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1. 发明专利

JP2015057819A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015057819A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014161493
申请日：2014-08-07
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , HIROHASHI TAKUYA , TAKAHASHI MASAHIRO , NAKAJIMA MOTOI , WATANABE RYOSUKE , TSUBUKI MASASHI
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/473 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L29/792 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：【課題】酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタに安定した電気特性を付与する。または、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタのしきい値電圧の変動を抑制する。または、酸化物半導体にチャネルが形成されるnチャネル型のトランジスタにおいて正のしきい値電圧を有する、ノーマリーオフ型のスイッチング素子を適用する。【解決手段】半導体層と、半導体層と重なるゲート電極と、半導体層及びゲート電極の間に位置する第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶縁層及びゲート電極との間に位置する第2のゲート絶縁層と、を有する半導体装置とする。さらに、第1のゲート絶縁層は、窒素の含有量が5原子%以下の酸化物を含み、第2のゲート絶縁層は、電荷捕獲準位を有する構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种在氧化物半导体上形成具有稳定电特性的沟道或抑制在氧化物半导体上形成沟道的晶体管的阈值电压的波动的晶体管，并且提供常态在其中在氧化物半导体上形成沟道的n沟道型晶体管中具有正阈值电压的开关元件。解决方案：半导体器件包括：半导体层; 与半导体层重叠的栅电极; 位于所述半导体层和所述栅电极之间的第一栅绝缘层; 以及位于所述第一栅极绝缘层和所述栅电极之间的第二栅极绝缘层。第一栅极绝缘层含有氮含量为5原子％以下的氧化物，第二栅极绝缘层具有电荷捕获水平。

2. 发明专利

JP2015005767A 酸化物半導体膜の作製方法有权
标题翻译：氧化物半导体膜的制造方法
公开(公告)号：JP2015005767A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014167289
申请日：2014-08-20
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKAKURA MASAYUKI , MIYANAGA SHOJI , TAKAHASHI MASAHIRO , HIROHASHI TAKUYA , SHIMAZU TAKASHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】半導体装置に用いるのに好適な新たな構造の酸化物半導体膜を提供することを目的の一とする。または、新たな構造の酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】非晶質を主たる構成とする非晶質領域と、表面近傍の、In2Ga2ZnO7の結晶粒を含む結晶領域と、を有し、結晶粒は、そのc軸が、表面に対して略垂直な方向となるように配向している酸化物半導体膜である。または、このような酸化物半導体膜を用いた半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有新结构的氧化物半导体膜，其优选用于半导体器件，并提供使用具有新结构的氧化物半导体膜的半导体器件。解决方案：氧化物半导体膜包括：非晶形含有无定形作为主要成分的区域; 以及在表面附近含有InGaZnO的晶粒的晶体区域，其中晶粒取向为使得c轴相对于表面几乎垂直。或者，半导体器件使用这种氧化物半导体膜。

