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1. 发明申请

US20060093961A1 Method of verifying electron beam data 审中-公开
标题翻译：验证电子束数据的方法
公开(公告)号：US20060093961A1
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：US11262710
申请日：2005-11-01
申请人： Sung-Hoon Jang , Byoung-Sup Ahn , Young-Hwa No
发明人： Sung-Hoon Jang , Byoung-Sup Ahn , Young-Hwa No
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： H01J37/3026 , G03F1/68 , H01J2237/31762
摘要： A method of verifying electron beam data used to produce a photomask comprises dividing design data for the photomask into a plurality of repetitive regions, sequentially converting the sequential regions into electron beam data, and determining whether electron beam data corresponding to a current repetitive region is substantially identical to electron beam data corresponding to a previous repetitive region.
摘要翻译：验证用于产生光掩模的电子束数据的方法包括将用于光掩模的设计数据分成多个重复区域，将顺序区域顺序地转换成电子束数据，以及确定对应于当前重复区域的电子束数据是否基本上与对应于之前的重复区域的电子束数据相同。

2. 发明授权

US09116438B2 Method of correcting flare and method of preparing extreme ultra violet mask 有权
标题翻译：矫正光斑的方法及制备极紫外线面具的方法
公开(公告)号：US09116438B2
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：US13410518
申请日：2012-03-02
申请人： Young-Mi Lee , In-Sung Kim , Ji-Soong Park , Byoung-Sup Ahn , Jae-Pil Shin
发明人： Young-Mi Lee , In-Sung Kim , Ji-Soong Park , Byoung-Sup Ahn , Jae-Pil Shin
IPC分类号： G03B27/68 , G03B27/52 , G03B27/32 , G03F1/36 , G03F7/20 , G03F1/22 , G03F1/84 , G03B27/42 , G03B27/54
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70591 , G03F7/70941
摘要： A method of correcting flare includes measuring flare of a test pattern, calculating point spread functions (PSFs) of the flare as a function of distance, and correcting the flare using corresponding PSFs for an influence range of the flare. The influence range is divided into a first range less than a predetermined distance and a second range equal to or greater than the predetermined distance, and corresponding PSFs are separately applied to the first and second ranges to correct the flare.
摘要翻译：校正火炬的方法包括测量测试图案的耀斑，计算耀斑的点扩展函数（PSF）作为距离的函数，以及使用相应的PSF对耀斑的影响范围进行校正。影响范围被划分为小于预定距离的第一范围和等于或大于预定距离的第二范围，并且相应的PSF分别应用于第一和第二范围以校正耀斑。

3. 发明申请

US20120224156A1 METHOD OF CORRECTING FLARE AND METHOD OF PREPARING EXTREME ULTRA VIOLET MASK 有权
标题翻译：校正法的方法和制备超极紫外线掩膜的方法
公开(公告)号：US20120224156A1
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：US13410518
申请日：2012-03-02
申请人： Young-Mi Lee , In-Sung Kim , Ji-Soong Park , Byoung-Sup Ahn , Jae-Pil Shin
发明人： Young-Mi Lee , In-Sung Kim , Ji-Soong Park , Byoung-Sup Ahn , Jae-Pil Shin
IPC分类号： G03B27/68
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/22 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , G03F7/70441 , G03F7/70591 , G03F7/70941
摘要： A method of correcting flare includes measuring flare of a test pattern, calculating point spread functions (PSFs) of the flare as a function of distance, and correcting the flare using corresponding PSFs for an influence range of the flare. The influence range is divided into a first range less than a predetermined distance and a second range equal to or greater than the predetermined distance, and corresponding PSFs are separately applied to the first and second ranges to correct the flare.
摘要翻译：校正火炬的方法包括测量测试图案的耀斑，计算耀斑的点扩展函数（PSF）作为距离的函数，以及使用相应的PSF对耀斑的影响范围进行校正。影响范围被划分为小于预定距离的第一范围和等于或大于预定距离的第二范围，并且相应的PSF分别应用于第一和第二范围以校正耀斑。

4. 发明申请

US20110065029A1 Method of manufacturing mask structure 审中-公开
标题翻译：掩模结构的制造方法
公开(公告)号：US20110065029A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：US12882652
申请日：2010-09-15
申请人： Hwan-Seok Seo , Byoung-Sup Ahn , Dong-Gun Lee
发明人： Hwan-Seok Seo , Byoung-Sup Ahn , Dong-Gun Lee
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： A method of forming a mask structure for an extreme ultraviolet ray lithography (EUVL) process includes defining a substrate including a first area and a second area, such that the first area has a pattern structure configured to selectively transmit light for the EUVL process and the second area encloses the first area, forming a reflection layer on the substrate, the reflection layer including alternately stacked molybdenum layers and silicon layers on the substrate, forming a capping layer on the reflection layer, forming an absorption pattern on the capping layer, the absorption pattern including a central portion corresponding to the first area of the substrate and a peripheral portion corresponding to the second area of the substrate, and forming a blind layer on the peripheral portion of the absorption pattern.
摘要翻译：形成用于极紫外线光刻（EUVL）工艺的掩模结构的方法包括限定包括第一区域和第二区域的衬底，使得第一区域具有被配置为选择性地透射EUVL工艺的光的图案结构，第二区域包围第一区域，在衬底上形成反射层，反射层在衬底上包括交替堆叠的钼层和硅层，在反射层上形成覆盖层，在覆盖层上形成吸收图案，吸收图案包括对应于基板的第一区域的中心部分和对应于基板的第二区域的周边部分，并且在吸收图案的周边部分上形成盲层。

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