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1. 发明申请

WO2017025494A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AVEC COLLAGE DIRECT TEMPORAIRE EXPLOITANT UNE COUCHE POREUSE 审中-公开
标题翻译：使用多孔层制造具有临时直接结合的半导体结构的方法
公开(公告)号：WO2017025494A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：PCT/EP2016/068845
申请日：2016-08-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BECHE, Elodie , FOURNEL, Frank , LARREY, Vincent
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, comprenant les étapes de: -collage direct d'un substrat à manipuler (1) avec un substrat poignée (2) par l'intermédiaire d'une couche de collage (3) recouvrant le substrat poignée, pour former une structure temporaire apte à être soumise à des étapes technologiques; et de -démontage de la structure temporaire au niveau de la couche de collage pour séparer le substrat à manipuler (1) du substrat poignée (2), caractérisé en ce qu'il comprend une étape préalable de dépôt de la couche de collage (3) sur le substrat poignée(2) et/ou sur le substrat à manipuler (1), la couche de collage (3) étant réalisée en un matériau poreux formé d'une matrice inorganique et decomposés organiques reliés ou non à cette matrice, et en ce que l'étape de démontage est réalisée par apport d'un budget thermique de démontage à la structure intermédiaire (6, 16), ledit apport résultant en un démontage spontané de la structure temporaire intervenant au niveau de la couche de collage.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：通过覆盖夹持基板的接合层（3）将待处理基板（1）与夹持基板（2）直接接合，以便形成能够承受技术步骤的临时结构; 以及在所述接合层处移除所述临时结构以便将所述待处理基板（1）从所述夹持基板（2）分离，其特征在于，其包括将所述接合层（3）沉积到所述夹持基板（2）和/或待处理的基材（1）上，所述粘合层（3）由无机基质和可选地连接到所述基体的有机化合物构成的多孔材料制成，并且所述去除步骤通过向中间结构（6,16）添加热预算以进行去除，所述添加导致在粘结层处发生的临时结构的自发去除。

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