3. 发明专利

JP2013110425A Semiconductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2013110425A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2012282461
申请日：2012-12-26
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKAKURA MASAYUKI , WATANABE RYOSUKE , SAKATA JUNICHIRO , AKIMOTO KENGO , MIYANAGA SHOJI , HIROHASHI TAKUYA , KISHIDA HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/336 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transistor having favorable electric characteristics and high reliability, and provide a display device using the transistor.SOLUTION: A bottom-gate transistor using an oxide semiconductor for a channel region, comprises an active layer composed of an oxide semiconductor layer dehydrated or dehydrogenated by heat treatment. The active layer includes a first region on a fine crystallized superficial layer part and a second region other than the first region. By using the oxide semiconductor layer having such a structure, a change to an n-type due to re-entry of moisture from the superficial layer part or elimination of oxygen, and generation of a parasitic channel, are suppressed. And contact resistance between the oxide semiconductor layer and source and drain electrodes can be reduced.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有良好的电特性和高可靠性的晶体管，并提供使用该晶体管的显示装置。解决方案：使用氧化物半导体用于沟道区的底栅晶体管包括由通过热处理脱水或脱氢的氧化物半导体层构成的有源层。有源层包括微细结晶表层部分上的第一区域和除第一区域之外的第二区域。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，抑制了由于从表面层部分重新进入水分而导致的n型变化或氧的消除以及寄生通道的产生。并且可以减小氧化物半导体层与源极和漏极之间的接触电阻。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2010103506A Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2010103506A
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2009216881
申请日：2009-09-18
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： MIYAIRI HIDEKAZU , HIROHASHI TAKUYA , SHIMOMURA AKIHISA
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/205
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the efficiency of photoelectric conversion by forming a non-single crystal semiconductor layer with reduced defects as a semiconductor layer constituting unit cells of a photoelectric conversion device. SOLUTION: The photoelectric conversion device includes one or more units cells between the first and second electrodes and each unit cell constructs a semiconductor junction made by sequentially laminating a first impurity semiconductor layer of one conductivity type; an intrinsic non-single crystal semiconductor layer; and a second impurity semiconductor layer reverse in conductivity type to the first impurity semiconductor layer. In the unit cells disposed on the light incidence side, the non-single signal crystal semiconductor layer contains nitrogen in a concentration range of ≥5×10 18 /cm 3 and ≤5×10 20 /cm 3 when measuring a concentration by a secondary ion mass analyzing method, and contains oxygen and carbon of 18 /cm 3 in concentration. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过形成具有减小的缺陷的非单晶半导体层作为构成光电转换装置的单元的半导体层来提高光电转换的效率。解决方案：光电转换装置包括在第一和第二电极之间的一个或多个单元电池，并且每个单元电池构成通过顺序层压一种导电类型的第一杂质半导体层而制成的半导体结; 本征非单晶半导体层; 以及与第一杂质半导体层相反的导电类型的第二杂质半导体层。在设置在光入射侧的单元电池中，非单一信号晶体半导体层含有浓度范围为≥5×10 18 / cm 3，SP < 当通过二次离子质量分析方法测量浓度时，5×10 20 / cm 3 / SP>，并且含有<5×10 18 / cm 3 / SP>浓度。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2015015478A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015015478A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2014161198
申请日：2014-08-07
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , SAKAKURA MASAYUKI , WATANABE RYOSUKE , SAKATA JUNICHIRO , AKIMOTO KENGO , MIYANAGA SHOJI , HIROHASHI TAKUYA , KISHIDA HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的电特性和高可靠性的晶体管，并提供使用晶体管的显示装置。解决方案：晶体管是通过使用氧化物半导体用于沟道区形成的底栅晶体管，使用氧化物半导体层通过热处理脱水或脱氢作为活性层。有源层包括微结晶表面层部分的第一区域和其余部分的第二区域。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，可以抑制由于表面层部分的水分的返回或氧的脱离引起的n型的变化，以及寄生通道的产生。可以减少表面层部分和源电极之间以及表面层部分和漏电极之间的接触电阻。

6. 发明专利

JP2012099468A Positive electrode active material, and accumulator 审中-公开
标题翻译：正极电极活性材料和蓄电池
公开(公告)号：JP2012099468A
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：JP2011220889
申请日：2011-10-05
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , MORIWAKA YOSHIE , HIROHASHI TAKUYA , NOMOTO KUNIHARU , MIWA TAKUYA
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC分类号： H01M4/5825 , B82Y30/00 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/364 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2220/30 , Y02T10/7011
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive electrode active material for an accumulator having high electrical conductivity, and an accumulator using the same, and to provide a positive electrode active material having a high capacity, and an accumulator using the same.SOLUTION: The nucleus of the principal material of the positive electrode active material comprises lithium metal oxides, and a covering layer comprising 1 to 10 graphene sheets covers the nucleus. The graphene sheets are provided with holes through which lithium ions can smoothly pass, to improve the utilization efficiency of a current.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种具有高导电性的蓄电池的正极活性材料和使用该正极活性物质的蓄电池，以及提供具有高容量的正极活性物质和使用其的蓄电池。解决方案：正极活性物质的主要材料的核包含锂金属氧化物，包含1至10个石墨烯片的覆盖层覆盖核。石墨烯片具有能够顺利通过锂离子的孔，能够提高电流的利用效率。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2011146698A Method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2011146698A
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2010280703
申请日：2010-12-16
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , HIROHASHI TAKUYA , TAKAHASHI MASAHIRO , SHIMAZU TAKASHI
IPC分类号： H01L21/20 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： H01L21/02631 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L29/045 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form an oxide semiconductor layer superior in crystallinity to manufacture a transistor having a desired high field-effect mobility while a larger substrate can be used, thereby to achieve the practical application of a large display device, a high-performance semiconductor device, etc. SOLUTION: A single-component oxide semiconductor layer is formed on a substrate, crystals are grown from a surface toward an inside by performing heat treatment at ≥500°C and ≤1,000°C, preferably at ≥550°C and ≤750°C, a single-component oxide semiconductor layer including a single crystal region is formed, and a multi-component oxide semiconductor layer including a single crystal region is stacked on the single-component oxide semiconductor layer including the single crystal region. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了形成结晶度优异的氧化物半导体层，以制造具有期望的高场效应迁移率的晶体管，同时可以使用更大的衬底，从而实现大型显示装置的实际应用，高性能半导体器件等。解决方案：在基板上形成单组分氧化物半导体层，通过在≥500℃和≤1,000℃进行热处理，从表面向内部生长晶体，优选在≥550℃和≤750℃下，形成包括单晶区的单组分氧化物半导体层，并且在单一组分氧化物半导体层上堆叠包括单晶区的多组分氧化物半导体层包括单晶区域。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2011009506A Thin-film transistor 有权
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2011009506A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：JP2009152189
申请日：2009-06-26
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： ISA TOSHIYUKI , JINBO YASUHIRO , TEZUKA SUKEAKI , ORIKI KOJI , MIYAIRI HIDEKAZU , YAMAZAKI SHUNPEI , HIROHASHI TAKUYA
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem associated with on-current and off-current of a thin-film transistor.SOLUTION: This thin-film transistor includes, as a buffer layer, a semiconductor layer which contains nitrogen and includes crystal regions in an amorphous structure between a gate insulating layer and source and drain regions, and at least on the sides of source and drain regions. As compared to a thin-film transistor in which an amorphous semiconductor is included in a channel formation region, on-current of the thin-film transistor is increased. In addition, as compared to a thin-film transistor in which a microcrystalline semiconductor is included in a channel formation region, off-current of the thin-film transistor is reduced.
摘要翻译：要解决的问题：解决与薄膜晶体管的导通电流和截止电流有关的问题。解决方案：该薄膜晶体管包括作为缓冲层的包含氮的半导体层，并且包括晶体区域在栅极绝缘层和源极和漏极区域之间以及至少在源极和漏极区域的侧面上的非晶结构。与在沟道形成区域中包含非晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的导通电流增加。此外，与在沟道形成区域中包含微晶半导体的薄膜晶体管相比，薄膜晶体管的截止电流减小。

