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1. 发明申请

WO2003026355A3 ELEKTROLUMINESZIERENDER KÖRPER 审中-公开
公开(公告)号：WO2003026355A3
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003200
申请日：2002-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
发明人： LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein elektrolumineszierendes Bauelement (1), insbesondere ein LED-Chip, vorgeschlagen, der bei einfachem Aufbau einen hohen externen Wirkungsgrad aufweist. Das elektrolumineszierende Bauelement (1) weist ein Substrat (2); mehrere, nebeneinander auf dem Substrat (2) in Abstand angeordnete Strahlungsauskoppelelemente mit einem aktiven Schichtstapel (7) mit einer Emissionszone (8); und ein Kontaktelement (9) auf jedem Strahlungsauskoppelelement (4) auf. Erfindungsgemäß sind die Kontaktelemente (9), deren Breite (b') kleiner als die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) bemessen ist, mittig auf den Strahlungsauskoppelelementen (4) angeordnet, und die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ist bei gegebener Höhe (h) derart klein gewählt, dass ein wesentlicher Anteil des seitlich von der Emissionszone (8) abgestrahlten Lichts (11) direkt durch die Seitenflächen (12) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ausgekoppelt werden kann.

2. 发明申请

WO2003026355A2 ELEKTROLUMINESZIERENDER KÖRPER 审中-公开
标题翻译：电致发光体
公开(公告)号：WO2003026355A2
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003200
申请日：2002-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
发明人： LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
IPC分类号： H05B33/00
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/46
摘要： Es wird ein elektrolumineszierendes Bauelement (1), insbesondere ein LED-Chip, vorgeschlagen, der bei einfachem Aufbau einen hohen externen Wirkungsgrad aufweist. Das elektrolumineszierende Bauelement (1) weist ein Substrat (2); mehrere, nebeneinander auf dem Substrat (2) in Abstand angeordnete Strahlungsauskoppelelemente mit einem aktiven Schichtstapel (7) mit einer Emissionszone (8); und ein Kontaktelement (9) auf jedem Strahlungsauskoppelelement (4) auf. Erfindungsgemäß sind die Kontaktelemente (9), deren Breite (b') kleiner als die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) bemessen ist, mittig auf den Strahlungsauskoppelelementen (4) angeordnet, und die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ist bei gegebener Höhe (h) derart klein gewählt, dass ein wesentlicher Anteil des seitlich von der Emissionszone (8) abgestrahlten Lichts (11) direkt durch die Seitenflächen (12) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ausgekoppelt werden kann.
摘要翻译：提出了一种电致发光组件（1），尤其是LED芯片，其具有高的外部效率和简单的结构。电致发光器件（1）具有基板（2）; 在基板（2）上的多个并排的排列以一定距离Strahlungsauskoppelelemente与活性层堆叠（7）具有一个发射区（8）; 和每个辐射解耦元件（4）上的接触元件（9）。发明＆AUML;大街接触元件（9），所述宽度（B“）比宽度（b）的Strahlungsauskoppelelemente的（4）的尺寸，居中于Strahlungsauskoppelelementen（4）被布置更小，并且宽度（b）的Strahlungsauskoppelelemente（4）是在给定的H＆ouml;他（H），这样小GEW＆AUML; HLT一个实质的发光区域（8）发射的光（11）的侧面的直接通过Seitenfl BEAR陈Strahlungsauskoppelelemente的部分（12）（4）可以耦合

3. 发明授权

EP0944918B1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERKÖRPERN MIT MOVPE-SCHICHTENFOLGE 失效
标题翻译：方法生产具有MOVPE层序列半导体主体
公开(公告)号：EP0944918B1
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：EP97937453.5
申请日：1997-08-13
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
发明人： SCHÖNFELD, Olaf , NIRSCHL, Ernst
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/78 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/30621 , H01L21/78 , H01L33/0062 , H01L33/20 , H01L33/22

4. 发明授权

EP0944918B9 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERKÖRPERN MIT MOVPE-SCHICHTENFOLGE 失效
标题翻译：方法生产具有MOVPE层序列半导体主体
公开(公告)号：EP0944918B9
公开(公告)日：2004-01-02
申请号：EP97937453.5
申请日：1997-08-13
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： SCHÖNFELD, Olaf , NIRSCHL, Ernst
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/78 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/30621 , H01L21/78 , H01L33/0062 , H01L33/20 , H01L33/22

5. 发明授权

EP0985235B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTES 失效
标题翻译：用于生产发光零件
公开(公告)号：EP0985235B1
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：EP98934777.8
申请日：1998-05-22
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： NIRSCHL, Ernst , SCHÖNFELD, Olaf
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079
摘要： The invention relates to a method for producing a light-emitting component. According to the inventive method, after a sequence of layers (2, 3, 4, 5) has been formed on the front face of a basic substrate (1) consisting of semiconductor material, said sequence of layers containing at least one active layer, the basic substrate (1) is removed at least partially and the sequence of layers (2, 3, 4, 5) is connected to an external substrate (9). The basic substrate (1) is removed by means of wet-chemical etching in an etching agent which acts selectively on the material of the basic substrate. A first metallic contact layer (7) is then applied to the rear face (6) of the sequence of layers (2, 3, 4, 5), said rear face facing towards the front face of the base substrate which has been removed, and a second metallic contact layer (10) is applied to the front face of the external substrate (9). The now-covered rear face of the sequence of layers (2, 3, 4, 5) is connected to the covered front face of the external substrate (9) using heat, by means of eutectic bonding.

