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1. 发明专利

JP2009114054A Method for producing semiconductor single crystal having improved oxygen concentration characteristics 审中-公开
标题翻译：生产具有改善氧化浓度特性的半导体单晶的方法
公开(公告)号：JP2009114054A
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：JP2008273496
申请日：2008-10-23
申请人： Siltron Inc , シルトロンインク
发明人： CHO HYON-JONG , SHIN SEUNG-HO , MOON JI-HUN , LEE HONG-WOO , HONG YOUNG-HO
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/305 , C30B29/06 , C30B30/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a semiconductor single crystal presenting crucible rotation conditions controlling the oxygen concentration to reduce the oxygen concentration deviation in a prime zone during growth of a large-diameter single crystal of, for example, 12-inch diameter.
SOLUTION: The method for producing a semiconductor single crystal using a Czochralski (Cz) method for growing a semiconductor single crystal through a solid-liquid interface by dipping a seed into a semiconductor melt housed in a quartz crucible, and pulling the seed while rotating the quartz crucible and applying a strong horizontal magnetic field, wherein the seed is pulled while the quartz crucible is rotated with a rate of from 0.6 to 1.5 rpm.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体单晶呈现坩埚旋转条件的方法，所述旋转条件控制氧浓度以降低大直径单晶生长期间的初始区中的氧浓度偏差，例如， 12寸直径。解决方案：使用Czochralski（Cz）方法制造半导体单晶的方法，用于通过将种子浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并通过固 - 液界面生长半导体单晶，并拉出种子同时旋转石英坩埚并施加强的水平磁场，其中当石英坩埚以0.6至1.5rpm的速率旋转时拉动种子。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

2. 发明专利

DE112010005257T5 Einkristallkühler und Einkristallzüchter, der denselben enthält 未知
公开(公告)号：DE112010005257T5
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：DE112010005257
申请日：2010-07-21
申请人： LG SILTRON INC
发明人： CHO HYON-JONG , KWAK MAN-SEOK , LEE HONG-WOO , MOON JI-HUN
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/02
摘要： Bereitgestellt werden ein Einkristallkühler und ein Einkristallzüchter, der denselben enthält. Der Einkristallzüchter umfasst einen Kühlhauptkörper und einen Kanal. Der Kanal ist an einer Innenwand und einer Außenwand des Kühlhauptkörpers ausgebildet. Der Kanal ermöglicht das Bewegen von Kühlstoffen durch diesen. Der Einkristallkühler weist eine zylindrische Form auf. Ein erster Innendurchmesser R1 des Einkristallkühlers ist etwa 1,5 Mal oder mehr größer ist als ein Innendurchmesser R2 eines Einkristalls, der durch Anwendung des Einkristallkühlers gezüchtet wurde.

3. 发明申请

WO2011043552A3 QUARTZ CRUCIBLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：石英坩埚及其制造方法
公开(公告)号：WO2011043552A3
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：PCT/KR2010006563
申请日：2010-09-28
申请人： LG SILTRON INC , CHOI IL-SOO , MOON JI-HUN , KIM BONG-WOO , KIM DO-YEON
发明人： CHOI IL-SOO , MOON JI-HUN , KIM BONG-WOO , KIM DO-YEON
IPC分类号： C30B15/10 , C03B19/09
CPC分类号： C03B19/09 , C03B2201/24 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要： Provided are a quartz crucible and a method of manufacturing the quartz crucible. The quartz crucible is used in a single crystal growth apparatus. The quartz crucible comprises an inner layer including silica, and an outer layer including silica disposed outside the inner layer to surround the inner layer, wherein a nitrogen is added in the silica of the outer layer.
摘要翻译：本发明提供一种石英坩埚以及该石英坩埚的制造方法。石英坩埚用于单晶生长装置中。石英坩埚包括包含二氧化硅的内层和包括二氧化硅的外层，该外层设置在内层外侧以包围内层，其中在外层的二氧化硅中添加氮。

