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1. 发明申请

WO2015183510A1 FABRICATION OF TRANSISTOR WITH HIGH DENSITY STORAGE CAPACITOR 审中-公开
标题翻译：具有高密度存储电容器的晶体管的制造
公开(公告)号：WO2015183510A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/US2015/029721
申请日：2015-05-07
申请人： QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： KIM, Cheonhong , FUNG, Tze-Ching , SEO, Jae Hyeong , CHANG, Tallis Young
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L27/13 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L28/40 , H01L29/6675
摘要： This disclosure provides apparatuses and methods for fabricating TFTs and storage capacitors on a substrate. In one aspect, an apparatus includes a TFT and a storage capacitor, where the TFT includes a first metal layer, a second metal layer, and a semiconductor layer, where the semiconductor layer is protected by a first etch stop layer and a second etch stop layer. The storage capacitor includes the second etch stop layer as a dielectric between the first metal layer and the second metal layer. In another aspect, an apparatus includes a TFT and a storage capacitor, where the TFT includes a first metal layer, a dielectric layer, and a semiconductor layer, where the semiconductor layer is protected by an etch stop layer. The storage capacitor includes the dielectric layer as a dielectric between the first metal layer and the semiconductor layer.
摘要翻译：本公开提供了用于在基板上制造TFT和存储电容器的装置和方法。在一个方面，一种装置包括TFT和存储电容器，其中TFT包括第一金属层，第二金属层和半导体层，其中半导体层被第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。存储电容器包括作为第一金属层和第二金属层之间的电介质的第二蚀刻停止层。在另一方面，一种装置包括TFT和存储电容器，其中TFT包括第一金属层，电介质层和半导体层，其中半导体层被蚀刻停止层保护。存储电容器包括作为第一金属层和半导体层之间的电介质的电介质层。

2. 发明申请

WO2013070453A2 STORAGE CAPACITOR FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于机电系统的存储电容器及其形成方法
公开(公告)号：WO2013070453A2
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/US2012/062396
申请日：2012-10-29
申请人： QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： SEO, Jae Hyeong , TUNG, Ming-Hau , MIGNARD, Marc M. , HE, Rihui
IPC分类号： G02B26/00 , G02F1/00
CPC分类号： G02B26/001
摘要： This disclosure provides systems, methods and apparatus for storage capacitors. In one aspect, a device includes an array having at least a first display element and a second display element, at least one switch configured to control a flow of charge between a source and the first display element, and at least one interferometric optical mask structure disposed in a non-active area of the array between the first display element and the second display element. The optical mask structure includes a storage capacitor formed by a first conductive layer and a second conductive layer. The storage capacitor is electrically coupled to the at least one switch and the first display element.
摘要翻译：本公开提供了用于存储电容器的系统，方法和装置。一方面，一种装置包括具有至少第一显示元件和第二显示元件的阵列，至少一个开关，被配置为控制源极与第一显示元件之间的电荷流动，以及至少一个干涉光学掩模结构设置在第一显示元件和第二显示元件之间的阵列的非有源区域中。光掩模结构包括由第一导电层和第二导电层形成的存储电容器。存储电容器电耦合到至少一个开关和第一显示元件。

3. 发明申请

WO2014036303A1 SYSTEMS, DEVICES, AND METHODS FOR DRIVING AN ANALOG INTERFEROMETRIC MODULATOR 审中-公开
标题翻译：用于驱动模拟干涉仪调制器的系统，设备和方法
公开(公告)号：WO2014036303A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/US2013/057361
申请日：2013-08-29
申请人： QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： SEO, Jae Hyeong , GOVIL, Alok , TUNG, Ming-Hau , MARTIN, Russel A.
IPC分类号： G09G3/34
CPC分类号： G09G3/3466 , G02B26/00 , G09G2300/08 , G09G2300/0819 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2310/061
摘要： Display elements of a display array include at least one fixed layer and a movable layer. The movable layer is positioned with respect to the at least one fixed layer by placing a charge on the movable layer and applying a voltage to the at least one fixed layer. The at least one fixed layer may be two layers positioned on either side of the movable layer. The movable layer may be positioned in a desired position when driving an array of display elements by executing a reset stage, a charging stage, and a bias stage.
摘要翻译：显示阵列的显示元件包括至少一个固定层和可移动层。通过在可移动层上放置电荷并向至少一个固定层施加电压，可移动层相对于至少一个固定层定位。至少一个固定层可以是位于可移动层的任一侧上的两层。当通过执行复位阶段，充电阶段和偏置阶段来驱动显示元件阵列时，可移动层可以被定位在期望的位置。

