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    • 1. 发明申请
    • AKUSTISCHES SENSORELEMENT
    • 声学传感器元
    • WO2009000641A1
    • 2008-12-31
    • PCT/EP2008/057211
    • 2008-06-10
    • ROBERT BOSCH GMBHFISCHER, FrankHOECHST, Arnim
    • FISCHER, FrankHOECHST, Arnim
    • H04R19/00H04R19/04
    • H04R19/04H04R19/005
    • Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache konstruktive Maßnahmen zur Verbesserung der Wandlereigenschaften eines mikromechanischen akustischen Sensorelements vorgeschlagen, das mindestens eine Membran (2) und mindestens ein feststehendes Gegenelement (3) umfasst, wobei die Membran (2) in einem Hohlraum (4) zwischen einem Substrat (1) und dem Gegenelement (3) angeordnet ist und als bewegliche Elektrode einer Kondensatoranordnung fungiert, wobei das Gegenelement (3) als erste feststehende Gegenelektrode dieser Kondensatoranordnung fungiert und wobei im Substrat (1) mindestens eine Durchgangsöffnung (6) zur Schalldruckbeaufschlagung der Membran (2) ausgebildet ist. Erfindungsgemäß ist das Gegenelement (3) zur Fixierung und Versteifung über mindestens ein Stützelement (7) mit dem Substrat (1) verbunden. Das Stützelement (7) ist im Bereich des Hohlraums (4) angeordnet und in der Membran(2) ist eine Öffnung (11) für das Stützelement (7) ausgebildet.
    • 与基材之间的本发明的简单的结构措施,以提高微机械声学传感器元件的转换特性,提出了一种包括至少一个膜(2)和至少一个固定的对立元件(3),其中,在空腔中的膜(2)(4) (1)和所述计数元件(3)被布置并充当电容器组件的可动电极,其特征在于,所述计数元件(3)可作为此电容器装置的第一固定相对的电极,以及其中,所述衬底(1)的至少一个通道开口(6),用于Schalldruckbeaufschlagung膜( 2形成)。 根据本发明,所述计数元件(3)被连接到至少一个的固定和加强支承元件(7)与所述衬底(1)。 所述支撑元件(7)布置在所述腔体的区域(4)和在隔膜(2)是用于所述支撑元件(7)形成的开口(11)。
    • 2. 发明申请
    • SENSOR ZUR TEMPERATURÄNDERUNGS- ODER INFRAROT-DETEKTION
    • 传感器温度率或红外探测
    • WO2005005943A1
    • 2005-01-20
    • PCT/DE2004/001462
    • 2004-07-07
    • ROBERT BOSCH GMBHFISCHER, FrankBAER, Hans-PeterMETZGER, LarsHOECHST, ArnimSCHEUERER, Roland
    • FISCHER, FrankBAER, Hans-PeterMETZGER, LarsHOECHST, ArnimSCHEUERER, Roland
    • G01K7/02
    • G01K7/028G01K7/186
    • Die Erfindung betrifft einen Sensor zur Temperaturänderungs- oder Infra­rot-Detektion, der insbesondere für einen Gassensor verwendbar ist, und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Um einen sicheren und kostengünstigen Sensor mit geringen Herstellungs­kosten herzustellen, weist dieser auf: ein Substrat (2), einen in dem Substrat (2) ausgebildeten Freiraum (4), eine oberhalb des Freiraums (4) ausgebildete, freitragende Membran (5), eine sich in die Membran (5) erstreckende leitfähige Struktur (10, 14, 16), eine auf dem Substrat (2) ausgebildete Auswerteschaltung (7), die eine von der leitfähigen Struktur (10, 14, 16) ausgegebene Messspannung aufnimmt und ein Auswertesignal (S) ausgibt, wobei der Infrarot-Sensor (1) monolithisch integriert ist. Erfindungsgemäß können somit durch Ausbilden von z.B. aus Spacernitrid bestehenden Passivierungsschichten (9, 12) mit Löchern (6) auf dem Sub­strat (2) und Opferschichtätzen eines Freiraums (24) unter den Passivie­rungsschichten (9, 12) die Membran (5) mit der leitfähigen Struktur und die Auswerteschaltung (7) monolithisch integriert werden.
