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1. 发明专利

JP2014240342A 充電装置有权
标题翻译：充电设备
公开(公告)号：JP2014240342A
公开(公告)日：2014-12-25
申请号：JP2013262473
申请日：2013-12-19
申请人：エルジー・シルトロン・インコーポレーテッド , Lg Siltron Inc
发明人： JANG SO YOUNG , HONG YOUNG HO
IPC分类号： C30B15/02
CPC分类号： C30B15/002 , C30B11/001 , C30B15/02 , C30B15/04 , Y10T117/1056
摘要：【課題】溶融液による汚染を防ぎ、かつ周辺に位置する構成物の破損を防止することができる充電装置を提供する。【解決手段】実施例に係る充電装置は、投入口及び排出口を有するボディーと;複数個に分割された蓋を含み、前記蓋のそれぞれは前記ボディーの一端に連結され、前記ボディーの一端を軸に回転する蓋部と;前記蓋のそれぞれの一面を支持し、前記蓋のそれぞれを前記ボディーの一端と連結された部分を軸に回転させる開閉調節部と;を含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止由熔融液体引起的污染的充电装置，并且防止位于周边的部件的断裂。解决方案：一个实施例中的充电装置包括：主体，具有输入端口和排出端口 ; 盖部分，其包括被分成多个盖的盖，每个盖连接到主体的一端并围绕主体的一端旋转; 以及用于支撑每个盖的一个表面并且围绕连接到主体的一端的部分旋转每个盖的打开/关闭调节部。

2. 发明公开

KR20120050675A Ingot grower 审中-公开
标题翻译： INGOT GROWER
公开(公告)号：KR20120050675A
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR20100112055
申请日：2010-11-11
申请人： LG SILTRON INC
发明人： AN BYUNG WU , CHO HEE DON , CHO MIN CHEOL
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06
摘要： PURPOSE: An ingot growing apparatus is provided to prevent safety accidents by preventing friction between a quartz crucible and a heat shield. CONSTITUTION: A quartz crucible(100) includes an internal space for accepting a silicon melt(SM). A crucible support stand(101) surrounds the quartz crucible. A heater(103) heats the quartz crucible by being arranged on the outside the crucible support stand. A heat insulation loop(102) is combined with the crucible support stand or the upper part of the quartz crucible. A heat shield(104) is arranged between a crystal ingot(1) and the quartz crucible.
摘要翻译：目的：提供一种锭生长装置，通过防止石英坩埚和隔热罩之间的摩擦来防止安全事故。构成：石英坩埚（100）包括用于接受硅熔体（SM）的内部空间。坩埚支撑架（101）围绕石英坩埚。加热器（103）通过布置在坩埚支撑架的外侧来加热石英坩埚。隔热环（102）与坩埚支撑架或石英坩埚的上部组合。在水晶锭（1）和石英坩埚之间布置有隔热罩（104）。

3. 发明公开

KR20120048824A Method of fabricating an epitaxial wafer 审中-公开
标题翻译：制作外延波形的方法
公开(公告)号：KR20120048824A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR20100110208
申请日：2010-11-08
申请人： LG SILTRON INC
发明人： SHIM JUNG JIN , KIM JU HYUN , KANG SUK JUNE , KANG YU JIN
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02293 , H01L21/02263 , H01L21/0257 , H01L21/2018
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an epitaxial wafer is provided to shorten process times by forming multilayered epilayers having a different non-resistance value in a single chamber. CONSTITUTION: An intrinsic epilayer is formed on a silicon substrate(210) by injecting a source gas in a first chamber. A first dopant gas is inserted into the intrinsic epilayer of the first chamber. A first epilayer(410) having a first specific resistance value is formed by diffusing an inserted first dopant over the intrinsic epilayer. The first specific resistance value is determined by controlling the flow rate and injection time of the first dopant. A second epilayer(420-1) is formed on the first epilayer by injecting the source gas into the first chamber.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造外延晶片的方法，以通过在单个室中形成具有不同非电阻值的多层外延层来缩短处理时间。构成：通过在第一室中注入源气体，在硅衬底（210）上形成固有的外延层。将第一掺杂气体插入第一室的固有外延层中。具有第一电阻值的第一外延层（410）通过在内在的外延层上扩散插入的第一掺杂剂而形成。通过控制第一掺杂剂的流速和注入时间来确定第一比电阻值。通过将源气体注入到第一室中，在第一外延层上形成第二外延层（420-1）。

