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    • 8. 发明授权
    • Semiconductor structures and methods for forming isolation between Fin structures of FinFET devices
    • 用于在FinFET器件的Fin结构之间形成隔离的半导体结构和方法
    • US09257325B2
    • 2016-02-09
    • US12562849
    • 2009-09-18
    • Andreas KnorrFrank Scott Johnson
    • Andreas KnorrFrank Scott Johnson
    • H01L29/06H01L21/762H01L29/66H01L29/78
    • H01L21/76229H01L29/66795H01L29/7851
    • Semiconductor structures and methods for forming isolation between fin structures formed from a bulk silicon wafer are provided. A bulk silicon wafer is provided having one or more fin structures formed therefrom. Forming of the fin structures defines isolation trenches between the one or more fin structures. Each of the fin structures has vertical sidewalls. An oxide layer is deposited in the isolation trenches and on the vertical sidewalls using HDPCVD in about a 4:1 ratio or greater. The oxide layer is isotropically etched to remove the oxide layer from the vertical sidewalls and a portion of the oxide layer from the bottom of the isolation trenches. A substantially uniformly thick isolating oxide layer is formed on the bottom of the isolation trench to isolate the one or more fin structures and substantially reduce fin height variability.
    • 提供了用于形成由体硅晶片形成的翅片结构之间的隔离的半导体结构和方法。 提供具有由其形成的一个或多个翅片结构的体硅晶片。 翅片结构的形成限定了一个或多个翅片结构之间的隔离沟槽。 每个翅片结构都具有垂直侧壁。 使用HDPCVD以大约4:1的比例或更大的比例在隔离沟槽和垂直侧壁上沉积氧化物层。 氧化层被各向同性蚀刻以从隔离沟底部的垂直侧壁和氧化物层的一部分去除氧化物层。 在隔离沟槽的底部上形成基本上均匀的厚的隔离氧化物层,以隔离一个或多个翅片结构,并显着降低翅片高度的可变性。