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1. 发明申请

US20130143150A1 METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK AND PHOTOMASK MANUFACTURED USING THE SAME 有权
标题翻译：使用其制造光电子和光电子的方法
公开(公告)号：US20130143150A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：US13571043
申请日：2012-08-09
申请人： JIN CHOI , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
发明人： JIN CHOI , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
IPC分类号： G03F1/44
CPC分类号： G03F1/44
摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.
摘要翻译：光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

2. 发明申请

US20100266959A1 Pattern forming method 审中-公开
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：US20100266959A1
公开(公告)日：2010-10-21
申请号：US12662402
申请日：2010-04-15
申请人： Sang-Hee Lee , Jin Choi , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim
发明人： Sang-Hee Lee , Jin Choi , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y10/00 , G03F1/78 , H01J37/3174 , H01J2237/0451 , H01J2237/0458 , H01J2237/15 , H01J2237/31771 , H01J2237/31776
摘要： A pattern forming method includes providing a resist, irradiating a first electron beam to a first region of the resist, and irradiating a second electron beam to a second region which is defined along a boundary of the first region of the resist, wherein the first electron beam has a first cross section having a polygonal shape, and the second electron beam has a second cross section having a polygonal shape.
摘要翻译：图案形成方法包括提供抗蚀剂，将第一电子束照射到抗蚀剂的第一区域，并且将第二电子束照射到沿着抗蚀剂的第一区域的边界限定的第二区域，其中第一电子梁具有具有多边形形状的第一横截面，并且第二电子束具有具有多边形形状的第二横截面。

3. 发明申请

US20120148959A1 PATTERN FORMING METHOD 有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：US20120148959A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：US13399090
申请日：2012-02-17
申请人： Jin CHOI , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
发明人： Jin CHOI , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
IPC分类号： G03F7/22 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31776
摘要： A pattern forming method includes providing a first mask with a first aperture, forming a first transfer pattern on a resist by irradiating a first electron beam through the first aperture, the first transfer pattern extending in a first direction and having a boundary along a circumference thereof, and the first electron beam having a cross section of a first square when emerging from the first aperture, and forming a second transfer pattern on the resist by irradiating a second electron beam through the first aperture, the second transfer pattern extending in the first direction and overlapping a portion the boundary of the first transfer pattern, and the second electron beam having a cross section of a second square when emerging from the first aperture.
摘要翻译：图案形成方法包括：提供具有第一孔的第一掩模，通过照射通过第一孔的第一电子束，在抗蚀剂上形成第一转印图案，第一转印图案沿着第一方向延伸并沿着其圆周具有边界并且所述第一电子束在从所述第一孔出射时具有第一正方形的横截面，并且通过照射通过所述第一孔的第二电子束在所述抗蚀剂上形成第二转移图案，所述第二转移图案沿所述第一方向延伸并且当从第一孔径出现时，与第一转印图案的边界的一部分重叠，并且第二电子束具有第二正方形的横截面。

4. 发明授权

US08673522B2 Method for manufacturing photomask and photomask manufactured using the same 有权
标题翻译：制造使用其制造光掩模和光掩模的方法
公开(公告)号：US08673522B2
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：US13571043
申请日：2012-08-09
申请人： Jin Choi , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
发明人： Jin Choi , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
IPC分类号： G03F1/38
CPC分类号： G03F1/44
摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.
摘要翻译：光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

5. 发明授权

US08329381B2 Pattern forming method 有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：US08329381B2
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：US13399090
申请日：2012-02-17
申请人： Jin Choi , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
发明人： Jin Choi , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Sang-Hee Lee
IPC分类号： G03C5/00
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31776
摘要： A pattern forming method includes providing a first mask with a first aperture, forming a first transfer pattern on a resist by irradiating a first electron beam through the first aperture, the first transfer pattern extending in a first direction and having a boundary along a circumference thereof, and the first electron beam having a cross section of a first square when emerging from the first aperture, and forming a second transfer pattern on the resist by irradiating a second electron beam through the first aperture, the second transfer pattern extending in the first direction and overlapping a portion the boundary of the first transfer pattern, and the second electron beam having a cross section of a second square when emerging from the first aperture.
摘要翻译：图案形成方法包括：提供具有第一孔的第一掩模，通过照射通过第一孔的第一电子束，在抗蚀剂上形成第一转印图案，第一转印图案沿着第一方向延伸并沿着其圆周具有边界并且所述第一电子束在从所述第一孔出射时具有第一正方形的横截面，并且通过照射通过所述第一孔的第二电子束在所述抗蚀剂上形成第二转移图案，所述第二转移图案沿所述第一方向延伸并且当从第一孔径出现时，与第一转印图案的边界的一部分重叠，并且第二电子束具有第二正方形的横截面。

6. 发明申请

US20120314198A1 METHODS OF ESTIMATING POINT SPREAD FUNCTIONS IN ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY PROCESSES 审中-公开
标题翻译：电子束光刻过程估计点扩展函数的方法
公开(公告)号：US20120314198A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：US13486064
申请日：2012-06-01
申请人： Sang-Hee Lee , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Soo-Young Lee , Qing Dai
发明人： Sang-Hee Lee , Byung-Gook Kim , Hee-Bom Kim , Soo-Young Lee , Qing Dai
IPC分类号： G03B27/32
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/31769
摘要： In a method of estimating a PSF in the electron-beam lithography process, a linear resist test pattern may be formed on a substrate. A line response function (LRF) may be determined using a cross-sectional profile of the linear resist test pattern. A development rate distribution in a first direction, the first direction may be substantially perpendicular to an extending direction of the linear resist test pattern, may be calculated using the LRF. A line spread function (LSF), which may represent an exposure distribution in the first direction, may be calculated using the development rate distribution. The PSF may be estimated using the LSF.
摘要翻译：在电子束光刻工艺中估计PSF的方法中，可以在衬底上形成线性抗蚀剂测试图案。线路响应函数（LRF）可以使用线性抗蚀剂测试图案的横截面轮廓来确定。可以使用LRF计算第一方向上的显影速率分布，第一方向可以基本上垂直于线性抗蚀剂测试图案的延伸方向。可以使用开发速率分布来计算可以表示第一方向上的曝光分布的线扩展函数（LSF）。可以使用LSF估计PSF。