9. 发明专利

JP2010232647A Semiconductor device and manufacturing method therefor 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2010232647A
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：JP2010046034
申请日：2010-03-03
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： SAKATA JUNICHIRO , HIROHASHI TAKUYA , KISHIDA HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable semiconductor device having a thin film transistor with stable electric characteristics. SOLUTION: The semiconductor device includes an inverted staggered thin film transistor that has an oxide semiconductor layer as a semiconductor layer, and a buffer layer on the oxide semiconductor layer. The buffer layer contacts a channel formation region of the semiconductor layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer. The buffer layer has a resistance distribution within its film. A region provided on the channel formation region of the semiconductor layer is less conductive than the channel formation region of the semiconductor layer, while a region in contact with the source and drain electrode layers is more conductive than the channel formation region of the semiconductor layer. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有稳定电特性的薄膜晶体管的可靠的半导体器件。解决方案：半导体器件包括具有作为半导体层的氧化物半导体层和氧化物半导体层上的缓冲层的倒置交错薄膜晶体管。缓冲层与半导体层的沟道形成区域，源电极层和漏电极层接触。缓冲层在其膜内具有电阻分布。在半导体层的沟道形成区域上设置的区域比半导体层的沟道形成区域导电性差，而与源极和漏极层接触的区域比半导体层的沟道形成区域更加导电。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2014205902A 金属酸化物膜及び金属酸化物膜の成膜方法审中-公开
标题翻译：金属氧化物膜和形成金属氧化物膜的方法
公开(公告)号：JP2014205902A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013230075
申请日：2013-11-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： TAKAHASHI MASAHIRO , HIROHASHI TAKUYA , TSUBUKI MASASHI , ISHIHARA NORITAKA , OTA MASASHI
IPC分类号： C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , C23C14/086 , G01N23/207 , G02F1/1368 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：【課題】結晶部を含む金属酸化物膜を提供する。また、物性の安定性が高い金属酸化物膜を提供する。【解決手段】ナノビーム電子線回折を用いた電子線回折パターンにおいて、非晶質状態を示すハローパターンとも、特定の面に配向した結晶状態を示す規則性を有するスポットとも異なり、方向性を持たないスポットであって円周状に配置された複数のスポットが観察される新規な構造を有する金属酸化物膜を提供する。また、当該複数のスポットは、制限視野電子線回折パターンにおいては、観察されない金属酸化物膜である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供包含晶体部分并具有高度稳定物理性质的金属氧化物膜。解决方案：本发明提供一种具有新结构的金属氧化物膜，其中：在使用nanobeam电子衍射的电子衍射图中，多个观察到不具有方向性的斑点，其周向排列不同于指示非晶状态的光晕图案，并且具有指向在特定平面上取向的晶体状态的规则性的点，其中在选定区域电子中未观察到多个点衍射图案。

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