertically above the surface of the substrate. The cathode according to the invention comprises a single annular electrode (6) electrically insulated from the substrate by an insulating layer (3) and centred on the emitter, the source comprising a means for applying a potential difference of several dozen volts between the substrate and the annular electrode, enough to cause the emission of an electronic beam from the tip of the emitter, the annular electrode being large enough to focus said electronic beam. A source of an electronic beam can comprise a plurality of identical cathodes arranged in a specific pattern.
摘要翻译：本发明一般涉及“冷阴极”电子阴极领域，包括导电平面基底（2）和发射体，其包括垂直于基底表面布置的具有微米或纳米直径的尖端（1）。根据本发明的阴极包括通过绝缘层（3）与衬底电绝缘并以发射器为中心的单个环形电极（6），源极包括用于在衬底和衬底之间施加几十伏特的电位差的装置环形电极足以引起来自发射器尖端的电子束的发射，环形电极足够大以聚焦所述电子束。电子束的源可以包括以特定图案布置的多个相同的阴极。

5. 发明申请

WO2010043716A3 METHOD FOR THE CONTROLLED GROWTH OF A GRAPHENE FILM 审中-公开
标题翻译：石墨烯膜控制生长的方法
公开(公告)号：WO2010043716A3
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/EP2009063617
申请日：2009-10-16
申请人： ECOLE POLYTECH , CENTRE NAT RECH SCIENT , BARATON LAURENT , COJOCARU COSTEL-SORIN , PRIBAT DIDIER
发明人： BARATON LAURENT , COJOCARU COSTEL-SORIN , PRIBAT DIDIER
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/00 , C30B29/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/02
摘要： The invention relates to a method for the controlled growth of a graphene film, characterised in that said method comprises the following steps: forming, at the surface of a substrate (S1), a layer of a metal having a phase diagram with carbon such that, beyond a threshold ratio of molar concentration CM/CM+CC, with CM being the molar concentration of the metal in the metal/carbon mixture and CC being the molar concentration of carbon in said mixture, a solid homogenous composition can be obtained; exposing the metal layer to a controlled flow of carbon atoms or carbon radicals or carbon ions at a temperature such that the resultant molar concentration ratio is higher than the threshold ratio in order to obtain a solid solution of the carbon in the metal; an operation for modifying the phase of the mixture into two phases of metal and graphite, thus leading to the formation of at least one lower graphene film (31) at the interface of the metal layer including carbon atoms and the substrate, and the formation of an upper graphene film (30) at the surface of the metal layer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于石墨烯膜的受控生长的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在基底（S1）的表面上形成具有碳的相图的金属层，使得，超过CM / CM + CC摩尔浓度的阈值比率，其中CM是金属/碳混合物中金属的摩尔浓度，CC是所述混合物中碳的摩尔浓度，可以获得固体均质组合物; 在一定温度下使金属层暴露于受控的碳原子或碳自由基或碳离子流中，使得所得摩尔浓度比高于阈值比以获得碳在金属中的固溶体; 用于将混合物的相改变成金属和石墨两相的操作，由此导致在包括碳原子和基板的金属层的界面处形成至少一个下石墨烯膜（31），并且形成在金属层的表面处的上石墨烯膜（30）。

6. 发明申请

WO2007090814A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE TRANSISTOR VERTICAL A BASE DE NANOFILS 审中-公开
标题翻译：制造基于纳米线的垂直晶体管结构的方法
公开(公告)号：WO2007090814A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/EP2007/051076
申请日：2007-02-05
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE , PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel-Sorin
发明人： PRIBAT, Didier , COJOCARU, Costel-Sorin
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05 , H01L29/06
CPC分类号： H01L51/0512 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/7827 , H01L29/78642 , H01L51/0048
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de transistor vertical comportant sur un substrat (10), une première couche conductrice assurant la fonction d' électrode de source ou de drain (11 ), une couche conductrice supérieure assurant la fonction d'électrode de drain ou de source (17), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : la réalisation d'une membrane consistant en un empilement de couches poreuses comportant au moins une première couche isolante (20), une seconde couche conductrice (12) assurant la fonction d'électrode de grille et une couche isolante supérieure (13'), à la surface du substrat recouvert de la première couche conductrice (11 ) assurant la fonction d'électrode de drain ou de source, lesdites couches poreuses présentant des pores sensiblement empilés ; la réalisation de filaments en matériau semi-conducteur à l'intérieur d'au moins une partie des pores empilés des couches poreuses ; la réalisation de la couche conductrice supérieure assurant la fonction d'électrode de source ou de drain à la surface de l'empilement de couches poreuses remplies de filaments en matériau semi-conducteur.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造垂直晶体管结构的方法，其包括在基板（10）上，用于提供源极或漏极功能的第一导电层（11）和用于提供漏极或源极的上导电层（17）电极功能，其特征在于包括以下步骤：制造由多层多层构成的膜，至少包括绝缘的第一层（20），用于提供栅电极功能的导电的第二层（12），以及绝缘上层（13'）在被导电第一层（11）覆盖的衬底的表面上，用于提供漏极或源电极功能，所述多孔层具有基本上堆积的孔; 在多孔层的至少一些堆叠孔中制造由半导体材料制成的长丝; 并且在填充有由半导体材料制成的细丝的多孔层的堆叠的表面上制备提供源极或漏极功能的导电上层。

7. 发明申请

WO2007003852A2 FLAT DISPLAY ACTIVE PLATE 审中-公开
标题翻译：平板显示活动板
公开(公告)号：WO2007003852A2
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/FR2006050650
申请日：2006-06-29
申请人： CENTRE NAT RECH SCIENT , ECOLE POLYTECH , PRIBAT DIDIER , COJOCARU COSTEL SORIN
发明人： PRIBAT DIDIER , COJOCARU COSTEL SORIN
CPC分类号： H01L29/0673 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0665 , H01L29/66757
摘要： The invention concerns a method for making a matrix flat display active plate, wherein each cell comprises an electrode plate (1), connected by a transistor (2) to a first conductive line, including the following steps: providing a protuberance (11) coated with insulation of each first conductive line at each cell; etching or making porous an end part of each protuberance; growing by VLS process a p-i-p or n-i-n semiconductor structure in each etched or porous end part; and establishing a contact at the free end of the semiconductor structure and forming a gate at the median part of the semiconductor structure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造矩阵平板显示器有源板的方法，其中每个单元包括由晶体管（2）连接到第一导线的电极板（1），包括以下步骤：提供涂覆的突起（11）每个单元处的每个第一导线的绝缘; 蚀刻或使多孔的每个突起的端部; 通过VLS处理在每个蚀刻或多孔端部中生长p-i-p或n-i-n半导体结构; 并在半导体结构的自由端建立接触并在半导体结构的中间部分形成栅极。

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