    • 本发明涉及用于温度率或红外探测,这是用于气体传感器和其制备方法中特别有用的传感器。 为了生产具有低制造成本的安全和廉价的传感器,后者具有:基板(2),形成一个在所述基板(2),清除率(4)形成一个上的可用空间(4)的顶部上,自支撑膜(5),一 在膜(5)在基板上形成的一个延伸的导电结构(10,14,16)(2)评估电路(7),其接收所述导电结构中的一个(10,14,16)输出的测量电压和一个评估 (S),其中,所述红外线传感器(1)是单片集成。 根据本发明,因此,通过例如形成 从Spacernitrid现有的钝化层(9,12)具有孔(6)的基板(2)和牺牲的自由空间(24)的钝化层(9,12)下,将膜(5)与所述导电结构和所述评估电路(7) 被单片集成。
    • 8. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM BILDEN EINES GRABENS IN EINER MIKROSTRUKTUR
    • 制法沟渠所述的微结构
    • WO2006063885A1
    • 2006-06-22
    • PCT/EP2005/055298
    • 2005-10-17
    • ROBERT BOSCH GMBHFISCHER, FrankBAUMANN, HelmutMETZGER, LarsDUENN, ChristophSCHMITZ, VolkerULBRICH, Nicolaus
    • FISCHER, FrankBAUMANN, HelmutMETZGER, LarsDUENN, ChristophSCHMITZ, VolkerULBRICH, Nicolaus
    • B81B3/00
    • B81C1/00626B81B2203/033B81C1/00063B81C2201/014
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden eines Grabens definierter Breite in einer Mikrostruktur auf einem Substrat, mit folgenden Schritten: a) Aufbringen einer Opferschicht (6) auf das Substrat (1) zumindest im Bereich des zu bildenden Grabens; b) Aufbringen einer Hilfsschicht (7); c) Vorsehen eines Durchlasses im Bereich des zu bildenden Grabens durch die Hilfsschicht (7); d) Aufbringen einer Strukturschicht (11), in der die Mikrostruktur ausgebildet werden soll; e) Einbringen eines Begrenzungsgrabens (12) in die Strukturschicht (11), der die seitliche Begrenzung des zu bildenden Grabens definiert, wobei der Begrenzungsgraben (12) einen Block aus der Strukturschicht (11) definiert, wobei die Tiefe des Begrenzungsgrabens (12) im wesentlichen zumindest bis zur Hilfsschicht reicht; f) Aufbringen einer Schutzschicht (13) auf eine Seitenwand und eine Oberfläche des Blocks der Strukturschicht (11), so dass der Block der Strukturschicht (11) von der äußeren Umgebung vollständig durch die Schutzschicht (13) getrennt ist; g) Ausführen eines Ätzverfahrens, das selektiv durch den Begrenzungsgraben (12) die Hilfsschicht (7) und die Opferschicht (6) entfernt und das, nachdem die Opferschicht (6) im Bereich des Durchlasses (9a, 9b) entfernt worden ist, durch den Durchlass (9a, 9b) in der Hilfsschicht (7) den Block aus der Strukturschicht (11) entfernt, so dass lediglich die Schutzschicht (13) stehen bleibt; h) Entfernen der Schutzschicht (13), so dass der Graben gebildet wird.
    • 本发明涉及一种用于在一个基片上的微结构形成沟槽限定的宽度的方法,包括以下步骤:a)(6)在衬底上沉积牺牲层(1)至少在与形成沟槽的区域; b)将辅助层(7); c)提供一个通道,该区域的形成通过辅助层(7)的沟槽; d)将结构层(11),其中的微观结构将被形成; E)将限定的横向边界形成沟槽,其中所述限制沟槽(12)限定所述结构层(11),其中所述边界的深度的一个块中的限位槽(12)(在结构层11)的沟槽(12) 基本上至少到该辅助层的范围; F)施加在侧壁的保护层(13)和所述结构层(11)的所述块的表面上,以便从完全与外部环境的结构层(11)的块(通过保护层13)分开; 克)由限制槽12)进行蚀刻工艺选择性地(除去,辅助层(7)和所述牺牲层(6),并且,在所述通道(9a的区域中的牺牲层(6)之后,9B)已被除去 通路(9A,9B)在辅助层(7)的结构层的块(11)被去除残留,使得仅在保护层(13); 1H)去除保护层(13),从而形成所述沟槽。