4. 发明申请

WO2011099680A1 SINGLE CRYSTAL COOLER AND SINGLE CRYSTAL GROWER INCLUDING THE SAME 审中-公开
标题翻译：单晶冷却器和单晶水晶包括其中
公开(公告)号：WO2011099680A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/KR2010004777
申请日：2010-07-21
申请人： LG SILTRON INC , CHO HYON-JONG , LEE HONG-WOO , KWAK MAN-SEOK , MOON JI-HUN
发明人： CHO HYON-JONG , LEE HONG-WOO , KWAK MAN-SEOK , MOON JI-HUN
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/02
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/06 , Y10T117/1016
摘要： Provided are a single crystal cooler and a single crystal grower including the same. The single crystal cooler includes a cooling main body and a passage. The passage is formed on an inner wall and an outer wall of the cooling main body. The passage allows cooling materials to move therethrough. The single crystal cooler has a cylindrical shape. A first inner diameter R1 of the single crystal cooler is about 1.5 times or more greater than an inner diameter R2 of a single crystal grown by applying the single crystal cooler.
摘要翻译：提供单晶冷却器和包括其的单晶种植者。单晶冷却器包括冷却主体和通道。通道形成在冷却主体的内壁和外壁上。通道允许冷却材料通过其移动。单晶冷却器具有圆柱形形状。单晶冷却器的第一内径R1比通过施加单晶冷却器生长的单晶的内径R2大大约1.5倍或更大。

5. 发明申请

WO2010047556A3 SEED CHUCK FOR A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT GROWING APPARATUS 审中-公开
标题翻译：一种单晶硅铸锭成长装置的种子夹头
公开(公告)号：WO2010047556A3
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：PCT/KR2009006151
申请日：2009-10-23
申请人： SILTRON INC , MOON JI-HUN , KIM BONG-WOO , CHOI LL-SOO , LEE GUN-HO , JEONG SEUNG , KIM DO-YEON
发明人： MOON JI-HUN , KIM BONG-WOO , CHOI LL-SOO , LEE GUN-HO , JEONG SEUNG , KIM DO-YEON
IPC分类号： C30B15/32
CPC分类号： C30B15/32
摘要： The present invention relates to a seed chuck for a single crystal silicon ingot growing apparatus. The seed chuck of the present invention is arranged in the single crystal silicon ingot growing apparatus based on the Czochralski process to hold a seed for growing single crystal silicon ingots. Said seed chuck comprises a seed chuck body having an upper portion with a rope joint part coupled with an ascending or descending rope, and a lower portion with a seed holding portion for accommodating and holding the seed. The seed chuck body has a hole for inserting a cooling pipe which has a vacuumed interior filled with a predetermined amount of refrigerant, and both ends of which are sealed. The cooling pipe is fitted into the insertion hole. The present invention employs a seed chuck with a cooling means to lower the temperature in a seed neck area during a body growing process and increase tensile strength. Whereby, large diameter single crystal silicon ingots can be safely grown.
摘要翻译：本发明涉及一种用于单晶硅锭生长装置的晶种卡盘。本发明的晶种卡盘被布置在基于切克劳斯基工艺的单晶硅锭生长设备中以保持用于生长单晶硅锭的晶种。所述种子卡盘包括种子卡盘体，所述种子卡盘体具有上部和下部，下部具有用于容纳和保持种子的种子保持部分，所述上部具有与上行或下行绳索联接的绳索接头部分。种籽卡盘体具有用于插入冷却管的孔，该冷却管具有充满预定量制冷剂的真空室，并且其两端被密封。冷却管安装在插入孔中。本发明采用具有冷却装置的种子吸盘，以在生长过程中降低种子颈部区域的温度并提高拉伸强度。从而可以安全地生长大直径的单晶硅锭。

6. 发明公开

EP2486173A4 QUARTZ CRUCIBLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译： QUARZTIEGEL UND HERSTELLUNGSVERFAHRENDAFÜR
公开(公告)号：EP2486173A4
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：EP10822197
申请日：2010-09-28
申请人： LG SILTRON INC
发明人： CHOI IL-SOO , MOON JI-HUN , KIM BONG-WOO , KIM DO-YEON
IPC分类号： C03B19/09 , C30B15/10 , C30B35/00
CPC分类号： C03B19/09 , C03B2201/24 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要： Provided are a quartz crucible and a method of manufacturing the quartz crucible. The quartz crucible is used in a single crystal growth apparatus. The quartz crucible comprises an inner layer including silica, and an outer layer including silica disposed outside the inner layer to surround the inner layer, wherein nitrogen is added in the silica of the outer layer.
摘要翻译：本发明提供一种石英坩埚以及该石英坩埚的制造方法。石英坩埚用于单晶生长装置中。石英坩埚包括包含二氧化硅的内层和包含二氧化硅的外层，该外层设置在内层外侧以包围内层，其中氮被添加到外层的二氧化硅中。

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