7. 发明授权

US07763397B2 Photomask registration errors of which have been corrected and method of correcting registration errors of photomask 有权
标题翻译：已修正光掩模配准错误，修正光掩膜配准错误的方法
公开(公告)号：US07763397B2
公开(公告)日：2010-07-27
申请号：US11591152
申请日：2006-11-01
申请人： Myoung-Soo Lee , Suk-Jong Bae , Jung-Hoon Lee , Seong-Woo Choi , Byung-Gook Kim
发明人： Myoung-Soo Lee , Suk-Jong Bae , Jung-Hoon Lee , Seong-Woo Choi , Byung-Gook Kim
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/38 , G03F1/60
摘要： Provided are photomask registration errors of which have been corrected and a method of correcting the registration errors of a photomask. The photomask includes a photomask substrate, an optical pattern formed on one surface of the photomask substrate, and a plurality of stress generation portions formed in the photomask substrate. A method of correcting the registration errors of a photomask includes the steps of forming an optical pattern on a photomask substrate, measuring the registration errors of the optical pattern, and forming a plurality of stress generation portions in the photomask substrate so that the stress generation portions correspond to the measured registration errors.
摘要翻译：提供了其光掩模配准错误已被校正，以及校正光掩模的配准误差的方法。光掩模包括光掩模基板，形成在光掩模基板的一个表面上的光学图案，以及形成在光掩模基板中的多个应力产生部。校正光掩模的配准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图案，测量光学图案的配准误差，以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分对应于测量的注册错误。

8. 发明授权

US08683594B2 Data storage devices including integrated anti-virus circuits and method of operating the same 有权
标题翻译：数据存储设备包括集成防病毒电路及其操作方法
公开(公告)号：US08683594B2
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：US13425373
申请日：2012-03-20
申请人： Byung-Gook Kim , Chanik Park , Jisoo Kim , Dawoon Jung
发明人： Byung-Gook Kim , Chanik Park , Jisoo Kim , Dawoon Jung
IPC分类号： G06F11/00 , G06F12/14 , G06F12/16 , G08B23/00 , G06F9/00 , G06F15/16 , G06F17/00 , G06F11/30
CPC分类号： G06F21/567 , G06F21/78
摘要： A data storage device includes a storage medium and a controller circuit configured to be coupled to an external host to provide an interface between the external host and the storage medium, the controller circuit configured to detect a virus carried by a data file transferred to and/or stored in the storage medium. The controller circuit may be further configured to cure the detected virus.
摘要翻译：数据存储设备包括存储介质和控制器电路，该控制器电路被配置为耦合到外部主机以在外部主机和存储介质之间提供接口，该控制器电路被配置为检测由传送到和/ 或存储在存储介质中。控制器电路还可以被配置成固化检测到的病毒。

9. 发明申请

US20120100465A1 PHOTOMASKS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
标题翻译：照相机及其制作方法
公开(公告)号：US20120100465A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：US13231313
申请日：2011-09-13
申请人： IL-Yong JANG , Byung-Gook Kim
发明人： IL-Yong JANG , Byung-Gook Kim
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/54
摘要： A photomask includes a pattern area and a blind area, a first opaque pattern disposed on the blind area and having a first thickness, and a second opaque pattern disposed on the pattern area and having a second thickness smaller than the first thickness. The first and second opaque patterns are formed of the same material.
摘要翻译：光掩模包括图案区域和盲区，设置在盲区上并具有第一厚度的第一不透明图案和布置在图案区域上并且具有小于第一厚度的第二厚度的第二不透明图案。第一和第二不透明图案由相同的材料形成。

10. 发明申请

US20080032206A1 Photomask registration errors of which have been corrected and method of correcting registration errors of photomask 有权
标题翻译：已修正光掩模配准错误，修正光掩膜配准错误的方法
公开(公告)号：US20080032206A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：US11591152
申请日：2006-11-01
申请人： Myoung-Soo Lee , Suk-Jong Bae , Jung-Hoon Lee , Seong-Woo Choi , Byung-Gook Kim
发明人： Myoung-Soo Lee , Suk-Jong Bae , Jung-Hoon Lee , Seong-Woo Choi , Byung-Gook Kim
IPC分类号： G03C5/00 , G21K5/00 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/38 , G03F1/60
摘要： Provided are photomask registration errors of which have been corrected and a method of correcting the registration errors of a photomask. The photomask includes a photomask substrate, an optical pattern formed on one surface of the photomask substrate, and a plurality of stress generation portions formed in the photomask substrate. A method of correcting the registration errors of a photomask includes the steps of forming an optical pattern on a photomask substrate, measuring the registration errors of the optical pattern, and forming a plurality of stress generation portions in the photomask substrate so that the stress generation portions correspond to the measured registration errors.
摘要翻译：提供了其光掩模配准错误已被校正，以及校正光掩模的配准误差的方法。光掩模包括光掩模基板，形成在光掩模基板的一个表面上的光学图案，以及形成在光掩模基板中的多个应力产生部。校正光掩模的配准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图案，测量光学图案的配准误差，以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分对应于测量的注册错误。

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