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1. 发明申请

WO2010045907A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2010045907A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/DE2009/001322
申请日：2009-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , ZEHNDER, Ulrich , TAKI, Tetsuya , LEBER, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , BAUER, Thomas
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , ZEHNDER, Ulrich , TAKI, Tetsuya , LEBER, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , BAUER, Thomas
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Halbleiterschichtenfolge (3), die einen n-dotierten Bereich (4), einen p-dotierten Bereich (8) und eine zwischen dem n-dotierten Bereich (4) und dem p-dotierten Bereich (8) angeordnete aktive Zone (5) enthält, angegeben. Der p-dotierte Bereich (8) umfasst eine p-Kontaktschicht (7) aus In x Al y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Die p-Kontaktschicht (7) grenzt an eine Anschlussschicht (9) aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem transparenten leitfähigen Oxid an, wobei die p-Kontaktschicht (7) an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht (9) erste Domänen (1) mit einer Ga-face-Ausrichtung und zweite Domänen (2) mit einer N-face-Ausrichtung aufweist.
摘要翻译：它与光电子半导体器件的基于氮化物化合物半导体层序列（3），其包括n型掺杂区域（4），p掺杂区（8）和n掺杂区域（4）之间和p掺杂包含布置区域（5）（8）所示的活性区域。 p掺杂区（8）包含（7）制成InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层，其中0 = X = 1，0 = Y = 1且x + y = 1，p型接触层（7）相邻的连接层（9），在界面处由金属，金属合金或，p接触层（7）上的透明导电氧化物与连接层（9）第一结构域（1）（用Ga面取向区域和第二区域 2）用N面取向。

2. 发明申请

WO2003030271A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003030271A3
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003668
申请日：2002-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
发明人： FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist. Der Halbleiterchip ist zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen und die Fensterschicht (20) weist mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) auf, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht gegenüber der Grösse der ersten Hauptfläche (22) verbreitert. Eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) sind mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem derartigen Chip sowie ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl solcher Chips.

3. 发明申请

WO2003030271A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片，METHOD FOR ITS和辐射分量
公开(公告)号：WO2003030271A2
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/DE2002/003668
申请日：2002-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
发明人： FEHRER, Michael , HÄRLE, Volker , KÜHN, Frank , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist. Der Halbleiterchip ist zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen und die Fensterschicht (20) weist mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) auf, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht gegenüber der Grösse der ersten Hauptfläche (22) verbreitert. Eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) sind mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein strahlungsemittierendes Bauelement mit einem derartigen Chip sowie ein Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl solcher Chips.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片，具有包含发射辐射的有源层（10）的多层结构（100），并具有窗口层（20），用于有源层中的一个发射的光（10）辐射是透明的，在方向被布置在多层结构（100）的半导体装置的主辐射方向的下游。半导体芯片被提供用于自顶向下的在一个芯片外壳和窗口层（20）的安装有至少在使用过程中朝向的一个面对第一主表面（22）的多层结构中的一个（100）的外周侧表面（21）多层结构（100）的面向所述第二主表面（23）逐渐远离第一这样的斜面，弯曲的或阶梯状的第一侧区域（24），在该窗口层加宽相对于所述第一主表面（22）的大小。多层结构（100）和至少所述斜面的一部分的外周侧表面（11），弯曲的或阶梯状的第一侧表面区域（24）涂覆有一个连续的电绝缘层（30）。本发明还涉及具有这样的芯片发射辐射的元件，和用于同时制造多个这样的芯片的方法。

4. 发明申请

WO2007124723A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2007124723A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/DE2007/000741
申请日：2007-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZEHNDER, Ulrich , AVRAMESCU, Adrian , BADER, Stefan
发明人： ZEHNDER, Ulrich , AVRAMESCU, Adrian , BADER, Stefan
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben mit: - einer aktiven Schicht (3), die zur Strahlungserzeugung vorgesehen ist, - einer Diffusionskontrollschicht (4), die auf der aktiven Schicht angeordnet ist, und - einer p-leitenden Schicht (5), die mit einem p-Dotierstoff (11) dotiert ist und die auf der Diffusionskontrollschicht (4) angeordnet ist, wobei - die Diffusionskontrollschicht (4) einen Gradienten in der Konzentration des p-Dotierstoffs (11) aufweist und - die Konzentration des p-Dotierstoffs (11) in der Diffusionskontrollschicht (4) in Richtung (10) der aktiven Schicht (3) abnimmt. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它的光电子半导体器件是由下式给出： - （3）设置用于产生辐射的有源层， - 一个扩散控制层（4）设置在所述有源层上，以及 - 一个p型层（5）设置有一个p型掺杂剂（11）被掺杂和扩散控制层（4）被布置，其特征在于， - 所述扩散控制层（4）具有在所述p型掺杂剂（11）的浓度梯度，以及 - 所述p型掺杂剂的浓度（11 ）（在活性层的扩散控制层4）减小（在方向10）（3）。此外，提供了一种制造这种半导体器件的方法。

5. 发明申请

WO2002073705A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2002073705A3
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000514
申请日：2002-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.