4. 发明公开

KR20120040285A Apparatus for drying wafer 有权
标题翻译：烘干机的设备
公开(公告)号：KR20120040285A
公开(公告)日：2012-04-27
申请号：KR20100101612
申请日：2010-10-19
申请人： LG SILTRON INC
发明人： KANG PIL GU
IPC分类号： H01L21/302
摘要： PURPOSE: An apparatus for drying a wafer is provided to uniformly dry wafers by arranging heating units arranged between wafers. CONSTITUTION: An apparatus for drying a wafer includes a bass, a wafer guide, and plurality of lamps(300). The wafer guide is arranged in an inner side of the bass and supports a plurality of wafers. A plurality of lamps is respectively arranged between the wafers. A transport unit(500) transports the heating unit to be opposite to the wafers to a diametric direction of the wafers. Slots wafer respectively corresponding to edges of the wafers is included in wafer guides.
摘要翻译：目的：提供一种用于干燥晶片的设备，通过布置在晶片之间的加热单元来均匀地干燥晶片。构成：用于干燥晶片的装置包括低音，晶片引导件和多个灯（300）。晶片引导件布置在低音的内侧并且支撑多个晶片。多个灯分别布置在晶片之间。传送单元（500）将加热单元与晶片相对地移动到晶片的直径方向。分别对应于晶片边缘的槽晶片包括在晶片引导件中。

5. 发明公开

KR20120039890A Load lock chamber, single crystal film deposition apparatus having the same and method for depositing single crystal film on wafer 审中-公开
标题翻译：负载锁定室，单晶沉积沉积装置及其沉积单晶膜的方法
公开(公告)号：KR20120039890A
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：KR20100101335
申请日：2010-10-18
申请人： LG SILTRON INC
发明人： KIM JAE SUN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/67201 , C23C14/566 , C23C16/4401 , C23C16/45557 , H01L21/67115
摘要： PURPOSE: A load lock chamber, a single crystal film deposition apparatus having the same, and a method for depositing a single crystal film on a wafer are provided to reduce manufacturing costs without having a separate apparatus for annealing a wafer. CONSTITUTION: A load lock chamber(120) is connected to a processing chamber in which an epitaxial growth is performed. A plurality of wafers is mounted on a holder(121). A gas supply part(122) supplies an ambient gas to the inside of the load lock chamber. A heating part heats a wafer by heating an annealing tube. A pumping part(125) pumps the inside of the load lock chamber. The wafer is heated and annealed under the ambient gas.
摘要翻译：目的：提供一种负载锁定室，具有该负载锁定室的单晶膜沉积设备和用于在晶片上沉积单晶膜的方法，以降低制造成本，而不需要用于晶片退火的单独设备。构成：负载锁定室（120）连接到其中执行外延生长的处理室。多个晶片安装在保持器（121）上。气体供应部分（122）将环境气体供应到负载锁定室的内部。加热部件通过加热退火管加热晶片。泵送部分（125）泵送负载锁定室的内部。将晶片在环境气体下加热和退火。

6. 发明公开

KR20120035607A Apparatus for manufacturing a semiconductor device 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的装置
公开(公告)号：KR20120035607A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：KR20100097236
申请日：2010-10-06
申请人： LG SILTRON INC
发明人： AHN JIN WOO , YI JAE HWAN , KIM BONG WOO
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67051
摘要： PURPOSE: A manufacturing apparatus of a semiconductor device is provided to uniformly etch a wafer by arranging liquid medicine supply nozzles on a central region with a larger number compared to a peripheral region. CONSTITUTION: An upper plate(30) is arranged on a spin chuck(10). The upper plate is classified into a central region and a peripheral region which surrounds the central region. Liquid medicine spray nozzles(49) are opened from the lower surface of the upper plate. The liquid medicine spray nozzles spray liquid medicine or etchant on a wafer. A liquid medicine supply tube(45) supplies the etchant or a washing solution to the liquid medicine spray nozzles.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件的制造装置，以与周边区域相比，在具有较大数量的中心区域上配置液体药物供给喷嘴来均匀地蚀刻晶片。构成：在旋转卡盘（10）上布置有上板（30）。上板分为中心区域和围绕中心区域的周边区域。药液喷嘴（49）从上板的下表面开口。液体药物喷嘴喷洒液体药物或蚀刻剂在晶片上。液体药物供给管（45）将蚀刻剂或洗涤液供给到药液喷雾喷嘴。

7. 发明专利

DE102017203575A1 Waferpoliersystem 未知
公开(公告)号：DE102017203575A1
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：DE102017203575
申请日：2017-03-06
申请人： LG SILTRON INC
发明人： BAEK SEUNG WON , LEE JAE PYO
IPC分类号： B24B57/02 , B24B37/04 , B24B37/34 , H01L21/304
摘要： Ein Waferpoliersystem wird offenbart. Das Waferpoliersystem kann aufweisen: eine Poliereinheit; eine Schlammverteilungseinheit, die auf der Poliereinheit montiert ist und einen Schlamm, der in die Poliereinheit fließt, für das Waferpolieren verteilt; einen Schlammbehälter, der mit der Schlammverteilungseinheit verbunden ist und den Schlamm lagert; eine Schlammpumpe, die mit der Poliereinheit und dem Schlammbehälter verbunden ist, um den Schlamm von dem Schlammbehälter zu der Poliereinheit zu überführen; eine erste Zirkulationsleitung, bei der eine Seite mit dem Schlammbehälter verbunden ist; eine zweite Zirkulationsleitung, bei der eine Seite mit der anderen Seite der ersten Zirkulationsleitung verbunden ist und die andere Seite mit der Schlammverteilungseinheit verbunden ist; und eine Reinigungsflüssigkeitsversorgungseinheit, die mit der zweiten Zirkulationsleitung verbunden ist, um eine Reinigungsflüssigkeit, die durch die zweite Zirkulationsleitung fließt, zuzuführen.

