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1. 发明申请

US20080113469A1 METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A SELF-ALIGNED CELL DIODE 有权
标题翻译：制备包含自对准单元二极管的半导体器件的方法
公开(公告)号：US20080113469A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：US11770764
申请日：2007-06-29
申请人： Sung-Ho EUN , Jae-Hee OH , Jae-Hyun PARK , Jung-In KIM , Seung-Pil KO , Yong-Tae OH
发明人： Sung-Ho EUN , Jae-Hee OH , Jae-Hyun PARK , Jung-In KIM , Seung-Pil KO , Yong-Tae OH
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes forming a conductive layer on a semiconductor substrate, forming an insulating layer on the conductive layer, forming a word line and isolation trenches by patterning the insulating layer and the conductive layer, forming an isolation layer that fills the isolation trenches, forming a cell contact hole in the insulating layer such that the cell contact hole is self-aligned with the word line and exposes the word line, and forming a cell diode in the cell contact hole.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底上形成导电层，在导电层上形成绝缘层，通过图案化绝缘层和导电层形成字线和隔离沟槽，形成填充隔离沟槽，在绝缘层中形成电池接触孔，使得电池接触孔与字线自对准并暴露字线，并在电池接触孔中形成电池二极管。

2. 发明申请

US20130109148A1 METHODS OF FORMING A PATTERN AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：形成图案的方法和使用该方法制造半导体器件的方法
公开(公告)号：US20130109148A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：US13591824
申请日：2012-08-22
申请人： Gyu-Hwan OH , Seung-Pil KO , Byeung-Chul KIM , Youn-Seon KANG , Jae-Joo SHIM , Dong-Hyun IM , Doo-Hwan PARK , Ki-Seok SUH
发明人： Gyu-Hwan OH , Seung-Pil KO , Byeung-Chul KIM , Youn-Seon KANG , Jae-Joo SHIM , Dong-Hyun IM , Doo-Hwan PARK , Ki-Seok SUH
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7926 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L27/1021 , H01L27/10817 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L27/11582 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L29/66833 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16 , H01L45/1625
摘要： In a method of forming a pattern, a first mask layer and a first sacrificial layer may be sequentially formed on an object layer. The first sacrificial layer may be partially etched to form a first sacrificial layer pattern. A second sacrificial layer pattern may be formed on the first mask layer. The second sacrificial layer pattern may enclose a sidewall of the first sacrificial layer pattern. The first sacrificial layer pattern may then be removed. The first mask layer may be partially etched using the second sacrificial layer pattern as an etching mask to form a first mask layer pattern. The object layer may be partially etched using the first mask layer pattern as an etching mask.
摘要翻译：在形成图案的方法中，第一掩模层和第一牺牲层可以顺序地形成在物体层上。可以部分蚀刻第一牺牲层以形成第一牺牲层图案。可以在第一掩模层上形成第二牺牲层图案。第二牺牲层图案可以包围第一牺牲层图案的侧壁。然后可以去除第一牺牲层图案。可以使用第二牺牲层图案作为蚀刻掩模来部分蚀刻第一掩模层，以形成第一掩模层图案。可以使用第一掩模层图案作为蚀刻掩模来部分蚀刻对象层。

3. 发明申请

US20160020249A1 MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME 有权
标题翻译：磁性随机访问存储器件及其制造方法
公开(公告)号：US20160020249A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：US14804321
申请日：2015-07-20
申请人： Seung-Pil KO , Myoung-Su SON , Kil-Ho LEE
发明人： Seung-Pil KO , Myoung-Su SON , Kil-Ho LEE
IPC分类号： H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/12 , H01L43/08
CPC分类号： H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： An MRAM device comprises an insulating interlayer comprising a flat first upper surface on a first region and a second region of a substrate. A pattern structure comprising pillar-shaped magnetic tunnel junction (MTJ) structures and a filling layer pattern between the MTJ structures is formed on the insulating interlayer of the first region. The pattern structure comprises a flat second upper surface that is higher than the first upper surface. Bit lines are formed on the pattern structure that contact top surfaces of the MTJ structures. An etch-stop layer is formed on the pattern structure between the bit lines of the first region and the first upper surface of the first insulating interlayer of the second region. A first portion of an upper surface of the etch-stop layer on the first region is higher than a second portion of the upper surface of the etch-stop layer on the second region.
摘要翻译： MRAM器件包括绝缘中间层，其包括在第一区域上的平坦的第一上表面和衬底的第二区域。在第一区域的绝缘中间层上形成包括柱形磁隧道结（MTJ）结构和MTJ结构之间的填充层图案的图案结构。图案结构包括比第一上表面高的扁平的第二上表面。位线形成在与MTJ结构的顶表面接触的图案结构上。在第一区域的位线和第二区域的第一绝缘中间层的第一上表面之间的图案结构上形成蚀刻停止层。第一区域上的蚀刻停止层的上表面的第一部分高于第二区域上的蚀刻停止层的上表面的第二部分。

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