4. 发明申请

WO2013070608A1 STORAGE CAPACITOR FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于机电系统的存储电容器及其形成方法
公开(公告)号：WO2013070608A1
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：PCT/US2012/063715
申请日：2012-11-06
申请人： QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： SEO, Jae Hyeong , TUNG, Ming-Hau , MIGNARD, Marc M.
IPC分类号： G02B26/00
CPC分类号： G02B26/001
摘要： This disclosure provides systems, methods and apparatus for storage capacitors. In one aspect, an electromechanical systems (EMS) device includes a substrate, an optical stack disposed over the substrate, a mechanical layer positioned over the optical stack, and a storage capacitor. The optical stack includes a stationary electrode and at least one dielectric layer disposed over the stationary electrode, and the storage capacitor includes a first plate, a second plate and a dielectric structure disposed between the first and second plates. The first plate includes a portion of the mechanical layer positioned over an optically non-active region of the device, and the dielectric structure of the storage capacitor includes a portion of the at least one dielectric layer of the optical stack.
摘要翻译：本公开提供了用于存储电容器的系统，方法和装置。一方面，机电系统（EMS）装置包括衬底，设置在衬底上的光学堆叠，位于光学堆叠上的机械层和存储电容器。光学堆叠包括固定电极和设置在固定电极上的至少一个电介质层，并且存储电容器包括设置在第一和第二板之间的第一板，第二板和电介质结构。第一板包括位于器件的光学无效区域上的机械层的一部分，并且存储电容器的电介质结构包括光学堆叠的至少一个电介质层的一部分。

5. 发明申请

WO2012148847A1 THIN FILM TRANSISTORS (TFT) ACTIVE-MATRIX IMOD PIXEL LAYOUT 审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管（TFT）有源矩阵IMOD像素布局
公开(公告)号：WO2012148847A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/US2012/034654
申请日：2012-04-23
申请人： QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. , SEO, Jae Hyeong , MIGNARD, Marc Maurice , TUNG, Ming-Hau , MARTIN, Russel Allyn
发明人： SEO, Jae Hyeong , MIGNARD, Marc Maurice , TUNG, Ming-Hau , MARTIN, Russel Allyn
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , G02B26/00
CPC分类号： H01L27/1214 , G02B26/001 , H01L29/78633 , H01L29/78645 , H01L29/78696
摘要： This disclosure provides systems, methods and apparatus relating to pixel designs for use in active matrix displays which employ poly-silicon (p-Si) thin-film transistors (TFTs) having dual gate structures to control the pixels. The poly-silicon island of the TFT is configured to take advantage of the black mask area attributable to other non-reflective display components, thus enhancing the fill factor of the display.
摘要翻译：本公开提供了与使用具有双栅极结构的多晶硅（p-Si）薄膜晶体管（TFT））来控制像素的有源矩阵显示器中用于像素设计的系统，方法和装置。 TFT的多晶硅岛被配置为利用归因于其他非反射显示元件的黑色掩模区域，从而增强了显示器的填充因子。

6. 发明申请

WO2015061043A1 DOT INVERSION CONFIGURATION 审中-公开
标题翻译：反转配置
公开(公告)号：WO2015061043A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/US2014/059705
申请日：2014-10-08
申请人： QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人： CHAN, Edward Keat Leem , WEN, Bing , KIM, Cheonhong , VAN LIER, Wilhelmus Johannes Robertus , HO, Chih-hsiang , HE, Rihui , TUNG, Ming-hau , GOVIL, Alok , SEO, Jae Hyeong
IPC分类号： G09G3/34
CPC分类号： G09G3/20 , G09G3/3466 , G09G2300/0404 , G09G2300/0426 , G09G2300/08 , G09G2300/0823 , G09G2310/0256 , G09G2320/0247 , G09G2330/021
摘要： This disclosure provides systems, methods and apparatus for an arrangement of pixels and interconnects in a display. In one aspect, polarities of pixels may be in a dot inversion configuration, or checkerboard pattern, to reduce the visibility of flicker. Various interconnect alternatively couple between modules in different columns or rows to provide dot inversion.
摘要翻译：本公开提供了用于在显示器中排列像素和互连的系统，方法和装置。在一个方面，像素的极性可以是点反转配置或棋盘图案，以降低闪烁的可视性。各种互连交替耦合在不同列或行的模块之间以提供点反转。

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