6. 发明公开

EP1275159A2 LUMINESZENZDIODENCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 有权
公开(公告)号：EP1275159A2
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：EP01942963.8
申请日：2001-04-19
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： BOGNER, Georg , KUGLER, Siegmar , NEUMANN, Gerald , NIRSCHL, Ernst , OBERSCHMID, Raimund , SCHLERETH, Karl-Heinz , SCHOENFELD, Olaf , STATH, Norbert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/44 , H01L2224/16225
摘要： The invention relates to a high-radiance LED chip (1) comprising a radiation-emitting active region (32) and a window layer (2). In order to increase the radiant yield, the cross-sectional surface of the radiation-emitting active region (32) is smaller than the cross-sectional surface of the window layer (2), which is made available for disengaging the light. The invention also relates to a method for producing a lens structure on the surface of a light emitting component.
摘要翻译：本发明涉及包括发射有辐射的有源区（32）和窗口层（2）的发光二极管芯片（1）。为了提高发光效率，发射有源区域（32）的横截面面积小于可用于解耦光的窗口层（2）的横截面面积。本发明还涉及一种用于在发光部件的表面上制造透镜结构的方法。

7. 发明授权

EP0839400B1 HALBLEITERLASERCHIP UND INFRAROT-EMITTER-BAUELEMENT 失效
标题翻译：半导体激光器芯片和红外线发射器组件
公开(公告)号：EP0839400B1
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：EP96923857.5
申请日：1996-07-16
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
发明人： BOGNER, Georg , BRUNNER, Herbert , HAAS, Heinz , LUFT, Johann , NIRSCHL, Ernst , SPAETH, Werner , STATH, Norbert , TEICH, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/32
CPC分类号： H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2933/0091 , H01S5/02228 , H01S5/02244 , H01S5/02292 , H01S5/0425 , H01S5/3428 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to an infrared emitter component with a commercial light-emitting diode (LED) package (11) which has two electrode terminals (13, 14), one of which has a well-shaped reflector (12), and which has an optically transparent, electrically nonconductive encapsulating material (16). The invention provides that a semiconductor laser chip (1) is mounted in the well-shaped reflector (12) of the LED package. The semiconductor laser chip (1) has a quantum-well structure, especially with a strained-layer structure, for example MOVPE epitaxial layers with the layer sequence GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. The optically transparent, electrically nonconductive material (16) of the LED package (11) may incorporate a diffuser material (17) which in terms of type and concentration is structured and introduced so as to produce, in conjunction with the semiconductor laser chip (1) encapsulated in the LED package (11), a radiation characteristic or an enlargement of the effective emission surface that is comparable to that of a commercial infrared LED.

8. 发明授权

EP0917741B1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INFRAROTEMITTIERENDEN LUMINESZENZDIODE 失效
标题翻译： METHOD FOR PRODUCING红外线发射的发光二极管
公开(公告)号：EP0917741B1
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：EP97936591.3
申请日：1997-08-04
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
发明人： SEDLMEIER, Reinhard , NIRSCHL, Ernst , STATH, Norbert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/02

9. 发明公开

EP0985235A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN BAUELEMENTES 失效
标题翻译：用于生产发光零件
公开(公告)号：EP0985235A1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：EP98934777.8
申请日：1998-05-22
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG
发明人： NIRSCHL, Ernst , SCHÖNFELD, Olaf
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079
摘要： The invention relates to a method for producing a light-emitting component. According to the inventive method, after a sequence of layers (2, 3, 4, 5) has been formed on the front face of a basic substrate (1) consisting of semiconductor material, said sequence of layers containing at least one active layer, the basic substrate (1) is removed at least partially and the sequence of layers (2, 3, 4, 5) is connected to an external substrate (9). The basic substrate (1) is removed by means of wet-chemical etching in an etching agent which acts selectively on the material of the basic substrate. A first metallic contact layer (7) is then applied to the rear face (6) of the sequence of layers (2, 3, 4, 5), said rear face facing towards the front face of the base substrate which has been removed, and a second metallic contact layer (10) is applied to the front face of the external substrate (9). The now-covered rear face of the sequence of layers (2, 3, 4, 5) is connected to the covered front face of the external substrate (9) using heat, by means of eutectic bonding.

10. 发明授权

EP1275159B1 LUMINESZENZDIODENCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 有权
标题翻译：发光二极管及其生产方法
公开(公告)号：EP1275159B1
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：EP01942963.8
申请日：2001-04-19
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BOGNER, Georg , KUGLER, Siegmar , NEUMANN, Gerald , NIRSCHL, Ernst , OBERSCHMID, Raimund , SCHLERETH, Karl-Heinz , SCHOENFELD, Olaf , STATH, Norbert
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/44 , H01L2224/16225

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