8. 发明专利

DE102017211919A1 Blockpressvorrichtung und Blockscheibenschneidvorrichtung, die diese enthält 未知
公开(公告)号：DE102017211919A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：DE102017211919
申请日：2017-07-12
申请人： LG SILTRON INC
发明人： JEON SU-IN
IPC分类号： B28D5/04 , H01L21/304
摘要： Ein Presskopf der Blockscheibenschneidvorrichtung umfasst: einen Kopfhauptkörper, in dem mehrere Druckluftanschlussöffnungen, die aufgebaut sind, um Druckluft zuzuführen, ausgebildet sind, so dass der Druck auf jedem Abschnitt des Druckkopfs getrennt gesteuert wird; Presseinheiten, die auf einem unteren Ende des Kopfhauptkörpers installiert sind, die derart angeordnet sind, dass sie den Druckluftanschlussöffnungen entsprechen, wobei jede aufgebaut ist, um durch die Druckluft, die durch jede der Druckluftanschlussöffnungen zugeführt wird, Druck auf eine Seitenoberfläche eines Blocks anzuwenden; Druckluftkorrektureinheiten, die jeweils auf einer unteren Oberfläche jeder der Druckeinheiten installiert sind und aufgebaut sind, um eine Druckabweichung zwischen den mehreren Presseinheiten zu steuern; eine Haftplatte, die derart installiert ist, dass sie in Kontakt mit Unterseitenoberflächen der Druckluftkorrektureinheiten ist, so dass eine untere Oberfläche der Haftplatte in direktem Kontakt mit der Seitenoberfläche des Blocks ist und sie presst; und eine Kopplungshalteeinheit, die aufgebaut ist, um den Kopfhauptkörper, die Presseinheiten, die Druckluftkorrektureinheiten und die Haftplatte zu koppeln und zu halten.

9. 发明专利

DE112015003606T5 Impfkristallspannvorrichtung und Ingotzuchtvorrichtung dieselbe beinhaltend 未知
公开(公告)号：DE112015003606T5
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：DE112015003606
申请日：2015-07-28
申请人： LG SILTRON INC
发明人： KANG JONG-MIN , NOH TAE-SIK
IPC分类号： C30B15/32 , C30B15/10 , C30B29/06
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Impfkristallspannvorrichtung, die einen Impfkristall aufnimmt, um Ingots in geschmolzenem Silizium zu züchten, aufweisend: eine Halsabdeckung zum Abblocken von thermischer Emission in der Aufwärtsrichtung des geschmolzenen Siliziums; und ein Befestigungsteil, das an einer Bodenfläche der Halsabdeckung angeordnet ist und den Impfkristall aufnimmt, wobei die Halsabdeckung aufweist: eine Deckfläche, die mit einem Hubseil verbunden ist; die Bodenfläche; und eine Umfangsfläche, die die Deckfläche und die Bodenfläche verbindet, wobei die Umfangsfläche mit einem Neigungswinkel in Bezug auf die Bodenfläche gebildet ist und eine Messöffnung zur Messung des geschmolzenen Siliziums derart in der Halsabdeckung geöffnet ist, dass die Halsabdeckung in der Öffnung eines oberen Isolierkörpers positioniert ist, um einen Wärmeverlust durch die Öffnung des oberen Isolierkörpers während eines Schmelzvorgangs zu minimieren und die Temperaturmessung des geschmolzenen Siliziums nicht zu beeinträchtigen, wodurch die Temperaturmessung des geschmolzenen Siliziums unterstützt wird und die Zuverlässigkeit der Temperaturerfassung des geschmolzenen Siliziums erhöht wird.

10. 发明专利

DE112013002642T5 Einkristall-Silizium-lngot und Wafer und Vorrichtung und Verfahren zum Wachsenlassen des Ingots 未知
公开(公告)号：DE112013002642T5
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：DE112013002642
申请日：2013-04-02
申请人： LG SILTRON INC
发明人： HONG YOUNG HO , HWANG JUNG HA , CHA II SEON
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06
摘要： Der Einkristall-Silizium-Ingot und Wafer einer Ausführungsform hat einen Übergangsbereich darin ausgebildet, der unter Kristalldefekten, die in einer Zone einer defektfreien Zone, in der Lücken überwiegen, und/oder einer defektfreien Zone, in der Zwischengitterplätze überwiegen, vorhanden sind, vorherrschend Kristalldefekte mit einer Größe von 10 nm bis 30 nm hat.

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