6. 发明申请

WO2009106038A1 HALBLEITERLEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体发光二极管和方法用于生产半导体发光二极管
公开(公告)号：WO2009106038A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000192
申请日：2009-02-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BAUR, Johannes , ZEHNDER, Ulrich , STRASSBURG, Martin , SABATHIL, Matthias , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).
摘要翻译：它是一种半导体发光二极管（10），提出一种包括至少一个p型掺杂的发光层（4），n掺杂发光层（2）和光学活性区域（3）的p型的发光层（4）和n型之间的发光层（2），具有氧化物层（8）由透明导电氧化物和至少一个反射镜层（9），其中，所述氧化物层（8）的发光层之间的（2,4）和所述至少一个反射镜层（9）和一个第一边界表面（8a）的面向所述发光层（2，4），和第二边界表面（8b）的面向所述至少一个反射镜层（9），并且其中，所述第二接口（8b）的氧化物层（8）较低的粗糙度（R2）小于第一边界表面（8a）的氧化物层（8）。

7. 发明申请

WO2009068006A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009068006A3
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001957
申请日：2008-11-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
发明人： WEISS, Guido , HAHN, Berthold , ZEHNDER, Ulrich , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf der Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitern angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge weist eine Pufferschicht (21), die nominell undotiert oder zumindest teilweise n-leitend dotiert ist, eine aktive Zone (24), die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu empfangen, sowie eine zwischen der Pufferschicht und der aktiven Zone angeordnete Kontaktschicht (22) auf, die n-leitend dotiert ist. In der Kontaktschicht ist die n-Dotierstoffkonzentration größer als in der Pufferschicht. In der Halbleiterschichtenfolge ist eine Ausnehmung (3) enthalten, die sich durch die Pufferschicht hindurch erstreckt und in der ein elektrisches Kontaktmaterial (4) angeordnet ist und an die Kontaktschicht angrenzt. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, das geeignet ist, einen derartigen Halbleiterkörper herzustellen.

8. 发明申请

WO2010025694A3 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
公开(公告)号：WO2010025694A3
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/DE2009/001103
申请日：2009-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
发明人： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , HERRMANN, Siegfried , ZEHNDER, Ulrich , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/62 , H01L25/075
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) weist dieses einen Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3) auf. Ferner umfasst das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45), wobei eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45) erfolgt, und wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) des Trägers (2) zugewandt ist. Der mindestens eine Halbleiterchip (4) ist auf der Montageseite (20) aufgebracht. Weiterhin beinhaltet das optoelektronische Bauteil (1) mindestens einen elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44) des Halbleiterchips (1), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist. Ein solches optoelektronisches Bauteil (1) ist kompakt aufgebaut und weist gute thermische Eigenschaften auf.

9. 发明申请

WO2009015645A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL 审中-公开
标题翻译：具有层堆栈的光电子器件
公开(公告)号：WO2009015645A2
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/DE2008/001225
申请日：2008-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).
摘要翻译：
包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

10. 发明申请

WO2002073705A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件与方法研究
公开(公告)号：WO2002073705A2
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/DE2002/000514
申请日：2002-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
发明人： BAUR, Johannes , EISERT, Dominik , FEHRER, Michael , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ORTMANN, Marianne , STRAUß, Uwe , VÖLKL, Johannes , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit verbesserter Strahlungsausbeute sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Halbleiterbauelement weist eine Mehrschichtstruktur (2) mit einer aktiven Schicht (3) zur Strahlungserzeugung innerhalb der Mehrschichtstruktur (2) sowie ein Fenster (1) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche auf. Die Mehrschichtstruktur grenzt an die erste Hauptfläche (5) des Fensters (1). Von der zweiten Hauptfläche (6) her ist in dem Fenster (1) mindestens eine Ausnehmung zur Erhöhung der Strahlungsausbeute gebildet. Die Ausnehmung weist vorzugsweise einen trapezförmigen, sich zur ersten Hauptfläche (5) hin verjüngenden Querschnitt auf und kann beispielsweise durch Einsägen des Fensters hergestellt werden.
摘要翻译：本发明描述了一种具有改进的辐射效率和用于其生产的方法的发射辐射的半导体装置。半导体器件具有具有活性层的多层结构（2）（3）多层结构体（2）和一个窗口（1）具有第一和第二主表面内产生的辐射。邻近于所述第一主表面上的多层结构（5）的窗口（1）。从第二主表面（6）前在窗口（1）形成用于提高辐射输出的至少一个凹部。该凹部优选地具有梯形，所述第一主表面（5）逐渐变细的横截面，并且可以通过该窗口的锯来制备，例如。

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